[发明专利]基于MEMS工艺的高Q值三维螺旋结构电感及其制作方法在审
| 申请号： | 201811186644.9 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109599489A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 徐玲;周盛锐;卢基存;杨颖琳;史传进 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体为基于MEMS工艺的高Q值三维螺旋结构集成电感及其制作方法。本发明的三维螺旋结构集成电感包括硅基体、基层绝缘层、螺旋线圈、螺旋线圈间支撑物；所述基层绝缘层用于隔离电感螺旋线圈与硅基体，螺旋线圈通过线圈间绝缘层中的柱状金属形成电气连接。本发明采用改良的三维垂直集成方案，通过基层绝缘层隔离电感和硅衬底，降低衬底损耗，并通过绝缘材料支撑垂直螺旋结构，在较小的面积内向上垂直集成多层线圈，最终形成损耗低、杂散寄生电容小、具有高Q值、同时与封装工艺兼容、机械稳定的微型集成电感。 | ||
| 搜索关键词： | 螺旋线圈 三维螺旋结构 基层绝缘层 电感 垂直集成 隔离电感 集成电感 硅基体 绝缘层 微电子技术领域 垂直螺旋 电气连接 多层线圈 封装工艺 机械稳定 寄生电容 绝缘材料 微型集成 柱状金属 硅衬底 支撑物 衬底 杂散 制作 三维 兼容 改良 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种基于MEMS工艺的高Q值三维螺旋结构集成电感，其特征在于，包括：硅基体（1）、基层绝缘层（2）、螺旋线圈（3）、螺旋线圈间支撑物（4）；所述基层绝缘层（2）用于隔离电感螺旋线圈（3）与硅基体（1），所述螺旋线圈（3）通过线圈间绝缘层中的柱状金属（5）形成电气连接；其中：螺旋线圈（3）中单层螺旋线圈为带有缺角的八角形、“8”字形、圆角矩形或其他类似形状，线宽10～15 um；每一层的螺旋线圈结构相同，仅缺角位置不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811186644.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
