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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包含卡莫司他及氯硝柳胺的共晶、包含其的药物组合物及其制备方法-CN202280006162.9在审
发明人：朴映准;崔淑;李加海;卢东贤 -专利权人： IMD制药公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C07C235/64 文献下载
摘要：本发明涉及新型共晶、包含其的药物组合物及其制备方法，利用本发明的共晶可以有效预防和/或治疗癌症、炎症疾病或病毒感染疾病。
包含卡莫司氯硝柳胺药物组合及其制备方法

[发明专利]集成电路装置-CN201910800057.2有效
发明人：郭大荣;金志睿;千正焕;郭玟灿;卢东贤;李珍旭;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。
集成电路装置

[发明专利]半导体器件-CN202210470214.X在审
发明人：罗采昊;金成洙;闵宣基;卢东贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了半导体器件。所述半导体器件可以包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案位于衬底上；第一外延图案，所述第一外延图案位于所述第一鳍型图案上；第二外延图案，所述第二外延图案位于所述第二鳍型图案上；以及下场绝缘膜，所述下场绝缘膜位于所述衬底上并且在所述第一鳍型图案的侧壁和所述第二鳍型图案的侧壁上延伸，其中，所述下场绝缘膜包括在第三方向上突出的突起。所述下场绝缘膜的所述突起可以位于所述第一鳍型图案与所述第二鳍型图案之间，并且所述下场绝缘膜的所述突起的顶表面的垂直高度随着距所述第一鳍型图案的所述侧壁的距离增加而先增加后减小。
半导体器件

[发明专利]集成电路器件-CN202111280106.8在审
发明人：闵宣基;卢东贤;罗采昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，位于衬底上并且包括位于第一水平高度处的鳍顶表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上；以及绝缘结构，位于所述鳍型有源区的侧壁上。所述绝缘结构包括：第一绝缘衬垫，与所述鳍型有源区的侧壁接触；第二绝缘衬垫，位于所述第一绝缘衬垫上，并且包括位于比所述第一水平高度低的第二水平高度处的最上部；下掩埋绝缘层，面对所述鳍型有源区的侧壁，并且包括在比所述第二水平高度低的第三水平高度处面对所述栅极线的第一顶表面；以及上掩埋绝缘层，位于所述下掩埋绝缘层与所述栅极线之间，并且包括位于等于或高于所述第二水平高度的第四水平高度处的第二顶表面。
集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN202111002444.5在审
发明人：闵宣基;罗采昊;姜尚求;金益秀;卢东贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括在衬底上的第一鳍状图案和第二鳍状图案，该第一鳍状图案和第二鳍状图案在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。第一外延图案可以在第一鳍状图案上，第二外延图案可以在第二鳍状图案上。场绝缘层可以在衬底上，并且可以覆盖第一鳍状图案的侧壁、第二鳍状图案的侧壁、第一外延图案的侧壁的一部分和第二外延图案的侧壁的一部分。场绝缘层的顶表面可以高于第一外延图案的底表面和第二外延图案的底表面。
半导体器件

[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法-CN202011122787.0在审
发明人：安圭焕;金成洙;罗采昊;南雄植;卢东贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明构思涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的第一有源图案和第二有源图案，第一和第二有源图案在第一方向上彼此相邻且第一沟槽在第一有源图案与第二有源图案之间；在衬底上的第三有源图案和第四有源图案，第三有源图案和第四有源图案在第一方向上彼此相邻且第二沟槽在第三有源图案与第四有源图案之间。该半导体器件包括在第一沟槽中的第一器件隔离层和在第二沟槽中的第二器件隔离层。第二沟槽在第一方向上的宽度大于第一沟槽在第一方向上的宽度。第二器件隔离层包括从第二器件隔离层的顶表面突出的第一突起和第二突起。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202010188610.4在审
发明人：罗采昊;金成洙;安圭焕;卢东贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括：第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分。所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分。所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910811500.6在审
发明人：安圭焕;金成洙;罗采昊;卢东贤;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在衬底上的有源鳍；在衬底上的第一隔离图案；所述第一隔离图案在每个有源鳍的下侧壁上延伸；第三隔离图案，包括延伸到第一隔离图案中的上部和延伸到衬底的上部中的下部，该下部与第三隔离图案的上部接触，并且该下部的下表面的宽度大于该下部的上表面的宽度；以及第二隔离图案，在第三隔离图案下方在衬底中延伸，与第三隔离图案接触，并且具有圆形下表面。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910500036.9在审
发明人：金成洙;罗采昊;安圭焕;卢东贤;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底，基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间，与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸，并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间，第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910238881.3在审
发明人：崔戍侦;卢东贤;金成洙;安圭焕;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件，其可以包括：有源鳍，所述有源鳍通过有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；隔离结构，其包括在凹部的下部的下表面上和侧壁上的衬垫，以及在所述衬垫上的阻挡图案，所述阻挡图案填充所述凹部的下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；栅电极结构，其在有源鳍和隔离结构上；以及源极/漏极层，其在所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。
凹部栅电极结构隔离结构阻挡图案半导体器件源极/漏极氮化物多晶硅上表面碳化物下表面侧壁衬底填充

[发明专利]半导体器件-CN201910553164.X在审
发明人：曹九荣;申秀斌;卢东贤;丁炳硕;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，其包括：衬底；从衬底突出的多个有源图案；在有源图案之间的器件隔离层；以及钝化层，覆盖器件隔离层的顶表面并暴露有源图案的上部。器件隔离层包括与有源图案的相面对的侧壁相邻的多个第一隔离部、以及在第一隔离部之间的第二隔离部。第二隔离部的顶表面位于比第一隔离部的顶表面的水平低的水平处。
隔离部源图案顶表面器件隔离层衬底半导体器件覆盖器件钝化层隔离层水平处侧壁暴露

[发明专利]包括凹槽中的应力源的半导体器件及其形成方法-CN201910156871.5在审
发明人：申东石;姜显澈;卢东贤;朴判贵;慎居明;李来寅;李哲雄;郑会晟;金永倬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
上部半导体层应力源下部半导体层半导体器件源区嵌入式上表面凹口对准

[发明专利]包括凹槽中的应力源的半导体器件及其形成方法-CN201310585436.7有效
发明人：申东石;姜显澈;卢东贤;朴判贵;慎居明;李来寅;李哲雄;郑会晟;金永倬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
包括凹槽中的应力半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201810812764.9在审
发明人：闵宣基;卢东贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包含：第一有源图案以及第二有源图案，在衬底上；第一源极/漏极区，在第一有源图案上；第二源极/漏极区，在第二有源图案上；以及装置隔离层，填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层在第一源极/漏极区下方具有凹槽，且第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的内衬层的底部表面高于凹槽。
源图案源极/漏极区装置隔离层半导体装置内衬层底部表面衬底填充

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