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[发明专利]互连结构及其制造方法-CN201610512830.1在审
发明人： 刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底；在所述衬底之上的第一金属层；和在所述衬底上并覆盖所述第一金属层的电介质层，其中，所述电介质层具有延伸到所述第一金属层的开口，并且所述电介质层上具有硬掩模层；去除所述电介质层上的硬掩模层；在所述开口的底部选择性沉积第二金属层；沉积第三金属层以填充所述开口。本发明可以提高互连结构的可靠性。
互连结构及其制造方法

[发明专利]不同结构的深沟槽平坦化方法-CN201310338016.9有效
发明人：钱志刚;刘继全;唐锦来 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-05 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种不同结构的深沟槽平坦化方法，包括1）在硅衬底上，淀积一层阻挡层；2）在阻挡层上淀积光刻胶，显影后，刻蚀阻挡层，露出后续流程需要刻蚀沟槽的硅衬底；3）在硅衬底上，刻蚀具有不同宽度和深度的深沟槽的图形；4）利用选择性外延生长，进行硅的深沟槽填充；5）在硅片上淀积一层多晶硅埋层，覆盖整个硅片表面；6）将位于阻挡层上方的多晶硅去除。本发明具有以下势1）可有效保护阻挡层，增加工艺窗口；2）可利用多晶硅至阻挡层的膜层转换，利用终点检测方式更精确的控制工艺；3）表面形貌均匀，可以避免缺陷产生，提高良率。
不同结构深沟平坦方法

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201310199877.3有效
发明人： 刘继全 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括半导体基底，并在其的一面形成第一电极；半导体漂移区，其由第一漂移区、第二漂移区、第三漂移区组成，且第一漂移区、第二漂移区、第三漂移区按顺序依次向上堆积在半导体基底的另一面上；基极区，其形成于第三漂移区内部；源极区，其形成于基极区内部；栅极介质层，其形成在第三漂移区上面，且位于两个基极区之间；栅极，其形成于栅极介质层之上；金属前介质层，其形成于栅极周围和除两个源极区之间的其余第三漂移区顶部；第二电极，其形成于栅极、金属前介质层和两个源极区之间的第三漂移区上面。此外，本发明还公开了该半导体器件的形成方法。本发明能有效提高超级结漂移区的电荷平衡能力。
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]接触孔的形成方法-CN201510741788.6在审
发明人： 刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触孔的形成方法，包括提供衬底，在所述衬底上形成介质层；垂直于所述介质层表面向内部形成通孔,所述通孔侧壁形成有悬突结构突出所述侧壁；对通孔侧壁进行物理轰击；在轰击后的通孔内填充导电材料，形成接触孔。本发明实施例在刻蚀形成通孔之后，采用物理轰击的方法对通孔侧壁进行处理，以去除通孔侧壁可能形成的悬突，来保证后续阻挡层和种子层的连续生长、以及导电材料的均匀填充，从而有效地避免了接触孔内狭缝空洞的产生,保证了接触孔的连续性，提高了接触孔的电学性能和机械强度。
接触形成方法

[发明专利]测量深沟槽内载流子浓度分布的方法-CN201210484039.6有效
发明人：成鑫华;刘继全 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量深沟槽内载流子浓度分布的方法，包括如下步骤：1）在硅外延层或半导体衬底上形成沟槽；2）利用硅外延层填充沟槽；3）平坦化沟槽顶部；4）在沟槽顶部生长预知载流子浓度的多层硅外延层；5）利用SCM（扫描电容显微镜）测量沟槽顶部的各层硅外延层的dC/dV值，并作出dC/dV与载流子浓度的曲线图；6）利用SCM测量沟槽内硅外延层的dC/dV值，并根据步骤5）中的dC/dV与载流子浓度的曲线图求得对应沟槽内硅外延层的载流子浓度。本发明采用SCM的方法，可以方便、快捷、准确的测量深沟槽硅体内的载流子的浓度及其分布。
测量深沟载流子浓度分布方法

[发明专利]形成交替排列的P型和N型半导体薄层的方法-CN201310145683.5有效
发明人： 刘继全 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成交替排列的P型和N型半导体薄层的方法，步骤包括：1）衬底上生长硅外延层和介质膜；2）用光刻胶定义长条形沟槽形成区域；沟槽形成区域两端分别被一条以上光刻胶分割为两个以上形状相同的沟槽区域；3）刻蚀形成第一沟槽和两个以上第二沟槽；4）去除光刻胶和介质膜，热氧化沟槽，将第二沟槽之间的硅外延转化为氧化硅；5）湿法刻蚀氧化硅，使第一、第二沟槽合并为一个沟槽；6）在沟槽内填充导电类型与步骤1）的硅外延层相反的硅外延层。本发明通过将条形沟槽两端先分割为多个沟槽进行刻蚀，再合并为一个沟槽，使得沟槽两端的深度小于中间的深度，从而降低了硅外延填充沟槽的难度，并避免了沟槽内部产生孔洞。
形成交替排列半导体薄层方法

[发明专利]一种GaN 外延工艺方法-CN201310304608.9有效
发明人： 刘继全 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN外延工艺方法，该方法包括以下步骤：1）在硅衬底上生长Si_(1‑x‑y)GexCy缓冲层；2）逐步降低Si_(1‑x‑y)GexCy缓冲层中Ge的含量，直至为0，从而生长出Si_(1‑x‑y)GexCy和SiC缓冲层；3）在Si_(1‑x‑y)GexCy和SiC缓冲层上生长SiC缓冲层；4）在SiC缓冲层上进行GaN外延生长，形成GaN外延层。本发明利用晶格常数逐渐变化的缓冲层来生长高质量的GaN外延层，该方法能防止GaN缺陷，提高GaN外延的质量。
一种 gan 外延工艺方法

[发明专利]互连结构的形成方法-CN201510046887.2在审
发明人： 刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成介质层；在所述介质层上依次形成停止层和牺牲层；在所述牺牲层、停止层和介质层内形成第一开口；在所述第一开口的侧壁和底部形成功能膜层，形成功能膜层的工艺包括物理气相沉积；在所述形成有所述功能膜层的第一开口内填充介质材料；去除所述牺牲层；去除所述介质材料，形成第二开口；向所述第二开口内填充导电材料，以形成插塞。本发明所提供的形成方法减少了插塞中形成的空腔，提高了形成插塞的质量，提高了器件制造的良品率。
互连结构形成方法

[发明专利]金属互连结构的形成方法-CN201410554555.0在审
发明人： 刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种金属互连结构的形成方法。包括，在半导体基底表面，以及半导体基底的沟槽内形成金属籽晶层后，在金属籽晶层表面形成遮挡层；之后去除沟槽底部的遮挡层，露出沟槽底部的金属籽晶层，而保留覆盖于沟槽侧壁的遮挡层。后续在金属籽晶层上继续形成金属层过程中，基于沟槽侧壁上覆盖有遮挡层，而无法在沟槽的侧壁上继续形成金属层，因而只能由沟槽底部露出的金属籽晶层上，由下至上逐渐形成金属层，直至填充满沟槽，从而可有效避免在沟槽内未填充满金属层的条件下，沟槽的开口过早闭合，致使在沟槽内的金属层中形成空隙的缺陷，进而提高后续形成于沟槽内的金属互连结构的性能和后续形成的半导体器件的性能。
金属互连结构形成方法

[实用新型]用于防爆柴油机液力机械传动系统的测功系统-CN201520741316.6有效
发明人：段思恭;柳小桐;刘继全;阎志伟 -专利权人：中国煤炭科工集团太原研究院有限公司;山西天地煤机装备有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： G01L3/24 文献下载
摘要：本实用新型属于井下无轨液力机械传动系统的测试及试验的技术领域，为解决目前测功系统只能对单独的部件进行测试，从而导致整个传动系统中的多个部件匹配后偏离实际工作的误差较大，效率难以提高的技术问题，提供了一种用于防爆柴油机液力机械传动系统的测功系统，包括防爆柴油机系统、液力变矩器、动力换挡变速箱、转速转矩传感器、传动测功台架、液压系统、液压测功台架和计算机数据处理系统；防爆柴油机系统、液力变矩器、动力换挡变速箱、传动测功台架分别通过传动轴经转速转矩传感器相连，转速转矩传感器、传动测功台架、液压测功台架分别与计算机数据处理系统相连，本实用新型可有效指导动力传动匹配，有效提高测试条件与现实状况的相似性。
用于防爆柴油机机械传动系统系统

[发明专利]液压剪切装置-CN201510471141.6在审
发明人：刘健;王春耀;孙彦良;卢宝印;于维毅;李言军;温开峰;张磊;梁书银;刘震;王晖;刘继全;黄松 -专利权人：兖州煤业股份有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： B65H35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种液压剪切装置，包括：纵向剪切对轴；位于纵向剪切对轴后方的拉动滚筒副；位于拉动滚筒副后方的横向剪切机构；控制纵向剪切对轴、拉动滚筒副及横向剪切机构升降运动的液压缸；控制纵向剪切对轴、拉动滚筒副及横向剪切机构转动的液压马达；液压控制阀组及液压泵。本发明公开的液压剪切装置，液压泵能够为液压缸提供动力，液压缸在液压控制阀组的作用下能够控制纵向剪切对轴、拉动滚筒副及横向剪切机构升降，液压马达能够控制纵向剪切对轴、拉动滚筒副及横向剪切机构转动，两者共同作用能够实现钢丝胶带的传送和剪切，从而有效的将钢丝胶带切割成了小段胶带，进而提高了钢丝胶带的利用率。
液压剪切装置

[发明专利]钢筋弯曲设备-CN201510471126.1在审
发明人：张磊;于维毅;温开峰;李言军;梁书银;刘震;王晖;刘继全;黄松;李瑞;王魁;马绪东;韩海清;王丽丽 -专利权人：兖州煤业股份有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： B21F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钢筋弯曲设备，包括至少一个弯曲机构，弯曲机构包括：底座；固定在底座上的电机；与电机的输出轴相连的旋转台阶轴；安装在旋转台阶轴内孔的中心轴；固定设置在旋转台阶轴第二台阶上的旋转机构，旋转机构与中心轴同轴设置，且旋转机构与中心轴之间设置有用于容纳钢筋的空隙；分别设置在弯曲起始位置和终止位置的第一感应器和第二感应器，第二感应器用于使所述电机反转。本发明公开的钢筋弯曲设备，旋转台阶轴能够在电机的作用下带动旋转机构绕中心轴转动，转动时，钢筋位于中心轴与旋转机构之间的空隙中，从而能够在旋转机构的压迫下沿中心轴进行弯曲。从而实现了机械弯曲，并提高了弯曲效率，降低了弯曲成本。
钢筋弯曲设备

[发明专利]一种半导体器件的形成方法-CN201310613731.9在审
发明人： 刘继全 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件的形成方法，包括如下步骤：1）在半导体硅衬底一侧刻蚀深沟槽；2）对沟槽底部进行注入和推阱；3）在沟槽内部填充硅外延层并平坦化；然后形成基区、源区、栅极、介质层和正面金属电极；4）对半导体硅衬底另一侧进行减薄，并对另一侧进行离子注入、激光退火、背面金属电极形成。本发明通过对硅外延掺杂浓度、沟槽深度和硅片厚度的调整，使半导体器件的击穿电压、导通电阻保持稳定。本发明方法可以降低超级结器件的制造成本，提高生产效率，同时可以降低器件的导通电阻。
一种半导体器件形成方法

[实用新型]一种新型防爆柴油机用尾气降噪净化装置-CN201420710127.8有效
发明人：贾二虎;王晓;兰春亮;赵明岗;梁志武;刘继全;程玉军 -专利权人：中国煤炭科工集团太原研究院有限公司;山西天地煤机装备有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： F01N3/08 文献下载
摘要：本实用新型属于防爆柴油机尾气处理的技术领域，具体涉及一种新型防爆柴油机用尾气降噪净化装置。解决防爆柴油机尾气排放噪声高的问题，包括充有净化介质的箱体、扩压腔I、扩压腔II、消声装置I和消声装置II，箱体上分别设有进气口和排气口，进气口与扩压腔I连接，箱体内设置有消声装置I和消声装置II，消声装置I包括外壳设置在外壳内部的穿孔管I和穿孔管II，穿孔管I与设置在箱体内的扩压腔I连接；消声装置II包括外壳和设置在外壳内部的穿孔管III和穿孔管IV，穿孔管IV与设置在箱体内的扩压腔II连接，扩压腔II与箱体连通；穿孔管II和穿孔管III之间连接有消声装置连接管，消声装置I和消声装置II完全浸入在箱体内的净化介质内。
一种新型防爆柴油机尾气净化装置

[发明专利]一种新型防爆柴油机用尾气降噪净化装置-CN201410678763.1在审
发明人：贾二虎;王晓;兰春亮;赵明岗;梁志武;刘继全;程玉军 -专利权人：中国煤炭科工集团太原研究院有限公司;山西天地煤机装备有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： F01N3/08 文献下载
摘要：本发明属于防爆柴油机尾气处理的技术领域，具体涉及一种新型防爆柴油机用尾气降噪净化装置。解决了防爆柴油机尾气排放噪声高的问题，包括充有净化介质的箱体、扩压腔I、扩压腔II、消声装置I和消声装置II，箱体上分别设有进气口和排气口，进气口与扩压腔I连接，箱体内设置有消声装置I和消声装置II，消声装置I包括外壳设置在外壳内部的穿孔管I和穿孔管II，穿孔管I与设置在箱体内的扩压腔I连接；消声装置II包括外壳和设置在外壳内部的穿孔管III和穿孔管IV，穿孔管IV与设置在箱体内的扩压腔II连接，扩压腔II与箱体连通；穿孔管II和穿孔管III之间连接有消声装置连接管，消声装置I和消声装置II完全浸入在箱体内的净化介质内。
一种新型防爆柴油机尾气净化装置