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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010358273.9在审
发明人： 刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底中形成有前层互连结构，前层互连结构包括待连接互连结构；采用选择性沉积工艺在前层互连结构顶面形成牺牲层；在基底上形成覆盖牺牲层侧壁的第一介电层；去除牺牲层，在第一介电层中形成露出待连接互连结构的第一互连开口；形成覆盖第一介电层的第二介电层，第二介电层的被刻蚀速率大于第一介电层的被刻蚀速率；在第二介电层中形成第二互连开口，第二互连开口底部和第一互连开口顶部相连，第二互连开口和第一互连开口构成互连开口；在互连开口中形成互连结构。通过形成具有刻蚀选择比的第二介电层和第一介电层，并预先形成位置精准的第一互连开口，提高了互连开口和待连接互连结构的对准精度。
半导体结构形成方法

[发明专利]辅助锚护装置-CN202110924585.6在审
发明人：仇卫建;丁永成;陈明建;弓旭峰;左岗永;张小峰;王威;阎志伟;杜玉祥;张维果;刘继全;孟雯杰;王富强;王壮;代浩;马育华;贾建伟 -专利权人：中国煤炭科工集团太原研究院有限公司;山西天地煤机装备有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： E21D20/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种辅助锚护装置，所述辅助锚护装置包括滑槽、滑座、支撑臂和辅助作业平台，所述滑槽包括第一侧板、第二侧板和底板，所述第一侧板和所述第二侧板上均设有第一凸出部，所述滑座包括连接板、第三侧板、第四侧板和第五侧板，所述第三侧板和所述第四侧板上均设有第二凸出部所述第二凸出部与所述连接板之间形成间隙，所述第一凸出部配合在所述间隙内，所述滑座在所述底板的长度方向位置可调，所述支撑臂的下端与所述第五侧板枢接，所述支撑臂的长度可调，所述支撑臂上设有第一驱动件以驱动所述支撑臂绕所述第五侧板枢转，所述辅助作业平台与所述支撑臂的上端枢接。本发明的辅助锚护装置具有适应性强、支护范围大、作业效率高的特点。
辅助装置

[发明专利]具有辅助臂的锚索钻车-CN202110924622.3在审
发明人：仇卫建;孟雯杰;王富强;丁永成;张小峰;王威;左岗永;杜玉祥;张维果;刘继全;兰辉敏;陈明建;弓旭峰;庞瑾斌;张神州;陈庆贺;车利明 -专利权人：中国煤炭科工集团太原研究院有限公司;山西天地煤机装备有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： E21B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有辅助臂的锚索钻车包括机架、锚护组件、滑轨和辅助组件，所述锚护组件包括第一支撑臂、第一安装座、第一驱动件、第二驱动件、连接件和锚索钻机，所述滑轨与所述机架的顶部相连且沿所述机架的长度方向延伸，所述辅助组件包括滑座、驱动电机、第二支撑臂、第三驱动件、第四驱动件和辅助作业平台。本发明的具有辅助臂的锚索钻车具有通过性强、适应范围广、支护范围大、作业效率高的特点。
具有辅助锚索钻车

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202010252059.5在审
发明人： 刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底，所述衬底内具有第一导电结构，所述衬底表面暴露出所述第一导电结构表面；位于第一导电结构表面的第一防散射层；位于第一防散射层表面的第二导电结构。所述半导体结构的性能得到了提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010129511.9在审
发明人：汪昌州;刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成电极层；在所述电极层上形成第一种子层，所述形成第一种子层的步骤包括：在所述电极层上形成初始种子层；对所述初始种子层进行第一降温处理；进行所述第一降温处理后，对所述初始种子层进行第二降温处理，所述第二降温处理的降温速率大于所述第一降温处理的降温速率；在所述第一种子层上形成磁性隧道结叠层结构。本发明实施例，对所述初始种子层进行第一降温处理和第二降温处理，能够使得第一种子层同时具有较高的粘附性和粗糙度，有利于使得磁性隧道结叠层结构具有较高的磁阻比，进而图形化磁性隧道结叠层结构，形成的磁隧道结单元具有较高的磁阻比。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010129546.2在审
发明人：汪昌州;刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成电极层；在电极层上形成合金种子层；在合金种子层上形成磁性隧道结叠层结构。本发明实施例中，通常在形成磁性隧道结叠层结构后，会对磁性隧道结叠层结构进行退火处理，在退火处理的过程中，合金种子层中的原子不易扩散至磁性隧道结叠层结构的隧穿势垒层中，进而隧穿势垒层的材料更易转变成单晶态，使得磁性隧道结叠层结构具有较大磁阻比；此外，通过控制合金种子层中各原子之间的比例，能够使得合金种子层经过退火处理后，合金种子层顶面的面粗糙度不易提高，磁性隧道结叠层结构的各个膜层之间界面的面粗糙度不易提高，有利于磁性隧道结叠层结构具有较大的磁阻比。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710734685.6有效
发明人： 刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有栅极层，栅极层内具有杂质离子，栅极层两侧的基底内具有源漏掺杂区，基底、源漏掺杂区和栅极层上具有介质层；去除源漏掺杂区上的部分介质层，直至暴露出源漏掺杂区，在介质层内形成源漏接触孔；去除栅极层上的部分介质层，直至暴露出栅极层，在介质层内形成栅极接触孔；在栅极接触孔底部形成阻挡层；在阻挡层上和源漏接触孔底部形成金属层；进行退火处理，使所述金属层与源漏接触孔底部的源漏掺杂区材料反应，在源漏接触孔底部形成金属硅化物层。所述方法形成的器件的接触电阻较小。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种封闭狭长环境的全站仪远程控制方法-CN202110271252.8在审
发明人：张婷;索艳春;李涛;董孟阳;陈宁;郭皇煌;田原;贾曲;邢晨;杜会峰;田慧婷;刘继全;马育华 -专利权人：中国煤炭科工集团太原研究院有限公司;山西天地煤机装备有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G01C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种封闭狭长环境的全站仪远程控制方法，包括：建立全站仪和远程控制器的连接；通过远程控制器发送锁定目标指令，控制全站仪搜索并锁定待测目标棱镜；远程控制器向全站仪发送测量指令，全站仪根据测量指令采集待测目标的测量信息；若需要持续测量，则远程控制器向全站仪发送连续测量状态指令，控制全站仪持续锁定待测目标；若无需继续测量时，远程控制器向全站仪发送终止指令，控制全站仪进入待机状态，等待远程控制器再次发送远程控制指令。通过本发明，能够实现在全站仪物理调平的基础上，对全站仪的远程操作、控制及数据回传，避免手动操作对工作人员造成的潜在危害，实现工作面少人、无人化。
一种封闭狭长环境全站仪远程控制方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法、半导体器件-CN201911320044.1在审
发明人： 刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成隧穿氧化膜，形成隧穿氧化膜的步骤包括：依次形成多个子隧穿氧化膜；形成子隧穿氧化膜的步骤包括：形成初始子隧穿氧化膜；对初始子隧穿氧化膜进行氧化处理，使初始子隧穿氧化膜转化为子隧穿氧化膜。本发明实施例依次形成多个子隧穿氧化膜以形成隧穿氧化膜，初始子隧穿氧化膜的厚度较薄，因此，有利于保证初始子隧穿氧化膜在所述氧化处理的过程中能够完全被氧化、并提高氧化处理的均匀性，从而有利于提高氧原子在子隧穿氧化膜中的分布均匀性、改善子隧穿氧化膜材料中的晶格结构，相应提高了隧穿氧化膜的薄膜质量，进而在后续图形化隧穿氧化膜以形成隧穿氧化层后，有利于提升隧穿氧化层的薄膜质量。
半导体结构及其形成方法半导体器件

[发明专利]一种煤矿采掘装备数据分析预警方法-CN202110274164.3在审
发明人：张婷;陈宁;索艳春;布朋生;董孟阳;李涛;郭皇煌;田原;贾曲;常映辉;冀鹏飞;杜会峰;李瑞媛;邢晨;刘继全;马育华 -专利权人：中国煤炭科工集团太原研究院有限公司;山西天地煤机装备有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： E21C35/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种煤矿采掘装备数据分析预警方法，针对当前煤矿采掘装备的运行状态数据单一、无法按装备类型进行有效整合，本发明通过装备内有线、装备间无线的传输方式，建立具有通用性和可扩展性的数据系统，实现可按照当前装备类型进行选择和配置，同时通过数据、三维动画等多种方式展示装备运行状态，操作人员和生产设计人员可实时掌握装备信息，有效减少工作面人数、提高装备智能化水平。
一种煤矿采掘装备数据分析预警方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201911190464.2在审
发明人： 刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供基底，所述基底内具有金属互连结构；在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述金属互连结构；刻蚀所述层间介质层至露出所述金属互连结构的表面，形成通孔；在所述通孔内填充满金属层；刻蚀所述金属层表面，在所述金属层内形成凹槽；在所述层间介质层上形成电极层，且所述电极层填充满所述凹槽。本发明使得金属层内的扩散离子扩散到MTJ器件单元的难度增强，扩散离子就不容易扩散到MTJ器件单元内，从而不会对MTJ器件单元造成损伤，这样就保证了形成的MTJ器件单元的性能和质量。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]金属互联结构的形成方法-CN201510555776.4有效
发明人： 刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属互联结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有前层金属和覆盖所述前层金属的介质层；在所述介质层上形成接触孔和沟槽，所述接触孔底部暴露所述前层金属，所述接触孔与所述沟槽连通，所述沟槽位于所述接触孔上方；在所述接触孔的内壁和所述沟槽的内壁形成第一金属阻挡层；在所述接触孔的内壁和所述沟槽的内壁形成金属氮化物阻挡层，所述金属氮化物阻挡层覆盖所述第一金属阻挡层；在形成所述金属氮化物阻挡层后，在所述接触孔内和所述沟槽内填充满后层金属。所述形成方法提高所形成的金属互联结构的性能。
金属联结形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201910888564.6在审
发明人： 刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，其形成方法包括：提供基底，在基底上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成金属间介质层；刻蚀金属间介质层，在金属间介质层内形成通孔，通孔的底部暴露出刻蚀停止层的表面；对通孔底部的刻蚀停止层进行表面处理。本发明对通孔底部暴露出的刻蚀停止层进行表面处理，改变通孔暴露出的刻蚀停止层的材料性质，使得通孔底部暴露出的刻蚀停止层的刻蚀速率发生改变，后续沿着通孔侧壁继续刻蚀通孔底部的刻蚀停止层的时候，未暴露出的刻蚀停止层不会遭到刻蚀的作用，刻蚀工艺就停止在需要刻蚀的暴露出的刻蚀停止层上，从而使得形成的半导体器件的性能和质量得到提高。
半导体器件形成方法

[发明专利]机械手抓取机构-CN202011205218.2在审
发明人：任晓力;马福文;张强;张学瑞;徐双用;陈庆贺;刘文武;张雪峰;彭晓静;李鹏;王威;仇卫建;梁大海;段景曦;杨杰;胡凌云;刘晨;刘继全;代立明;李华聪;石晓光 -专利权人：中国煤炭科工集团太原研究院有限公司;山西天地煤机装备有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： B25J15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种机械手抓取机构，包括支撑机构、第一驱动装置、摆动组件、第二驱动装置和抓取装置，其中，支撑机构包括支撑主体和支撑杆，其中，支撑杆垂直设置于支撑主体的一端，支撑主体的另一端与摆动组件可枢转相连；第一驱动装置可伸缩且其一端与支撑杆可枢转相连，第一驱动装置的另一端与摆动组件可枢转相连；抓取装置与摆动组件可枢转相连，其中，摆动组件上设置有第一铰接座，抓取装置上设置有第二铰接座；第二驱动装置可伸缩且其一端与第一铰接座可枢转相连，第二驱动装置的另一端与第二铰接座可枢转相连。本申请实施例的机械手抓取机构，具有操作灵活，自由度大等特性，可有效保证控制的精确性，提升使用体验。
机械手抓取机构

[发明专利]风筒收储组件-CN202010955519.0在审
发明人：任晓力;张学瑞;马凯;张小峰;丁永成;张强;张雪峰;闫志伟;刘文武;郑吉;梁大海;彭晓静;李鹏;朱大鹏;刘长龙;张磊;刘继全;王以超;代立明;丁守坤 -专利权人：中国煤炭科工集团太原研究院有限公司;山西天地煤机装备有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： E21F1/04 文献下载
摘要：本申请提出一种风筒收储组件，该风筒收储组件包括风筒收储筒体；与风筒收储筒体相连接的伸缩风筒；与伸缩风筒相连接的风筒挂钩，风筒挂钩与连采机相连接；其中，伸缩风筒可收纳于风筒收储筒体内部，伸缩风筒还可随着连采机的掘进从风筒收储筒体内部伸出至风筒收储筒体之外，该风筒收储组件具有协助运输单元与除尘器之间连接的风筒伸缩的功能，能够实现在放风筒时，可以结合实际边帮开采的需要根据掘进速度缓慢拉出风筒，在回收风筒时，可以轻便地将风筒推进风筒收储组件。
风筒收储组件