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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]变压器储油柜用油位表-CN201120096864.X在审
发明人： 刘继全;刘鑫;刘福新;贺宇佳 -专利权人：沈阳市银海电器有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： G01F23/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种变压器储油柜用油位表。本实用新型是提供一种具有能随时监测油位功能、使用安全，可以满足国家智能电网建设用的变压器储油柜用油位表。本实用新型包括表壳、表盘、指针、指针轴、耦合磁铁、高油位信号开关、低油位信号开关、浮球、浮杆、传动构齿轮组和电缆，其结构要点在于表壳内还设置有与电缆连接的油位监测器，该油位监测器包括设置在表壳内的电路板、指针轴上的电位器、连接该电路板和电位器的导线，电位器将油位值转换成4～20mA或0～5V值通过电路板输出。
变压器储油柜用油位表

[发明专利]改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法-CN201010027233.2有效
发明人： 刘继全;季伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法，在形成有STI区域和有源区的硅片上进行锗硅或锗硅碳外延生长，外延生长过程中通入一定量的卤化氢气体，降低锗硅或锗硅碳在STI区域的生长速率，使锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面向STI区域推移。本发明能有效减少有源区面积的损失。
改善锗硅碳单晶多晶界面形貌方法

[发明专利]改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法-CN201010027232.8有效
发明人： 刘继全;季伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法，步骤一、在硅片表面生长一层氮化硅或氮氧化硅薄膜；步骤二、在所述氮化硅或氮氧化硅薄膜的表面涂布一层负性光刻胶，利用有源区光刻版曝光、显影，将有源区表面的氮化硅或氮氧化硅薄膜曝露出来；步骤三、去除有源区表面的氮化硅或氮氧化硅薄膜；步骤四、去除所述负性光刻胶；步骤五、利用锗硅或锗硅碳多晶在氮化硅和氮氧化硅表面的扩散成核速度，在STI或LOCOS表面形成一层均匀的锗硅或锗硅碳多晶薄膜。本发明能有效减少AA面积的损失，改善STI(或LOCOS)表面SiGe多晶粗糙度。本发明不仅仅局限于锗硅工艺，还可使用于锗硅碳工艺等。
改善锗硅碳单晶体多晶体界面形貌方法

[发明专利]获得倾斜沟槽结构或改变沟槽结构倾斜角的制作工艺方法-CN201010027234.7无效
发明人： 刘继全 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得倾斜沟槽结构或改变沟槽结构倾斜角的制作工艺方法，在硅基片或硅外延层上沉积硬掩膜；在需要形成沟槽的地方去除所述硬掩膜；用干法刻蚀在硅衬底或硅外延层中形成沟槽；在所述沟槽内部进行硅外延生长，在沟槽的侧壁形成硅外延层；去除所述硬掩膜。本发明能够有效改变深沟槽侧壁的倾斜度，降低沟槽填充的难度。
获得倾斜沟槽结构改变倾斜角制作工艺方法

[实用新型]变压器用蝶阀-CN201020635150.7有效
发明人： 刘继全;刘鑫;刘福新;李光宇;贺宇佳 -专利权人：沈阳市银海电器有限公司
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： F16K1/226 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种变压器用蝶阀。本实用新型是提供一种使用性能好、寿命长、使用成本低的变压器用蝶阀。本实用新型包括阀体、阀板、阀轴、阀盖和限位装置，其结构要点在于阀体内设有环形凹槽，凹槽内设置密封圈，密封圈与关闭状态下的阀板外圆周面液密封。
变压器用

[实用新型]一种40t铲板式搬运车-CN201020646593.6无效
发明人：柳小桐;段思恭;马凤苹;丁仁政;马艳卫;韩晓强;周旭;阎志伟;刘继全;杨玮 -专利权人：煤炭科学研究总院太原研究院;煤炭科学研究总院山西煤机装备有限公司
申请日： 2010-12-04 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： B66F9/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种40t铲板式搬运车，主要结构由铲板机构、前机架、铰接架、后机架、前轮、后轮、举升油缸、倾翻油缸、转向油缸、驾驶室、液压油箱、变速变矩器、废气处理箱、柴油箱、补水箱、散热器、防爆柴油发动机、液压绞车、缆绳组成，采用大功率防爆柴油发动机做动力，前后轮采用实心橡胶轮胎，前部设有铲板机构，前机架上设有液压绞车及缆绳，既可铲运、又可牵拉，可进行大载荷、高坡度运输，此搬运车设计先进合理、结构紧凑、安全稳定可靠、承载力达40吨，是十分理想的煤矿井下的铲板式搬运车。
一种 40 板式搬运车

[发明专利]获得倾斜沟槽结构或改变沟槽结构倾斜角的方法-CN200910201869.1无效
发明人： 刘继全 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得倾斜沟槽结构或改变沟槽结构倾斜角的方法，在硅衬底或硅外延层上沉积第一硬掩膜；在第一硬掩膜上沉积第二硬掩膜；在需要形成沟槽的地方把两层硬掩膜去除；用干法刻蚀在硅衬底或硅外延层中形成沟槽；用湿法刻蚀对第一硬掩膜进行刻蚀，从所述沟槽口处向两侧横向刻蚀掉部分位于硅衬底或硅外延层与第二层硬掩膜之间的第一层硬掩膜；用湿法或干法刻蚀剥离掉所述第二硬掩膜；用卤化氢气体对所述沟槽进行再刻蚀，使沟槽侧壁形成一定的倾斜度；用湿法或干法刻蚀去除第一硬掩膜。本发明能够有效改变深沟槽的倾斜度，降低沟槽填充的难度。
获得倾斜沟槽结构改变倾斜角方法

[发明专利]高深宽比沟槽隔离区的填充方法-CN200910201730.7无效
发明人： 刘继全 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种高深宽比沟槽隔离区的填充方法，包括如下步骤：在硅基片或硅外延层上形成沟槽；在所述沟槽表面依次形成氧化层、氮化层；用选择性刻蚀去除沟槽底部的氮化层和氧化层，暴露出沟槽底部的硅；用选择性硅外延工艺方法在沟槽底部生长一定厚度的硅外延层；对所述硅外延层进行高温氧化，使其转化为氧化硅层；在所述氧化硅层上沉积绝缘层。本发明能使填充后的沟槽隔离区内不产生孔隙和接缝，沟槽隔离区具有良好的隔离性能。
高深沟槽隔离填充方法

[发明专利]填充高深宽比沟槽隔离区的方法-CN200910201728.X无效
发明人： 刘继全 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种填充高深宽比沟槽隔离区的方法，在硅片或硅外延层上形成沟槽；在所述沟槽表面依次形成氧化层、氮化层；用选择性刻蚀去除沟槽底部的氮化层和氧化层，暴露出沟槽底部的硅；用选择性硅外延工艺方法生长硅外延层对沟槽进行填充；对硅外延层顶部进行高温氧化，使其转化为氧化硅层。本发明能使填充后的沟槽隔离区内不产生孔隙和接缝，使沟槽隔离区具有良好的隔离性能。
填充高深沟槽隔离方法

[发明专利]一种40t铲板式搬运车-CN201010577599.7无效
发明人：柳小桐;段思恭;马凤苹;丁仁政;马艳卫;韩晓强;周旭;阎志伟;刘继全;杨玮 -专利权人：煤炭科学研究总院太原研究院;煤炭科学研究总院山西煤机装备有限公司
申请日： 2010-12-04 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： B66F9/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种40t铲板式搬运车，主要结构由铲板机构、前机架、铰接架、后机架、前轮、后轮、举升油缸、倾翻油缸、转向油缸、驾驶室、液压油箱、变速变矩器、废气处理箱、柴油箱、补水箱、散热器、防爆柴油发动机、液压绞车、缆绳组成，采用大功率防爆柴油发动机做动力，前后轮采用实心橡胶轮胎，前部设有铲板机构，前机架上设有液压绞车及缆绳，既可铲运、又可牵拉，可进行大载荷、高坡度运输，此搬运车设计先进合理、结构紧凑、安全稳定可靠、承载力达40吨，是十分理想的煤矿井下的铲板式搬运车。
一种 40 板式搬运车

[发明专利]将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法-CN200910057784.0有效
发明人： 刘继全 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，包含以下步骤：1)在硅基片或硅外延层上刻蚀形成一系列沟槽；2)用卤化氢气体对沟槽顶部直角进行再刻蚀，使其形成钝角；3)在高温炉管内于沟槽内部及表面生长一层热氧化硅；4)用湿法刻蚀去除热氧化硅，形成沟槽顶部圆角。本发明可以使较大尺寸沟槽顶部直角变成圆弧较长的明显圆角，从而避免沟槽顶部尖角发生击穿(如浅沟槽隔离)，降低尖端处的电场强度以提高器件的击穿电压，还可以防止沟槽填充物使沟槽过早的封口，从而降低沟槽填充的难度。
较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显方法

[发明专利]交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法-CN200910057783.6有效
发明人： 刘继全 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法，包含以下步骤：1)在衬底硅片上生长一层第一外延层；2)在第一外延层上进行第一次刻蚀形成沟槽；3)在第一外延层表面和沟槽内部生长绝缘层；4)去除沟槽底部的绝缘层；5)对第一次刻蚀形成的沟槽进行第二次刻蚀形成深沟槽；6)用选择性外延对深沟槽进行填充，形成第二外延层，该第二外延层与第一外延层具有相反导电类型；7)去除绝缘层；8)用化学机械研磨去除沟槽，即可得到交替排列的P型和N型半导体薄层。该方法解决了外延填充沟槽存在空洞的问题，可以获得没有空洞的交替排列的P型和N型半导体薄层，以改善器件的性能。
交替排列半导体薄层形成方法

[发明专利]用于填充沟槽的硅外延方法-CN200910057077.1无效
发明人： 刘继全;谢烜;张宏伟;缪燕 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于填充沟槽的硅外延方法，在有硬掩膜的硅外延层上刻蚀形成沟槽之后，采用如下工艺参数进行硅外延生长填充所述沟槽：采用二氯二氢硅作为硅外延生长的硅源，外延腔体内的工艺温度为800℃-950℃，外延时在所述外延腔体内加入流量为50-600sccm氯化氢气体。本发明的硅外延方法，可用于填充高深宽比的沟槽以形成没有空洞的填充效果。
用于填充沟槽外延方法

[实用新型]防爆柴油发动机的冷却装置-CN200920254406.7无效
发明人：韩晓强;贾二虎;张福祥;刘继全;兰春亮;赵明岗;李文军;雷煌;申进杰;韩霏;王彬男 -专利权人：煤炭科学研究总院太原研究院;煤炭科学研究总院山西煤机装备有限公司
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： F01P3/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防爆柴油发动机的冷却装置，主要结构由水冷散热器、水空中冷器、阻火器、左右水冷增压器、左右水冷排气岐管、内外循环水泵、左右排气座、进气管、出气管、放气管、进水管、出水管、放水管、三通阀组成，采用水冷散热器、水空中冷器双冷却、阻火器阻火、双水冷增压器增压，内外循环水泵加水，水冷散热器内设有风扇散热，使大功率柴油发动机在高速运转中得到良好冷却，保证了运行安全，此装置设计合理先进，结构紧凑、安全稳定可靠，使用效果好，故障少，是十分理想的大功率柴油发动机的冷却装置，此装置也可在类似发动机上使用。
防爆柴油发动机冷却装置

[实用新型]防爆柴油发动机的排气装置-CN200920104023.1无效
发明人：贾二虎;雷煌;申进杰;张福祥;赵明岗;韩晓强;刘继全;兰春亮 -专利权人：煤炭科学研究总院太原研究院;煤炭科学研究总院山西煤机装备有限公司
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： F01N3/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防爆柴油发动机的排气装置，主要结构由废气箱、水位浮球箱、水位控制阀、低水位报警控制阀、阻火器、排气座、排气管、进气管、水冷排气套管、水冷排气弯管、通气管、水温传感器、U形水管、回水管、联接盘、密封圈、螺栓组成，采用水、气、阻火、水位控制报警、水循环冷却相结合的设计，废气输入采用双进气管同时输入，废气经水循环冷却进入废气箱，经阻火器、排气座、排气管排出机外，水温传感器摄取水温信息，既保护了发动机机件，又不污染环境，本装置设计合理先进，结构紧凑，安装使用方便，安全稳定可靠，是十分理想的防爆柴油发动机的排气装置。
防爆柴油发动机排气装置

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