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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201880035669.0有效
发明人：田村隆博;小野沢勇一;高桥美咲;三塚要;尾崎大辅;兼武昭徳 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置，其具有半导体基板，半导体基板具备二极管区、晶体管区和位于二极管区与晶体管区之间的边界区，边界区包括在半导体基板的正面侧的预先确定的深度位置从与二极管区邻接的端部起向晶体管区侧延伸设置的缺陷区，且边界区的至少一部分不具有在半导体基板的正面露出的第1导电型的发射区，晶体管区在夹在相邻的2个沟槽部之间且具有发射区的台面部中的最靠近边界区的台面部的下方不具有缺陷区。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202280007099.0在审
发明人：唐本祐树;三塚要;伊仓巧裕 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，所述半导体装置具备半导体基板，半导体基板具备：有源部；以及多个栅极沟槽部，其在半导体基板的上表面设置在有源部，并沿着延伸方向延伸，所述半导体装置还具备：栅极布线，其设置在有源部与半导体基板的端边之间；以及多个栅极多晶硅，其沿着端边相互分离地配置，并将多个栅极沟槽部分别连接到栅极布线。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201810151457.0有效
发明人： 三塚要;小野泽勇一;田村隆博 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，形成有有源部和边缘部；上部电极，设置在半导体基板的上方；绝缘膜，设置在半导体基板与上部电极之间，并形成有接触孔；第一导电型的漂移区，形成在半导体基板的内部；第二导电型的基区，形成在有源部，并经由接触孔与上部电极连接；第二导电型的阱区，形成在边缘部，并与上部电极分离；以及第二导电型的延长区，从基区向阱区的方向延伸地形成，并通过绝缘膜与上部电极分离，从接触孔的阱区侧的端部到延长区的阱区侧的端部为止的第一距离与从延长区的阱区侧的端部到阱区为止的第二距离之和小于有源部中的半导体基板的厚度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180016458.4在审
发明人：白川彻;阿形泰典;三枝直树;三塚要 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体装置包括：感测部，其设置于半导体基板，且检测预先确定的物理信息；感测焊盘部，其设置于半导体基板的上表面的上方，并且与感测部连接；栅极流道，其设置在半导体基板的上表面的上方，且被施加栅极电位；以及分离导电部，其设置在感测焊盘部与半导体基板之间，且与栅极流道分离。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180007468.1在审
发明人： 三塚要;唐本祐树 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具备栅极沟槽部、以及与栅极沟槽部相邻的虚设沟槽部的半导体装置。半导体装置可以具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的接触区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。在栅极沟槽部与虚设沟槽部之间的台面部，接触区可以设置在发射区的靠虚设沟槽部侧的下端的下方。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110575884.3在审
发明人：白川彻;阿形泰典;三塚要 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其适当地调整有源区中的耐压。所述半导体装置具备有源区和边缘区域，并且具备：第1导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第2导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第2导电型的第1集电区，其在有源区中设置于漂移区的下方；以及第2导电型的第2集电区，其在边缘区域中设置于漂移区的下方，第1集电区的掺杂浓度大于第2集电区的掺杂浓度，在俯视时，第1集电区的面积与第2集电区的面积相同或大于第2集电区的面积。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202011577395.3在审
发明人： 三塚要;小野泽勇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。优选避免破坏感测IGBT。所述半导体装置具备：半导体基板；晶体管部，其设置于半导体基板；电流感测部，其用于检测流经晶体管部的电流；发射电极，其被设定为晶体管部的发射极电位；感测电极，其与电流感测部电连接；齐纳二极管，其电连接到发射电极与感测电极之间。所述半导体装置的制造方法包括：在晶体管部设置半导体基板的步骤；设置对流经晶体管部的电流进行检测的电流感测部的步骤；设置被设定为晶体管部的发射极电位的发射电极的步骤；设置与电流感测部电连接的感测电极的步骤；设置电连接到发射电极与感测电极之间的齐纳二极管的步骤。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010572103.0在审
发明人：横山浩大;安喰彻;三塚要;白川彻 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置。抑制半导体装置的因温度变化引起的特性变化。所述半导体装置具备：半导体基板，其设置有第1导电型的漂移区；晶体管部，其具有与半导体基板的下表面接触的第2导电型的集电区；二极管部，其具有与半导体基板的下表面接触的第1导电型的阴极区，且沿着在半导体基板的上表面的排列方向与晶体管部交替地配置，晶体管部中的、从靠近半导体基板在排列方向上的中央的晶体管部起依次选择的2个以上的晶体管部在排列方向上的宽度比其他任一晶体管部在排列方向上的宽度大。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201980028584.4在审
发明人：加藤由晴;安喰彻;白川彻;高桥美咲;三塚要;吉村尚;小野泽勇一;泷下博;吉田崇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010115605.0在审
发明人： 三塚要;白川彻;安喰彻;小野泽勇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种改善半导体装置的动态特性的半导体装置。所述半导体装置具备：晶体管，其具有多个栅极构造部；以及二极管部，其在半导体基板的下表面具有阴极区，各栅极构造部具有：栅极沟槽部；第一导电型的发射区，其在半导体基板的上表面与漂移区之间与栅极沟槽部接触地设置，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的基区，在发射区与漂移区之间与栅极沟槽部接触地设置，在俯视下，距阴极区的距离最近的栅极构造部的第一阈值比距阴极区的距离最远的栅极构造部的第二阈值低0.1V以上且低1V以下。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201880035386.6在审
发明人： 三塚要;高桥美咲;白川彻 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供晶体管部和二极管部的导通特性优良的半导体装置。提供具有晶体管部与二极管部的半导体装置，该半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的第一阱区，其设置在半导体基板的上表面侧；第二导电型的阳极区，其在二极管部，设置在半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的第一高浓度区，其在阳极区与第一阱区之间，与第一阱区接触地设置，并且掺杂浓度比阳极区的掺杂浓度高。
导电型半导体基板半导体装置二极管部阳极区阱区晶体管部上表面掺杂导通特性高浓度区浓度比漂移区

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