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[发明专利]利用N空位缺陷调控NbN/AlN/NbN约瑟夫森结电输运性质的方法-CN202211619376.1在审
发明人：单征;邱俊玲;侯一凡;孙回回;陈卓;刘福东;韩传兵;韩鹏宇;刘洋笑 -专利权人：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明属于电子核心产业超导集成电路技术领域，特别涉及一种利用N空位缺陷调控NbN/AlN/NbN约瑟夫森结电输运性质的方法，分别选取多种无缺陷模型；从多种无缺陷模型中选取晶格失配率最低且结合能最高的模型作为参考模型，在参考模型中增加势垒层AlN中的N空位缺陷，控制N空位的总数相同，在界面层设置N空位和在AlN的每个原子层中设置不同N空位数量，构建缺陷模型，在保证AlN的每个原子层N空位数量一致的情况下，调整N空位在原子层中的位置，构建缺陷模型；将上述模型转换为NbN/AlN/NbN约瑟夫森结器件模型；采用Nanodcal软件计算模型的电输运性质；对电输运性质结果进行分析。本发明探究了势垒层AlN中N空位分布的不同及位置的不同对NbN/AlN/NbN约瑟夫森结电输运性质的影响。
利用空位缺陷调控 nbn aln 约瑟夫森结电输运性质方法

[发明专利]一种底电极内嵌式约瑟夫森结的制备方法-CN202211557682.7在审
发明人：王卫龙;单征;刘福东;王立新;孙回回;穆清;王淑亚;费洋扬;孟祥栋;何昊冉;袁本政;杨天;冯薛飞;张潮洁;于小涵 -专利权人：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体生产工艺技术领域，特别涉及一种底电极内嵌式约瑟夫森结的制备方法，该方法包括：选取半导体衬底；通过光刻技术在半导体衬底的上表面形成底电极图形；使用刻蚀工艺在半导体衬底上形成底电极图形凹槽，刻蚀后的衬底进行光刻胶去除和清洗处理；在半导体衬底表面进行金属淀积；通过化学机械抛光的方式将半导体衬底表面金属层去除，只留下凹槽中的底电极导线条；对底电极导线条的表面进行氧化处理；在氧化处理之后，利用光刻和刻蚀工艺形成顶电极，顶电极的导线条与底电极的导线条形成交叉导线结构。本发明将底电极嵌入衬底凹槽中，避免了底电极突起导致的顶电极导线条厚度不均匀的情况出现，大大降低了顶电极电阻。
一种电极内嵌式约瑟夫制备方法

[发明专利]超导薄膜、采用共沉积的制备方法、超导转变边沿探测器、应用-CN202111426732.3有效
发明人：徐骁龙;李劲劲;王雪深;陈建;钟青;钟源;曹文会;王仕建 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2021-11-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种超导薄膜、制备方法、超导转变边沿探测器及应用。该超导薄膜包括超导金属膜层、合金膜层和正常态金属膜层，所述合金膜层的合金包括所述超导金属膜层中的超导金属与所述正常态金属膜层中的正常态金属，所述合金膜层层叠设置于所述超导金属膜层与所述正常态金属膜层之间。合金膜层的引入不仅能够有效降低超导薄膜的超导转变温度，还能够用于在维持该超导薄膜整体的热容不变的情况下调控超导薄膜整体的超导转变温度。
超导薄膜采用沉积制备方法转变边沿探测器应用

[发明专利]用于减少离子研磨损坏的覆盖层-CN201680090090.5有效
发明人： A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2016-09-15 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：一种制造允许电流流动的电接触结的方法，包括：提供包括第一层超导体材料的基板；从第一层的第一区域去除第一层的超导体材料的自然氧化物；形成与第一层的第一区域接触的覆盖层，其中，所述覆盖层防止在第一区域中重新形成超导体材料的自然氧化物；在形成覆盖层之后，形成第二层超导体材料，其电连接到第一层超导体材料的第一区域，以提供允许电流流动的电接触结。
用于减少离子研磨损坏覆盖层

[发明专利]超导约瑟夫森结及其制备方法-CN202211186712.8在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导约瑟夫森结及其制备方法。制备方法包括：提供衬底，形成光刻胶层于衬底上，光刻胶层具有贯穿且垂直相交的两条沟道，沟道包括上子沟道和宽度大于上子沟道的下子沟道，上子沟道位于下子沟道开口上方，使下子沟道内的衬底被部分遮挡；沿偏离沟道预定角度的第一方向进行倾斜蒸镀，在两条沟道内的衬底上分别形成与两条沟道平行且至少部分位于遮挡区域的第一超导线；在第一超导线表面形成势垒层；沿与第一方向相反的第二方向进行倾斜蒸镀，在两条沟道内的衬底上分别形成与两条势垒层垂直交叠且至少部分位于遮挡区域的第二超导线。本发明能够利用低分辨率UV光刻机制备超导约瑟夫森结。
超导约瑟夫及其制备方法

[发明专利]约瑟夫森结及其制备方法-CN202211186715.1在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种约瑟夫森结及其制备方法。制备方法包括：提供衬底，形成第一光刻胶层于衬底上，第一光刻胶层具有贯穿的第一沟道，第一沟道包括上沟道和宽度大于上沟道的下沟道，上沟道位于下沟道开口上方；沿垂直第一沟道方向进行倾斜蒸镀，在第一沟道内的衬底上形成与第一沟道平行且至少部分位于遮挡区域的第一超导线；剥离第一光刻胶层，形成第二光刻胶层于衬底上，第二光刻胶层具有与第一沟道结构相同且与第一沟道垂直的第二沟道；在第二沟道内的第一超导线表面形成势垒层；沿垂直第二沟道方向进行倾斜蒸镀，在第二沟道内的衬底上形成与势垒层垂直交叠且至少部分位于遮挡区域的第二超导线。本发明能够利用低分辨率UV光刻机制备约瑟夫森结。
约瑟夫及其制备方法

[发明专利]用于超导谐振器的器件、方法和系统-CN201780095940.5有效
发明人： S.B.奥利瓦德斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：一组超导器件互连在网格中，该网格在单个二维制造平面中制造，使得超导连接只能通过跨过也位于该平面中的第二超导器件的组件到达该组中的第一超导器件，而同时保持在该平面中。在第一超导器件的超导连接中形成具有跨度和间隙高度的超导耦合器件。超导耦合器件的一部分通过平行平面中的间隙与第二超导器件的组件分离。使用超导耦合器件将组件的第一侧上的第一接地平面的电势与组件的第二侧上的第二接地平面均衡。
用于超导谐振器器件方法系统

[发明专利]一种二维超导纳米集成电路的无损制备方法-CN202310032119.6在审
发明人：张蜡宝;汪潇涵;王昊;马良;杨焯林 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维超导纳米集成电路的无损制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：首先在基底上生长出超薄过渡金属薄膜；接着利用电子束曝光和反应离子刻蚀得到超导金属薄膜的纳米集成电路器件；随后利用拓扑化学转化法原位将金属薄膜纳米器件转变成二维超导薄膜的纳米集成器件；最后在器件上生长一层绝缘材料即可得到二维超导纳米集成电路。本发明有效避免了传统微纳加工流程对低维材料的损伤作用，实现对多种低维材料器件的无损制备。同时，利用本方案可以实现多种器件结构制备，进而进行调控器件的性能。
一种二维超导纳米集成电路无损制备方法

[发明专利]用于制造约瑟夫森结的光刻-CN202180057416.5在审
发明人： K·罗德贝尔;L·奥科拉;C·雷特纳;M·罗思韦尔;E·黄 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：提供了用于制造约瑟夫森结的光刻过程和结构，其包括沉积在第二抗蚀剂层(102)上的第一抗蚀剂层(104)，该第一抗蚀剂层包括限定用于形成约瑟夫森结的开口(114)的桥部分(116)。在桥部分上沉积第三抗蚀剂层(106)以形成在约瑟夫森结的制造期间将开口与超导材料(902)的成角度沉积(D1)遮蔽开的部分(118)。
用于制造约瑟夫光刻

[发明专利]一种约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结-CN202310032246.6有效
发明人：郑伟文;栾添;周慧德;范博 -专利权人：量子科技长三角产业创新中心
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结，应用于量子芯片技术领域，掩膜形成有第一通道与第二通道，第二通道的一端与第一通道相重合，形成有三端通道；沿第一蒸镀方向在第一通道中远离蒸发源一侧形成条状的第一超导层；第一蒸镀方向与衬底表面法线形成夹角，第一蒸镀方向使第一超导层仅在第一通道内设置；沿第二蒸镀方向在第二通道中设置第二超导层，在第一通道与第二通道重合的区域形成约瑟夫森结；第二蒸镀方向在水平方向的分量与第二通道的轴线平行；第二蒸镀方向使第二超导层仅在第二通道内设置。该约瑟夫森结的面积受到第一蒸镀方向的调控，从而可以灵活调整约瑟夫森结的面积。
一种约瑟夫制备方法

[发明专利]超导硅片及其制备方法-CN202210685143.5有效
发明人：张辉;尤兵;马亮亮;沈龙;任阳 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导硅片及其制备方法。该制备方法包括：提供具有通孔的硅片，硅片包括相对设置的第一表面和第二表面；在第一温度下，从硅片的第一表面沉积超导材料，以在硅片的第一表面以及通孔的孔壁镀上第一层超导膜；在高于第一温度的第二温度下，从硅片的第二表面沉积超导材料，以在硅片的第二表面镀上与第一层超导膜接续的第二层超导膜。该超导硅片采用该制备方法得到。通过上述方式，本发明能够避免超导膜出现破损，使硅片两个表面形成可靠的超导连接。
超导硅片及其制备方法

[发明专利]钽金属薄膜处理方法、量子器件及量子芯片-CN202211408734.4有效
发明人：邓昊;张晓航 -专利权人：阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽金属薄膜处理方法、量子器件及量子芯片。其中，该方法包括：制备初始钽金属薄膜；将初始钽金属薄膜冷却至预定极低温度后，由预定极低温度上升至常温，得到目标钽金属薄膜。本发明解决了相关技术中，在制备钽金属薄膜后，对钽金属薄膜的后处理技术，对提高钽基超导量子器件在能量耗散的正面作用有限的技术问题。
金属薄膜处理方法量子器件芯片

[发明专利]一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结及其制备方法-CN202211558944.1在审
发明人：康黎星;朱思齐 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结及其制备方法。所述制备方法包括：采用限域填充法，使开口的碳纳米管、硒单质、铌单质于密闭反应腔室中进行固相合成和化学气相传输反应，制得一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结。本发明提供的方法可以显著地提升材料的稳定性，避免传统异质结产生的应力，更体现一维同轴范德华异质结优异的超导性能，并且这种限域填充与改进的硒化处理相结合的一步法制备大大的简化了制造过程。本发明制得的一维异质结超导体比其他二维超导异质结具有更简单的结构，因此对其进行电‑声相互作用、电子/空穴输运、相变等研究理论上更为简单，更能够通过理论研究掌握规律，以便更好地调控和优化材料性能。
同轴硒化铌纳米管异质结及其制备方法

[发明专利]超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法-CN202310143477.4在审
发明人：梁莹;孟铁军;项金根 -专利权人：深圳量旋科技有限公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法，用于低成本地减小芯片串扰的效果。基底的制作方法包括：于芯片基底的主体上制作通孔；对所述芯片基底的主体进行膜层溅射处理，以于所述通孔的内壁及所述芯片基底的主体的表面生长金属膜层，其中所述表面包括上表面和下表面；对经过膜层溅射处理的芯片基底的主体进行金属电镀处理，以形成填充于所述通孔的金属柱及覆盖于所述芯片基底的主体的上表面的金属镀层；对经过金属电镀处理的芯片基底的主体的表面进行平滑处理，以去除所述芯片基底的主体的表面的所述金属膜层及所述芯片基底的主体的上表面的所述金属镀层，形成超导量子芯片的基底。
超导量子芯片及其基底制作方法

[发明专利]一种铌基探针型SQUID电磁传感器及制备方法和应用-CN202011326012.5有效
发明人：王华兵;齐在栋;徐祖雨;黎晓杰;吕阳阳;孙汉聪;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌基探针型SQUID电磁传感器及制备方法和应用，属于超导应用技术领域。本发明方法包括：使用石英针拉制器将外径1.0mm内径0.5mm的空心石英针拉伸至尖端直径约100nm；使用磁控溅射设备在针尖处生长50nm铌膜，将其表面完全包裹；使用电子束蒸发在石英针两侧生长两次铝膜作为掩膜，由于电子束蒸发设备属于点源溅射，其具有良好的各向异性，两次生长的铝膜不会互相接触短路，会在中间形成两条狭缝，再从顶端进行一次蒸镀，将顶端圆环处铌膜进行保护；使用反应离子刻蚀设备将未被铝膜保护的铌膜被去除，留下铌膜加铝膜的双层结构，即得所述铌基探针型SQUID电磁传感器，可用于检测高频电磁场。
一种探针 squid 电磁传感器制备方法应用