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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法-CN202010277519.X有效
发明人：汤演;刘晓宇;李浩;尤立星 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法，采用ZEP‑520A电子束抗蚀剂作为双层胶的底层胶，AR‑P 6200型电子束抗蚀剂作为双层胶的顶层胶。本发明采用的两种抗蚀剂均可在邻二甲苯中显影，且去胶过程可于相同步骤中同时进行，工艺更为简单，通过与多种溶剂配合实现曲折纳米线结构的溶胶剥离；同时，利用两种抗蚀剂中心剂量的差距实现底切结构，具有流程简单、重复性好等优点。
一种用于 snspd 器件纳米结构双层剥离方法

[发明专利]超导量子干涉仪及其制备方法-CN202211306367.7在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导量子干涉仪及其制备方法。该制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成由至少一个第一约瑟夫森结组成的第一结电路以及由至少一个第二约瑟夫森结组成的第二结电路，其中，第一结电路与第二结电路的一端电连接、另一端开路；在衬底上形成分别与第一结电路和第二结电路的另一端电连接的导体元件，以构成超导量子干涉仪；其中，第一约瑟夫森结与第二约瑟夫森结的数量和/或连接关系被配置为使第一结电路与第二结电路的等效电阻不相等。通过上述方式，本发明能够制备出非简并点的比特频率较高的超导量子干涉仪，从而实现更强的量子信息处理能力。
超导量子干涉仪及其制备方法

[发明专利]约瑟夫逊结谐振器的选择性化学频率修改-CN202180039067.4在审
发明人： E.莱万多夫斯基;姚正邦;E.张;B.韦伯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：提供了用于选择性地调谐超导约瑟夫森结谐振器的操作频率的技术，包括通过等离子体处理化学地改变约瑟夫森结(110)，优选地通过将transmon量子位裸片(104)掩蔽暴露于包括诸如氢或氧的反应物的等离子体(502)。特别地，等离子体处理调节约瑟夫森结的电阻。还公开了一种用于进行等离子体处理的装置。
约瑟夫谐振器选择性化学频率修改

[发明专利]一种射频超导腔缓冲化学腐蚀装置及方法-CN202211292776.6在审
发明人：陈明伦;张宁峰;黄俊峰;张国华;游雨松;牟民;赵伟东;李众 -专利权人：宁夏东方钽业股份有限公司;宁夏东方超导科技有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频超导腔缓冲化学腐蚀装置及方法。射频超导腔缓冲化学腐蚀方法应用上述射频超导腔缓冲化学腐蚀装置，采用酸液水平进出，酸液充填射频超导腔体积的50％，同时射频超导腔是旋转的，射频超导腔不同位置射频面与酸液接触的时间接近，解决了射频射频超导腔不同位置酸流动速度不同的问题，酸液温度均匀性有较大改善，产生的废气可随酸液排出，不会产生气室，避免了射频面的二次缺陷，解决在射频超导腔缓冲化学腐蚀的过程中，不能控制射频超导腔射频面腐蚀均匀去除的问题。
一种射频超导缓冲化学腐蚀装置方法

[发明专利]一种铝基超导电路中干法刻蚀的异常处理方法-CN202211328143.6在审
发明人：崔志远;熊康林;冯加贵;郭丰 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供一种铝基超导电路中干法刻蚀的异常处理方法，包括以下步骤：(1)提供样品；(2)对样品进行加热，而后采用干法刻蚀的方式刻蚀开槽暴露的铝金属层，开槽暴露出介质层，然后立即使用去离子水或草酸清洗刻蚀后的样品，吹干；(3)采用干法刻蚀的方式刻蚀开槽暴露的介质层；(4)依次循环重复步骤(2)和步骤(3)，直至将开槽暴露的铝金属层和介质层均刻蚀掉，暴露出衬底；(5)去除残留的光刻胶层。采用本发明提供的异常处理方法，在铝基超导电路干法刻蚀过程中可以有效避免深槽刻蚀后的形貌异常及封堵的风险，且便于操作。
一种超导电路中干法刻蚀异常处理方法

[发明专利]一种YBCO多层厚膜的制备方法-CN202210108443.7在审
发明人：刘志勇 -专利权人：上海大学;上海上创超导科技有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明涉及C084B，更具体地，本发明涉及一种YBCO多层厚膜的制备方法。包括半生长薄膜制备：将YBCO胶体涂敷到织构基底上，得到胶体膜，依次进行低温处理和高温预处理后，得到半生长薄膜。本发明提供的方法克服了厚膜效应，可用于YBCO高性能厚膜的连续、大规模生产，促进多层结构YBCO超导膜形成更为致密的结构，其厚膜厚度可达3μm以上，明显高于目前同类方法得到的YBCO超导膜厚度的同时，12mm宽度的Ic也可达1000A以上，临界电流密度可达到2.8MA/cm2以上。
一种 ybco 多层制备方法

[发明专利]量子器件的制备方法、超导电路及量子芯片-CN202211215563.3在审
发明人：高然;邓纯青 -专利权人：阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子器件的制备方法、超导电路及量子芯片。其中，该方法包括：依次在衬底的不同区域上得到多个超导材料层，其中，多个超导材料层分别包括沉积在衬底上的超导材料以及覆盖在对应超导材料上的硬掩膜，多个超导材料层中的超导材料包括具有动力学电感的超导材料；刻蚀掉多个超导材料层上的硬掩膜，得到集成在衬底上的多个目标电路元件；基于多个目标电路元件制备目标量子器件。本发明解决了难以实现超导量子器件的制备的技术问题。
量子器件制备方法超导电路芯片

[实用新型]一种超导量子芯片表面处理设备-CN202221695935.2有效
发明人：赵勇杰;刘尧 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请公开了一种超导量子芯片表面处理设备，超导量子芯片的表面具有金属层以及形成于金属层表面的氧化层，其特征在于，所述超导量子芯片表面处理设备包括密封腔体，所述密封腔体用于将超导量子芯片与大气环境隔离，以及设于密封腔体上的清理元件，用于清除所述氧化层。本申请中，通过设置密封腔体，以将超导量子芯片与大气环境隔离开来，利用清理元件对金属层表面的氧化层进行清理，从而能够在隔绝大气环境的条件下清除金属层表面的氧化层，防止金属层与大气环境接触再度被氧化，从而能够有效保证超导量子芯片的性能。
一种超导量子芯片表面处理设备

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