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[发明专利]一种光辐照悬空电容的装置和方法-CN201810115440.X有效
发明人：孙国柱;戴欣;李永超;江俊良;潘佳政;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种光辐照悬空电容的装置，包括：用于承载悬空电容样品的无氧铜腔体；用于承载所述无氧铜腔体的支撑装置；光纤移动装置；其中，所述无氧铜腔体固定在支撑装置上，无氧铜腔体内部安放悬空电容样品；所述支撑装置固定在CCD平台的基座上；所述光纤移动装置固定在CCD平台的移动平台上，且位于无氧铜腔体的下方。本发明还公开了一种光辐照悬空电容的方法。本发明很方便地实现了将平行光束对准微尺度的悬空电容。
一种辐照悬空电容装置方法

[发明专利]一种基于超导纳米线单光子探测器的光子偏振态测量系统及方法-CN202310403451.9在审
发明人：朱广浩;费越;张蜡宝;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01J4/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超导纳米线单光子探测器的光子偏振态测量系统及方法，包括：光学回路，用于将输入激光依次调制为水平偏振光、垂直偏振光，45°线偏振光、圆偏振光、以及八个不同四分之一波片偏置角度时的偏振光；读出电路部分，用于读取探测器在每种偏振光入射条件下的响应脉冲数量和光强值；系统效率计算模块，用于将响应脉冲数量和光强值转换为系统效率；入射光子偏振态计算模块，用于利用探测器在水平偏振光、垂直偏振光，45°线偏振光、圆偏振光入射条件下的系统效率，计算得到探测器和制冷机中光纤的双折射参数，再利用探测器和制冷机中光纤的双折射参数和探测器在八个不同四分之一波片偏置角度时的偏振光入射条件下的系统效率，得到入射光的偏振状态。
一种基于导纳米线光子探测器偏振测量系统方法

[发明专利]一种窄带太赫兹带通滤波器及其制备方法-CN202211488028.5在审
发明人：陈健;迟天圆;石粒力;吴敬波;范克彬;苏润丰;涂学凑;张彩虹;金飙兵;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄带太赫兹带通滤波器及其制备方法，所述滤波器由铝箔纸组成，铝箔纸上有重复结构单元，结构单元由三条槽孔组成，呈“Y”型，结构单元之间的距离为100‑200μm，槽孔的宽度为20‑70μm，长度为30‑80μm；制备方法为：(1)将铝箔纸的下表面粘接于衬底上，再在其上表面涂覆光刻胶，再进行加热固化；(2)再对加热固化后的铝箔纸进行曝光，将光掩模板置于铝箔纸上表面的光刻胶上；(3)采用显影液对曝光后的光刻胶进行显影；(4)将显影后的铝箔纸置于弱碱性溶液中进行刻蚀；(5)将经刻蚀处理后的铝箔纸下表面上的衬底进行剥离处理，即得太赫兹带通滤波器。相较于现有技术，本发明太赫兹带通滤波器具有成本低、制备工艺简单且损耗少的优势。
一种窄带赫兹带通滤波器及其制备方法

[发明专利]一种多通道超导单光子探测器的三级预冷低温恒温器-CN202310343371.9在审
发明人：张蜡宝;戴懿;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多通道超导单光子探测器的三级预冷低温恒温器，包括真空罩、GM制冷机二级气缸、GM制冷机一级气缸、GM制冷机冷头、一级预冷结构、二级预冷结构、三级预冷结构、低温射频同轴线、用于放置超导单光子探测器的样品台；一级预冷结构、二级预冷结构和三级预冷结构从下至上依次设置在真空罩内部；本发明通过三级预冷的方式，使样品台温度不受射频同轴线数量增加而升高，确保样品台的温度稳定在探测器的工作温度，使探测器能够持续稳定的工作在最佳状态。
一种通道超导光子探测器三级预冷低温恒温器

[发明专利]一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构-CN202310194573.1有效
发明人：涂学凑;吴强强;王卧虎;周淑宇;赵清源;张蜡宝;贾小氢;陈健;王华兵;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构，其MEMS硅腔体盖帽层位于太赫兹探测器芯片的上方，盖住太赫兹探测器芯片的探测部分；金属平面反射镜位于太赫兹探测器芯片的背面，对入射到太赫兹探测器芯片衬底的信号进行反射；MEMS硅腔体盖帽层、太赫兹探测器芯片、金属平面反射镜三者堆叠互连构成复合谐振结构，使得探测器芯片处的电场谐振增强。本发明改变盖帽层深硅刻蚀的厚度可以实现探测器芯片处的电磁场能量增强，提高探测器的灵敏度；改变探测器衬底厚度、MEMS硅腔体盖帽硅层厚度与空气腔厚度可以实现不同谐振频率的探测和滤波效果，提高太赫兹探测器芯片三维封装的设计自由度。
一种赫兹探测器芯片三维封装结构

[发明专利]SNSPD光谱响应矩阵的标定方法、装置、设备及介质-CN202310145950.2在审
发明人：李志健;万超;赵清源;刘浩;王华兵;吴培亨 -专利权人：网络通信与安全紫金山实验室
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种SNSPD光谱响应矩阵的标定方法、装置、设备及介质，涉及光谱测量技术领域，包括：将单色光波长的平均波长输入至SNSPD以确定偏置电流的取值区间，并划分取值区间得到单位数据间隔；在选取的单色光波长下按照单位数据间隔的预设倍数对偏置电流进行采样，并测量第一光子计数率均值；利用第一光子计数率均值的微分处理结果确定出数据拟合区间，并对第一光子计数率均值进行数据拟合得到第二光子计数率均值；对剩余区间的偏置电流进行采样，并测量第三光子计数率均值；拼接第二、第三光子计数率均值，以基于拼接结果确定出光谱响应率数据；将光谱响应率数据作为矩阵的一列，重新选取单色光波长，直到完成光谱响应矩阵的标定。
snspd 光谱响应矩阵标定方法装置设备介质

[发明专利]一种高深宽比超导氮化铌纳米线及其制备方法和应用-CN202010417882.7有效
发明人：张蜡宝;郭书亚;陈奇;潘丹峰;涂学凑;韩航;贾小氢;赵清源;陈健;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N60/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种高深宽比超导氮化铌纳米线及制备方法和应用，采用优化的镀膜技术在衬底表面沉积氮化铌薄膜；在氮化铌薄膜表面旋涂电子束抗刻蚀剂，形成电子束抗刻蚀剂层；采用电子束曝光技术在电子束抗刻蚀剂层上定义氮化铌纳米线图形；采用反应离子刻蚀技术将图形转移到氮化铌薄膜上，得到高深宽比超导氮化铌纳米线。本发明通过将电子束曝光系统和反应离子刻蚀相结合的微纳加工技术，成功制备出了膜厚纳米线，深宽比超过1∶1的超导氮化铌纳米线，可应用与高性能全波段光子探测器和其他相关领域的研究。
一种高深超导氮化纳米及其制备方法应用

[发明专利]微波单光子探测器和方法-CN202211718817.3在审
发明人：潘佳政;孙汉聪;李金朋;孙国柱;王华兵;吴培亨 -专利权人：网络通信与安全紫金山实验室
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波单光子探测器和方法。其中，该探测器包括：金属腔腔体，包括第一谐振腔和第二谐振腔，第一谐振腔的一侧装配第一探针，第二谐振腔的一侧装配第二探针和第三探针，第二探针连接微波单光子探测器的控制读取信号输入端口，第三探针连接微波单光子探测器的控制读取信号输出端口；多端口器件，多端口器件的第一端口连接微波单光子探测器的微波单光子输入端口，多端口器件的第二端口连接第一探针，多端口器件的第三端口连接第一探针连接微波单光子探测器的微波单光子输出端口；超导量子比特，横贯第一谐振腔和第二谐振腔。本发明解决了相关技术中对微波单光子探测的探测效果差的技术问题。
微波光子探测器方法

[发明专利]基于可调布儒斯特角效应的光控太赫兹宽带波束调控器-CN202211641812.5在审
发明人：吴敬波;王兆松;陈本纹;蒋余顺;范克彬;张彩虹;金飚兵;陈健;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于可调布儒斯特角效应的光控太赫兹宽带波束调控器，包括器件部件和器件部件前的光学控制系统，所述器件部件包括石英衬底，生长在石英衬底上表面的二氧化钒薄膜，用于加热的铜板和所述的石英衬底与铜板间用于优化热接触的导热硅脂，所述光学控制系统包括用于产生泵浦激光驱动所述二氧化钒薄膜相变的泵浦激光器，用于会聚泵浦激光光束为准平行光束的会聚透镜和用于调制泵浦激光的可切换掩模。本发明还公开了一种制备上述基于可调布儒斯特角效应的光控太赫兹宽带波束调控器的方法以及基于上述基于可调布儒斯特角效应的光控太赫兹宽带波束调控器的光学控制方法。本发明的太赫兹波束调控器件具有工作频带宽、可重构的特点。
基于可调布儒斯特角效应光控赫兹宽带波束调控

[发明专利]一种基于深度学习的太赫兹图像优化方法-CN202211522224.X在审
发明人：张彩虹;张伟;冯龙呈;范克彬;吴敬波;金飚兵;陈健;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度学习的太赫兹图像优化方法，包括以下步骤：构建一个20层，包括3种不同类型网络层的神经网络；预处理太赫兹图像；输出预测图像，判定优化质量。本发明针对噪声较大情况下太赫兹成像系统成像图像质量低的问题，在太赫兹图像优化方面提供了解决方案。该方案可以利用深度学习，提升图像优化质量，提高图像优化效率。
一种基于深度学习赫兹图像优化方法

[发明专利]大面积MoSi超导微米线单光子探测器的激光直写制备方法-CN202110675450.0有效
发明人：贾小氢;杨舒超;鲍涵;徐韬;秦志;涂学凑;张蜡宝;赵清源;康琳;陈健;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积MoSi超导微米线单光子探测器的激光直写制备方法，将Si基片分别用丙酮、酒精和去离子水超声清洗；将清洗后的基片送入磁控溅射系统副室进行氩离子清洗；将离子铣后的基片送入主室，通过直流磁控溅射生长MoSi薄膜；在真空室中原位射频磁控溅射生长Nb5N6薄膜；绘制掩模版图形，并采用图形补偿的方法增加微米线拐角处的曝光面积；在样品表面旋涂S1805光刻胶，用激光直写光刻机进行光刻，然后放入正胶显影液显影30s，放入去离子水中定影1min，在光刻胶上形成微米线图案；用反应离子刻蚀的方式对做完激光直写的样品进行刻蚀，刻蚀后用丙酮超声1min除去残胶，从而形成微米线。本发明提高了大面积超导微米线单光子探测器的制备效率。
大面积 mosi 超导微米光子探测器激光制备方法

[发明专利]一种平面肖特基二极管太赫兹探测器芯片的制备方法-CN202310196281.1在审
发明人：涂学凑;王卧虎;叶子尧;吴强强;赵清源;张蜡宝;贾小氢;陈健;王华兵;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种平面肖特基二极管太赫兹探测器芯片的制备方法，对钝化层和外延层依次进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造欧姆接触，其中外延层刻蚀通过湿法刻蚀掉工艺实现；对钝化层进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造肖特基接触点，其中钝化层刻蚀通过干法湿法相结合的刻蚀工艺实现；制备肖特基二极管的金属微桥和电极，其中平面肖特基二极管阴极通过生长在缓冲层上的欧姆接触引出，平面肖特基二极管阳极通过与肖特基接触的空气微桥引出；对钝化层、外延层、缓冲层以及基片衬底进行刻蚀，使金属微桥和基片衬底分离形成空气桥结构。本发明提高了器件的性能和良率。
一种平面肖特基二极管赫兹探测器芯片制备方法

[发明专利]一种铌基探针型SQUID电磁传感器及制备方法和应用-CN202011326012.5有效
发明人：王华兵;齐在栋;徐祖雨;黎晓杰;吕阳阳;孙汉聪;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌基探针型SQUID电磁传感器及制备方法和应用，属于超导应用技术领域。本发明方法包括：使用石英针拉制器将外径1.0mm内径0.5mm的空心石英针拉伸至尖端直径约100nm；使用磁控溅射设备在针尖处生长50nm铌膜，将其表面完全包裹；使用电子束蒸发在石英针两侧生长两次铝膜作为掩膜，由于电子束蒸发设备属于点源溅射，其具有良好的各向异性，两次生长的铝膜不会互相接触短路，会在中间形成两条狭缝，再从顶端进行一次蒸镀，将顶端圆环处铌膜进行保护；使用反应离子刻蚀设备将未被铝膜保护的铌膜被去除，留下铌膜加铝膜的双层结构，即得所述铌基探针型SQUID电磁传感器，可用于检测高频电磁场。
一种探针 squid 电磁传感器制备方法应用

[发明专利]基于双节四分之一波长变换线的阻抗匹配约瑟夫森参量放大器-CN202210491629.5有效
发明人：孙国柱;左权;江俊良;张凯旋;许问渠;魏兴雨;郭婷婷;周天石;李子硕;王硕;盛怡凡;曹春海;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双节四分之一波长变换线的阻抗匹配约瑟夫森参量放大器，包括输入输出端口、阻抗匹配传输线、非线性LC谐振器和直流偏置线，其中阻抗匹配传输线由两段的四分之一波长传输线构成，采用共面波导传输线形式，共面波导中心导体宽度与缝隙宽度根据所需阻抗值进行调整。本发明有效降低了阻抗匹配部分结构设计复杂度，实现非线性谐振器与外部传输线的阻抗匹配，总的谐振频率在较大范围内连续可调，器件性能优异可靠。
基于四分之一波长变换阻抗匹配约瑟夫参量放大器

[发明专利]新型高灵敏度和无标记检测超微量样品的太赫兹传感器-CN202211547929.7在审
发明人：张彩虹;向星诚;范克彬;吴敬波;金飚兵;陈健;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01N21/3586 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高灵敏度的可用于无标记超微量传感的太赫兹传感器，包括周期的基础结构和构建在基础结构上的样品阱，所述周期基础结构的单元结构为金属线和两侧开口谐振环组成的类电磁感应透明结构，而样品阱是在双侧谐振环开口上层构建一对方阱结构用于放样。本发明还公开了一种制备所述新型太赫兹传感器的方法以及将所述新型太赫兹传感器用于超微量检测的方法。本发明通过在所述太赫兹传感器的样品阱内放置超微量生物样品，实现了对超微量生物样品的无标记高灵敏度检测。
新型灵敏度标记检测微量样品赫兹传感器

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