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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]量子信息处理器件的形成方法-CN201780094503.1有效
发明人： A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：提出了一种用于形成量子信息处理器件的至少部分的方法。该方法包括：在衬底(10)的主表面上提供由第一导电材料(100')形成的第一导电层；在第一导电材料上沉积电介质材料层；图案化电介质材料层，以形成电介质材料垫并暴露第一导电层的第一区域；在电介质材料垫上并且在第一导电层的第一区域上沉积第二导电层(104')；图案化第二导电层；以及使用各向同性气相蚀刻去除电介质材料垫。
量子信息处理器件形成方法

[发明专利]用于减少离子研磨损坏的覆盖层-CN201680090090.5有效
发明人： A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2016-09-15 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：一种制造允许电流流动的电接触结的方法，包括：提供包括第一层超导体材料的基板；从第一层的第一区域去除第一层的超导体材料的自然氧化物；形成与第一层的第一区域接触的覆盖层，其中，所述覆盖层防止在第一区域中重新形成超导体材料的自然氧化物；在形成覆盖层之后，形成第二层超导体材料，其电连接到第一层超导体材料的第一区域，以提供允许电流流动的电接触结。
用于减少离子研磨损坏覆盖层

[发明专利]防止光致抗蚀剂显影剂蚀刻的缓冲层-CN201680089255.7有效
发明人： A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种方法，包括：提供具有第一层和第二层的器件，所述第二层与所述第一层的表面接触，其中所述第二层包括第一超导体材料；在第二层上形成缓冲材料以形成蚀刻缓冲层，其中在暴露于光致抗蚀剂显影剂时缓冲材料相对于第二层的蚀刻速率选择性使得在缓冲层暴露于光致抗蚀剂显影剂期间不会蚀刻下面的第二层；沉积和去除抗蚀剂层的选定部分以露出蚀刻缓冲层的第一部分，其中去除抗蚀剂层的选定部分包括将光致抗蚀剂显影剂施加到抗蚀剂层的选定部分。
防止光致抗蚀剂显影剂蚀刻缓冲

[发明专利]用于量子位的参量放大器-CN202080068546.4在审
发明人： T.C.怀特;A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03F19/00 文献下载
摘要：公开了一种参量行波放大器(200)，其中放大器包括：共面波导，其中共面波导包括中断共面波导的中心迹线(204)的至少一个约瑟夫森结(210)；以及联接到共面波导的至少一个并联电容器，其中所述至少一个并联电容器中的每个并联电容器包括在共面波导的中心迹线的上表面上方延伸的对应超导体迹线(214)，并且其中间隙将超导体迹线与中心迹线的上表面分开，并且其中包括所述至少一个约瑟夫森结的共面波导和并联电容器为行波参量放大器建立预定义的总阻抗。
用于量子参量放大器

[发明专利]单线量子位控制-CN201980097372.1在审
发明人： J.S.凯利;A.E.梅格兰特;R.巴伦兹;C.尼尔;D.T.桑克;E.杰弗里;A.维森彻;P.克里莫夫;C.M.奎因塔纳 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：一种量子计算设备，包括：量子位；单个XYZ控制线，其中，量子位和单个控制线被配置和布置为使得在量子计算设备的操作期间，单个XYZ控制线允许XY量子位控制通量偏置在第一频率范围上以第一预定有效耦合强度从单个XYZ控制线耦合到量子位，并且允许Z量子位控制通量偏置在第二频率范围上以第二预定有效耦合强度从单个XYZ控制线耦合到量子位。
单线量子控制

[发明专利]全局通量偏置-CN202080036776.2在审
发明人： C.尼尔;A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：提出了一种方法，包括向多个超导量子位提供偏移磁通量偏置，以及使用分别耦合到每个量子位的多条控制线向多个量子位提供用于执行计算的相应控制磁通量偏置。量子位被配置为使得量子位的相应谐振频率由偏移磁通量偏置和相应控制磁通量偏置控制。量子位被布置为当量子位的相应谐振频率在操作动态范围内时执行计算。
全局通量偏置

[发明专利]具有降低的杂散电感的约瑟夫森结-CN201980010108.X在审
发明人： B.J.伯克特;O.纳曼;A.E.梅格兰特;T.C.怀特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：用于形成具有降低的杂散电感的约瑟夫森结的方法、系统和器件。在一个方面，一种器件包括：基板；在基板上的第一超导体层；在第一超导体层上的绝缘体层；在绝缘体层上的第二超导体层，其中第一超导体层、绝缘体层和第二超导体层形成超导体隧道结；以及第三超导体层，其直接在第一超导体层的表面上并且直接在第二超导体层的表面上，以分别将第一接触提供到超导隧道结以及将第二接触提供到超导体隧道结。
具有降低电感约瑟夫

[发明专利]用可调谐耦合器实现的双量子位门-CN201980039667.3在审
发明人： C.尼尔;A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：用于使用可调谐耦合器来实现双量子位门的方法、系统和装置。在一个方面，一种实现双量子位门的方法包括：将酉变换控制信号施加到布置在第一数据量子位和第二数据量子位之间的可调谐耦合器，以获得第一数据量子位和第二数据量子位的目标酉变换，其中，在预定时间段内将酉变换控制信号施加到可调谐耦合器，以允许第一数据量子位和第二数据量子位之间通过可调谐耦合器进行耦合。
调谐耦合器实现量子

[发明专利]使用多层堆叠制造器件-CN201780094508.4在审
发明人： A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：提出了一种制造器件的方法。该方法包括在具有主表面的衬底(10'、100')上形成多层堆叠(101'、102'、103')。该多层堆叠包括形成在衬底的主表面之上的支撑层(102')和形成在支撑层上的光致抗蚀剂层(103')；图案化该多层堆叠以形成至少一个开口使得光致抗蚀剂层被支撑层底切；以及各向异性地干蚀刻衬底。
使用多层堆叠制造器件

[发明专利]用于超导量子计算的混合动态电感器件-CN201780094866.5在审
发明人： T.C.怀特;A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：一种器件，包括：基板；在基板上的第一超导体层，第一超导体层具有第一动态电感；以及在第一超导体层上的第二超导体层，第二超导体层具有比第一动态电感低的第二动态电感，其中第二超导体层覆盖第一超导体层，使得除了其中省略了第二超导体层的至少第一区域之外，第二超导体层和第一超导体层具有相同的占用面积，使得第一超导体层和第二超导体层形成具有预定电路参数的电路元件。
用于超导量子计算混合动态电感器件

[发明专利]降低寄生电容并耦合到电感耦合器模式-CN201780085510.5在审
发明人： A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：一种量子比特耦合器件，包括：包括沟槽的电介质衬底；电介质衬底的表面上的第一超导体层，其中第一超导体层的边缘沿着第一方向延伸，并且超导体层的至少一部分与电介质衬底的表面接触，并且其中超导体层由在相应的临界温度或低于相应的临界温度下表现出超导体特性的超导体材料形成；电介质衬底内的沟槽的长度与第一超导体层的边缘邻近并在第一方向上沿着第一超导体层的边缘延伸，并且其中沟槽的电容率小于电介质衬底的电容率。
超导体层电介质衬电容率超导体材料电感耦合器边缘延伸导体特性方向延伸寄生电容耦合器件耦合到量子邻近表现

[发明专利]使用局部真空腔减少量子装置中的耗散和频率噪声-CN201680089260.8在审
发明人： A.E.梅格兰特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L39/04 文献下载
摘要：一种装置，包括：衬底，其包括超导体量子装置，所述超导体量子装置包括超导体材料，所述超导体材料在相应的临界温度或低于相应的临界温度下表现出超导特性；盖层，其结合到衬底上；以及盖层和衬底之间的密封腔。
量子装置衬底超导体超导体材料盖层超导特性局部真空频率噪声密封腔耗散表现

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