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[发明专利]谐振器、电子元器件和谐振系统-CN202310323859.5在审
发明人：孙丰沛;冯志宏;徐景辉;黄林海 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本申请公开了一种谐振器、电子元器件和谐振系统，属于微机电技术领域。所述谐振器包括第一子谐振器和多个第二子谐振器，所述第一子谐振器在振动中，在至少两个不平行的方向上具有形变，所述第一子谐振器在所述至少两个不平行方向上均连接有所述第二子谐振器，且所述至少两个不平行的方向上的形变均能使第一子谐振器和第二子谐振器耦合。进而，谐振器能兼顾Q值和Rm，能够具备较高的Q值和较低的Rm，另外，在设计阶段，还可以根据需求设计谐振器的TCF拐点温度，实现TCF拐点温度的定制化。
谐振器电子元器件谐振系统

[发明专利]谐振器和谐振系统-CN202310370697.0在审
发明人：冯志宏;孙丰沛;徐景辉;黄林海 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：一种谐振器和谐振系统，属于器件技术领域。该谐振器包括：压电谐振部、单晶谐振部和耦合部。压电谐振部包括：依次叠加的第一电极、压电层和第二电极。当第一电极和第二电极之间加载驱动信号时，压电谐振部能够在该驱动信号的作用下发生谐振。单晶谐振部的材质为单晶材质或掺杂后的单晶材质。压电谐振部与单晶谐振部能够谐振，且压电谐振部与单晶谐振部通过耦合部连接并耦合。由于压电谐振部和单晶谐振部能够通过耦合部耦合，因此，单晶谐振部位于压电谐振部的振动方向上。本申请解决了压电谐振器的性能较差的问题，本申请用于谐振器。
谐振器谐振系统

[发明专利]MEMS谐振器及制备方法-CN202311102526.6在审
发明人：雷永庆;朱雁青;李明;金怡;朱彩伟 -专利权人：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本申请涉及谐振器技术领域，公开了一种MEMS谐振器及制备方法，MEMS谐振器包括：设有测温谐振单元的上芯片、设有输频谐振单元的下芯片、设于上芯片和下芯片之间的键合层；上芯片和下芯片经键合层垂直扣合为一整体，且测温谐振单元与输频谐振单元面对面设置；硅通道包括用于驱动和感测测温谐振单元的外部环通道，以及设于外部环通道内且用于驱动和感测输频谐振单元的内部圆通道，内部圆通道穿过上芯片，经键合层与输频谐振单元连接。本申请提高了谐振器的温测准确性和温测灵敏度。
mems 谐振器制备方法

[发明专利]一种射频集成电路及射频前端装置-CN202210263282.9在审
发明人：彭波华;彭彦豪;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频集成电路，包括输入端、输出端、工作模块以及谐振器模块；输入端与工作模块连接，工作模块与谐振器模块连接，谐振器模块与输出端连接；谐振器模块包括至少一个并联式反串并单元，并联式反串并单元包括至少两路并联的支路；任一支路包括至少两个串联的体声波谐振器，相邻支路中相邻设置的体声波谐振器的压电薄膜电极性相反，使得由一个体声波谐振器产生的二次谐波抵消了另一个体声波谐振器的二次谐波发射。另外体声波谐振器的二次谐波发射，由于上述级联的结果，其能量密度也比较小，从而降低非线性的影响，使得射频集成电路具有较高的品质因子。本发明还提供了一种射频前端装置，同样具有上述有益效果。
一种射频集成电路前端装置

[发明专利]晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法-CN201811643124.6有效
发明人：秦晓珊 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法。通过在形成有控制电路的器件晶圆中形成下空腔以及在基板中形成上空腔，并利用键合工艺使器件晶圆和基板键合，以将压电谐振片夹持在器件晶圆和基板之间，从而实现晶体谐振器和控制电路的集成设置。并且，还可将半导体芯片进一步键合至同一器件晶圆的背面上，有利于进一步提高晶体谐振器的集成度，并实现片上调制晶体谐振器的参数。相比于传统的晶体谐振器，本发明中的晶体谐振器具备更小的尺寸，有利于降低晶体谐振器的功耗，以及本发明中的晶体谐振器也更易于与其他半导体元器件集成，从而能够提高器件的集成度。
晶体谐振器控制电路集成结构及其方法

[发明专利]一种具有高机电耦合系数的体声波谐振器-CN202310374350.3在审
发明人：吴晓彬;钟慧;刘湉隽;李天年;李世中 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本发明属于MEMS谐振器领域，具体涉及一种具有高机电耦合系数的体声波谐振器，包括支撑衬底、多个谐振单元周期性排列形成的栅结构；所述支撑衬底通过刻蚀形成空腔结构；所述栅结构悬置于空腔上方并与支撑衬底抵接，形成栅结构的每个谐振单元都由自下而上依次设置的底电极层、压电薄膜层和顶电极层组成，且谐振单元内顶电极层的横向尺寸标准化宽度dTE或底电极层的横向尺寸标准化宽度dBE≤压电层的横向尺寸标准化宽度dpz。通过多个谐振单元周期性排列形成的栅结构，配合谐振单元尺寸约束，实现了机电耦合系数的提升，拓宽了体声波谐振器的带宽。
一种具有机电耦合系数声波谐振器

[发明专利]一种基于氮化铝压电薄膜的双模谐振器及双通带滤波器-CN202310569824.X在审
发明人：赵继聪;马迅言;吕世涛;孙泽鑫;党岩盟;孙海燕 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种基于氮化铝压电薄膜的双模谐振器及双通带滤波器。本发明提供基于掺钪氮化铝(Al0.6Sc0.4N)双模谐振器分为第一区域和第二区域，模态1和模态2分别设置于第一区域和第二区域，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部叉指电极、配置于压电振动结构下表面的底部叉指电极，第一区域与第二区域间配置用于抑制不同模态间的相互干扰的声学隔绝槽。本发明申请的掺钪氮化铝压电薄膜谐振器，两个工作模态均具有相近且较高的品质因数和有效机电耦合系数，并具备无寄生模态的特点，能够在互不干扰的条件下实现对其两个模态的频率调节以构成双通带声学滤波器。
一种基于氮化压电薄膜双模谐振器双通带滤波器

[发明专利]一种面向5G的高选择性多阶IPD滤波器-CN202310421187.1在审
发明人：沈光煦;温毕敬;韩叶 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向5G的高选择性多阶IPD滤波器，涉及射频集成电路设计技术领域，包括第一至第N谐振器和两个馈电结构，两个馈电结构分别与第一谐振器、第N谐振器一一连接，N≥2，谐振器包括一个两端开路的电感和至少一个接地电容，接地电容加载在两端开路的电感的任意开路端；相邻的谐振器以第一耦合方式或第二耦合方式互连，这两种耦合方式交替出现；第一耦合方式为：相邻的谐振器的两个两端开路的电感感性互耦，第二耦合方式为：相邻的谐振器的两个两端开路的电感的开路端容性互耦。谐振器还可以包括加载电容结构，加载电容结构的两端分别与电感的两个开路端电连接。本发明具有宽带高选择性，能够提高器件性能的同时减小滤波器的尺寸。
一种面向选择性 ipd 滤波器

[发明专利]高频滤波器、多路复用器、高频前置电路以及通信装置-CN201810795737.5有效
发明人：加藤雅则;木户俊介;岩永穰;松原裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：提供能够实现通带内的插入损耗的降低，并实现阻带的宽频带化的高频滤波器。连接在输入输出端子(91)与输入输出端子(92)之间的高频滤波器(1)具备串联臂谐振子(S11)以及(S12)及并联臂谐振子(P11)以及(P12)、以及构成LC谐振电路(11)的电感器(L11)，通过串联臂谐振子(S11)以及(S12)及并联臂谐振子(P11)以及(P12)的谐振频率或者反谐振频率构成的第一衰减极点的频率、以及通过LC谐振电路(11)的谐振频率构成的第二衰减极点的频率包含于高频滤波器(1)的一个阻带，第一衰减极点的频率与第二衰减极点的频率相比位于高频滤波器(1)的通带的附近。
高频滤波器多路复用前置电路以及通信装置

[实用新型]一种采用多振子耦合的微机械谐振器-CN202223417046.2有效
发明人：郭中洋 -专利权人：安徽芯动联科微系统股份有限公司;北京芯动致远微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本实用新型公开一种采用多振子耦合的微机械谐振器，包括至少一组振子、每组振子对应四组驱动/检测电极、一组耦合梁、一组支撑梁和一个锚点，振子、驱动/检测电极、耦合梁、支撑梁和锚点相对于谐振器中心对称分布，振子与耦合梁相连，耦合梁与支撑梁相连，支撑梁与锚点相连，驱动/检测电极位于振子上面、振子内部和/或振子外部。本实用新型的微机械谐振器采用多个振子，且各振子之间相互耦合，可以利用其中一个或多个振子进行驱动，剩余的振子进行检测，实现驱动电极和检测电极在空间上隔离，降低驱动信号到检测端的耦合；采用驱动振子和检测振子分开，便于使用差分的方式对振子进行驱动或检测，提高谐振器抗干扰能力。
一种采用多振子耦合微机谐振器

[发明专利]滤波装置及其形成方法-CN202310070345.3有效
发明人：杨新宇;邹雅丽;汤正杰 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：一种滤波装置及其形成方法，涉及半导体技术领域，滤波装置包括：第一衬底；基于所述第一衬底形成的若干第一谐振器；第二衬底，基于第二衬底形成的若干第二谐振器和若干第三谐振器，所述第三谐振器与所述第二谐振器的类型相同；所述第一滤波器包括若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器，所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同，所述第二滤波器包括若干所述第三谐振器；位于所述第二衬底上的天线端口，所述天线端口分别电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器。所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同，能够在不牺牲第一滤波器插入损耗的情况下，有效降低二阶谐波效应。
滤波装置及其形成方法

[发明专利]一种正交滤波装置-CN201910716635.4有效
发明人：杨涛;赖俊辰;徐锐敏;张希琳;龙羽 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种正交滤波方法以及正交滤波装置，所述方法包括：输入信号至所述第一SIW谐振器；将所述第一SIW谐振器与第三SIW谐振器之间、所述第二SIW谐振器与第四SIW谐振器之间的变容电路的电容值调整为预设电容值，使所述第一SIW谐振器与第三SIW谐振器、所述第二SIW谐振器与第四SIW谐振器电容耦合；从所述第三SIW谐振器和第四SIW谐振器输出信号。在需要获取到正交的两个信号时，可以直接获取到正交的两个信号，以使滤波总过程方便、快捷，避免额外的信号滤波处理的成本。
一种正交滤波装置

[发明专利]体声波谐振器组、制备方法及体声波滤波器、通信器件-CN202210387327.3有效
发明人：丁焱昆;陈小军;赖志国;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种体声波谐振器组、制备方法及体声波滤波器、通信器件。该体声波谐振器组包括：若干体声波谐振器，体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极的叠层结构；体声波谐振器位于衬底的表面，且体声波谐振器和衬底围成空腔结构；若干体声波谐振器在竖直方向堆叠，外层体声波谐振器和衬底围成的空腔结构中设置有至少一个内层体声波谐振器。本发明实施例提供的技术方案，减小了体声波谐振器组的尺寸，增加了体声波谐振器组的品质因数。
声波谐振器制备方法滤波器通信器件

[发明专利]一种采用多振子耦合的微机械谐振器-CN202211640819.5在审
发明人：郭中洋 -专利权人：安徽芯动联科微系统股份有限公司;北京芯动致远微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本发明公开一种采用多振子耦合的微机械谐振器，包括至少一组振子、每组振子对应四组驱动/检测电极、一组耦合梁、一组支撑梁和一个锚点，振子、驱动/检测电极、耦合梁、支撑梁和锚点相对于谐振器中心对称分布，振子与耦合梁相连，耦合梁与支撑梁相连，支撑梁与锚点相连，振子、耦合梁、支撑梁、锚点共同组成框架结构，驱动/检测电极位于振子上面、振子内部和/或振子外部。本发明采用多个振子，且各振子之间相互耦合，可以利用其中一个或多个振子进行驱动，剩余的振子进行检测，实现驱动电极和检测电极在空间上隔离，降低驱动信号到检测端的耦合；采用驱动振子和检测振子分开，便于使用差分的方式对振子进行驱动或检测，提高谐振器抗干扰能力。
一种采用多振子耦合微机谐振器

[发明专利]一种滤波器、通信设备及其制造方法-CN202210855441.4有效
发明人：王友良;魏涛;杨清华 -专利权人：苏州臻芯微电子有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本公开涉及一种滤波器、通信设备及其制造方法，以谐振频率最高的谐振器的上或下电极厚度作为基准电极厚度，其它谐振器在基准电极厚度的基础上具有不同厚度的质量负载结构，以最厚的质量负载结构厚度作为基准厚度；包括：形成与所述谐振器对应的声波反射区域；在其上形成压电层；在所述压电层上或下形成所述谐振器的功能复合层；所述功能复合层至少包括一上或下电极及设置在其上方的框架结构，所述框架结构包括凸起结构和凹陷结构；所述功能复合层的工序包括：形成一导电材料层，所述导电材料层的厚度为凸起结构厚度以及质量负载结构基准厚度和上或下电极基准厚度的总和，以所述导电材料层的上表面为起始面，向下图形化以形成所述功能复合层。
一种滤波器通信设备及其制造方法

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