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[实用新型]长波长半导体基片及激光器芯片-CN202321298955.0有效
发明人：李景虎;薛贤铨;张兴宝;郑维银;田永猛 -专利权人： 成都亿芯源半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请提出了一种长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片。其中，长波长半导体基片包括衬底和生长在衬底上的增益区；其中，增益区包括至少三个InGaAsP增益层，每个InGaAsP增益层包括上波导层、两层应变量子阱、量子垒和下波导层，相邻的两个InGaAsP增益层之间通过InP间隔层分隔。长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片能够对出光模场进行调控，实现芯片的低发散角和高的单模光纤耦合效率，从而提高长波长半导体激光器芯片的出光功率。
波长半导体激光器芯片

[发明专利]高线性激光器芯片及其制备方法-CN202310612843.6在审
发明人：李景虎;薛贤铨;张兴宝;郑维银;田永猛 -专利权人： 成都亿芯源半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请提出了一种长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片。其中，长波长半导体基片包括衬底和生长在衬底上的增益区；其中，增益区包括至少三个InGaAsP增益层，每个InGaAsP增益层包括上波导层、两层应变量子阱、量子垒和下波导层，相邻的两个InGaAsP增益层之间通过InP间隔层分隔。长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片能够对出光模场进行调控，实现芯片的低发散角和高的单模光纤耦合效率，从而提高长波长半导体激光器芯片的出光功率。
线性激光器芯片及其制备方法

[发明专利]基于EPON搭配EML的10G速率OLT端收发一体芯片-CN202210577081.6有效
发明人：李景虎;范樟;林安 -专利权人： 成都亿芯源半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：基于EPON搭配EML的10G速率OLT端收发一体芯片，属于集成电路和光通信领域，本发明为解决现有基于EPON标准的OLT终端虽然成本低，但速率也低的问题。本发明包括突发模式接收机RX、连续模式发射机TX、数字控制单元Digital和电源模块POWER；突发模式接收机RX对每个OUN客户端传来的光信号经过突发跨阻放大器TIA放大成电信号，RX设置不同速率的两个通道，两个通道择一工作，所述电信号从工作的通道中输出；连续模式发射机TX接收PCB板衰减输出的电信号，根据衰减程度选择旁路ByPass路径传输，或经过时钟数据恢复CDR路径提高信号质量后输出，用于驱动EML激光器；数字控制单元Digital根据外部指令控制连续模式发射机TX的路径选择；主机通过芯片引脚RS控制突发模式RX的通道选择。
基于 epon 搭配 eml 10 速率 olt 收发一体芯片

[发明专利]基于XGSPON搭配DFB激光器的10G速率OLT端收发一体芯片-CN202210576014.2有效
发明人：林安;李景虎;范樟 -专利权人： 成都亿芯源半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：基于XGSPON搭配DFB激光器的10G速率OLT端收发一体芯片，属于集成电路和光通信领域，本发明为解决现有基于GPON标准的OLT终端速率低的问题。本发明方案：突发模式接收机RX对每个OUN客户端的传来的光信号经过突发跨阻放大器TIA放大成电信号，并对所述电信号进行幅度检测，将幅度符合阈值要求的信号输出给主机，并配置快速恢复模块以泄放交流耦合电容内的电荷实现多包传输互不干扰，进而满足XGSPON协议时序的要求；连续模式发射机TX接收PCB板衰减输出的电信号，根据衰减程度选择旁路ByPass路径传输，或经过时钟数据恢复CDR路径提高信号质量后输出来驱动DFB激光器；数字控制单元Digital与主机通讯，及给突发模式RX和连续模式发射机TX提供控制信号。
基于 xgspon 搭配 dfb 激光器 10 速率 olt 收发一体芯片

[发明专利]基于XGPON搭配DFB激光器的10G速率OLT端收发一体芯片-CN202210575982.1有效
发明人：李景虎;林安;范樟 -专利权人： 成都亿芯源半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：基于XGPON搭配DFB激光器的10G速率OLT端收发一体芯片，属于集成电路和光通信领域，本发明为解决现有基于GPON标准的OLT终端速率低的问题。本发明包括突发模式接收机RX、连续模式发射机TX和数字控制单元Digital；突发模式接收机RX对每个OUN客户端传来的光信号经过突发TIA放大成电信号，并对所述电信号进行幅度和频率双检测，将幅度和波形脉宽符合阈值要求的信号输出给主机，并利用快速恢复模块控制满足XGPON协议的时序；连续模式发射机TX接收PCB板衰减输出的电信号，根据衰减程度选择旁路ByPass路径传输，或经过时钟数据恢复CDR路径提高信号质量后输出；数字控制单元Digital用于给突发模式RX和连续模式发射机TX提供控制信号。
基于 xgpon 搭配 dfb 激光器 10 速率 olt 收发一体芯片

[发明专利]一种能降低EML激光器驱动芯片整体功耗和成本的电源配置方案-CN202210270886.6有效
发明人：范樟;李景虎;林安;涂航辉 -专利权人： 成都亿芯源半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：一种能降低EML激光器驱动芯片整体功耗和成本的电源配置方案，属于光通信集成电路领域，本发明为解决现有EML激光器驱动芯片的电源配置方案不能平衡成本和功耗问题。本发明将DC/DC模块、电阻R3和电阻R4设置在EML激光器驱动芯片内部；DC/DC模块的输出端VOUT同时连接电阻R3的一端、EML激光器驱动芯片引脚CAP和1.8V直流电源；电阻R3的另一端同时连接电阻R4的一端和DC/DC模块的反馈信号端FB；DC/DC模块的开关输入端口SW通过EML激光器驱动芯片引脚SW连接电感L1一端；DC/DC模块的电源电压端口VCC通过EML激光器驱动芯片引脚VCC同时连接EML激光器驱动芯片引脚EN、电容C2的一端、电感L1的另一端和3.3V直流电源的正极；3.3V直流电源的负极接地；电容C2的另一端接地；使能端口EN连接芯片引脚EN。
一种降低 eml 激光器驱动芯片整体功耗成本电源配置方案

[发明专利]基于EPON的双通道OLT端收发一体芯片-CN202210224061.0在审
发明人：范樟;李景虎;林安;涂航辉;黄凌;郑维银 -专利权人： 成都亿芯源半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：基于EPON的双通道OLT端收发一体芯片，属于集成电路和光通信领域，本发明为解决基于EPON标准的OLT终端虽然成本低，但速率也低的问题。本发明包括突发模式接收机RX、连续模式发射机TX和数字控制单元Digital；突发模式接收机RX设置不同速率的两个通道，两个通道择一工作；突发模式接收机RX接收OUN客户端不同幅值电信号，通过其中一个通道输出；连续模式发射机TX接收PCB板衰减输出的电信号，根据衰减程度选择旁路ByPass路径传输，或经过时钟数据恢复CDR路径提高信号质量后输出；数字控制单元Digital根据外部指令控制突发模式RX的通道选择，和控制连续模式发射机TX的路径选择。
基于 epon 双通道 olt 收发一体芯片

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