专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果34个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]柔性显示装置及其制造方法-CN201910910209.4有效
  • 郑载勳;金明焕;金志涓;朴翼衡;朴商一 - 三星显示有限公司
  • 2019-09-25 - 2023-05-30 - G09F9/30
  • 提供了一种柔性显示装置及其制造方法。根据实施例的柔性显示装置包括:显示构件;窗构件,位于显示构件上并且具有面对显示构件的后表面和定位为与后表面相对的顶表面;薄膜层,包括基体层和多个颗粒,基体层具有接触后表面的第一表面以及定位为与第一表面相对的第二表面,多个颗粒结合到第二表面;保护构件,与窗构件间隔开,显示构件位于保护构件与窗构件之间;第一粘合构件,被构造为将薄膜层结合到显示构件;以及第二粘合构件,被构造为将显示构件结合到保护构件。每个颗粒从基体层的第二表面向保护构件突出。
  • 柔性显示装置及其制造方法
  • [发明专利]包含微型结构体的墨的制造方法-CN202180046450.2在审
  • 姜锺赫;任铉德;郑载勳;赵显敏 - 三星显示有限公司
  • 2021-06-04 - 2023-03-28 - C09D11/00
  • 本发明提供了包含微型结构体的墨的制造方法。包含微型结构体的墨的制造方法包括:准备形成有多个微型结构体的基板的步骤,所述多个微型结构体包括至少一个正常微型结构体和至少一个不良微型结构体;在所述基板上划分不良区域的步骤,所述不良区域包括所述不良微型结构体所定位的区域;将定位在所述不良区域的微型结构体进行结合从而形成元件结构物的步骤;从所述基板分离所述多个微型结构体的步骤;以及分离所述正常微型结构体和所述元件结构物的步骤。
  • 包含微型结构制造方法
  • [发明专利]计算装置及其操作方法-CN202080056201.7在审
  • 宋周善;郑载勳;郑智勳;蔡昌铉;权宰郁;丁锡载;崔永镐;咸喆熙 - 三星电子株式会社
  • 2020-10-23 - 2022-03-18 - G06F3/06
  • 提供了一种计算装置及其操作方法。该计算装置包括存储器和处理器,处理器配置为:根据第一压缩方法对存储在存储器中的数据对象执行第一压缩,将所得的第一压缩数据对象存储在交换数据存储区域中,并回收存储器中的存储了第一压缩数据对象的部分;在第一管理表中登记与第一压缩数据对象有关的信息;基于处理器的使用率,从第一管理表中获得与第一压缩数据对象有关的信息;以及根据第二压缩方法对第一压缩数据对象执行第二压缩,将所得的第二压缩数据对象存储在交换数据存储区域中,并回收交换数据存储区域中的存储了第一压缩数据对象的部分。
  • 计算装置及其操作方法
  • [发明专利]等离子处理装置-CN201610528285.5有效
  • 尹泳植;郑载勳;尹大镐;曺宗焕 - 三星显示有限公司
  • 2016-07-06 - 2022-01-11 - H01L21/67
  • 发明构思的示例性实施方式提供了一种等离子处理装置,所述等离子处理装置具有基底支撑单元、等离子单元、第一旋转驱动单元以及气体供应部分。基底支撑单元支撑基底。等离子单元生成等离子并将等离子提供至基底。第一旋转驱动单元联接至等离子单元以相对于基底支撑单元旋转等离子单元。气体供应部分将源气体供应至等离子单元。等离子单元包括本体、位于本体中的第一电极、位于本体中并面对第一电极的第二电极,以及位于第一电极与第二电极之间以在其中流过源气体的管路。
  • 等离子处理装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202110748426.5在审
  • 林秀焕;郑载勳;金尚勳;金泰勳;李性灿 - 三星电子株式会社
  • 2021-07-02 - 2022-01-04 - H01L27/1157
  • 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:栅电极和绝缘层,在基底上彼此间隔开,并且在与基底的上表面垂直的方向上交替地堆叠;以及沟道结构,延伸穿过堆叠结构。沟道结构中的一些沟道结构包括沟道绝缘层、位于沟道绝缘层上的垫层以及沟道层。沟道层包括第一沟道区和第二沟道区,第二沟道区具有比第一沟道区的长度短的长度并且包括具有第一导电类型的杂质的半导体材料,并且垫层包括掺杂有第二导电类型杂质的半导体材料。第二沟道区的下表面的高度水平等于或低于第一擦除栅电极的下表面的高度水平。
  • 半导体装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top