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[发明专利]存储器宏及电路布局产生方法-CN200610160476.7有效
发明人：邹宗成;李政宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器宏及电路布局产生方法。其中该电路布局产生方法，适用于使用存储器编译器产生电路布局，包括：产生第一组单元，设置于该电路布局的第一区域；以及产生第二组单元，设置于该第一区域的边缘，该第二组单元为可操作的且与该第一组单元具有不同的物理尺寸，由此强化依据此电路布局所制造出的装置。该存储器宏，包括第一组单元，设置于存储模块的第一区域，以及第二组单元，设置于第一区域的边缘，第二组单元为可操作的且与第一组单元具有不同的物理尺寸，由此改善位于存储模块的边缘单元的坚固性。本发明可以改善电子装置的性能及合格率。
存储器电路布局产生方法

[发明专利]电容器组的结构以及降低电容器之间的电容变异量的方法-CN200610106165.2有效
发明人：梁其翔;杨健国;曾华洲;柯钧耀;范政文;蒋裕和;曾志裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-07-20 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种电容器组的结构，包括位于基板上同一位置的至少二电容器，此二电容器为第一电容器与第二电容器。其中，第一电容器包括彼此并联的多个第一电容单元，第二电容器包括彼此并联的多个第二电容单元，且第一电容单元与第二电容单元交错排列成一阵列。
电容器结构以及降低之间电容变异方法

[发明专利]半导体结构和制造电阻器的方法-CN200710108814.7有效
发明人：库纳尔·威地;埃尼尔·K.·奇恩萨肯迪;约翰·E.·弗洛克;埃比尼泽·E.·埃尚;道格拉斯·D.·库尔鲍;罗伯特·M.·拉塞尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体结构和制造电阻器的方法。本发明提供的一种含多晶硅电阻器包括：(1)从硼和氟化硼中选出的一种p型掺杂剂；以及(2)从砷和磷中选出的一种n型掺杂剂。每一个所述p型掺杂剂和n型掺杂剂的掺杂剂浓度从每立方厘米大约1e18到大约1e21个掺杂剂原子。本发明的一种用于形成所述多晶硅电阻器的方法使用从每平方厘米大约1e14到大约1e16个掺杂剂离子的相应的注入剂量。可以同时或顺序提供所述p型掺杂剂和n型掺杂剂。对于具有大约100到大约5000欧姆每平方的表面电阻的多晶硅电阻器，所述方法提供了具有小于大约1.5％的表面电阻百分数标准差的特定多晶硅电阻器。
半导体结构制造电阻器方法

[发明专利]电子器件阵列-CN200580047427.6有效
发明人：保罗·A·凯恩 -专利权人：造型逻辑有限公司
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种制造电子器件阵列的方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电子器件的一个或多个第一导电元件以及在上述衬底上形成第二电子器件的一个或多个第二导电元件；在衬底和第一及第二导电元件上形成沟道材料层以提供第一沟道，用于上述第一电子器件的导电元件之间的电荷载流子运动，以及提供第二沟道用于上述第二电子器件的导电元件之间的电荷载流子运动；其中该方法还包括利用照射技术以在单个步骤中减少在第一和第二导电元件之间的一个或多个区域中的沟道材料层的一个或多个选定部分的导电性的步骤(a)。
电子器件阵列

[发明专利]电容阵列、电容与电容阵列布局方法-CN200710107732.0有效
发明人：陈弘易 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电容阵列，其包括多个单位电容，每一单位电容具有第一与第二电极板，第一电极板通过第一绕线共同相接，第二电极板则分群并通过第二绕线连接至多个节点，连接至不同节点的第二绕线在电容阵列内彼此没有重叠，连接至同一节点的第二电极板聚集(conglomerate)为一群组且在该群组内并无连接至其它节点的第二电极板。此电容阵列布局可使电容阵列中由绕线产生的寄生电容最小化，使得电容阵列内的各次电容之间的二进制加权的比例关系维持得较为精准，此电容阵列排列也能使系统性或随机性的匹配失衡最小化。
电容阵列布局方法

[发明专利]提高平板电容容量的电容结构-CN200610028450.7无效
发明人：周雷萍;王勤;岩垂史 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高平板电容容量的电容结构，包括：第一极板、第二极板和第一绝缘层，所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开，且所述第一绝缘层位于第一极板上，所述第二极板位于第一绝缘层上，它还包括：设置在第二极板上的第二绝缘层；设置在第二绝缘层上的第三极板。本发明的提高平板电容容量的电容结构能在原有PIP结构基础上将有效电容增加约一倍。
提高平板电容容量结构

[发明专利]铁电体电容器、铁电体电容器的制造方法、铁电体存储器-CN200710106713.6有效
发明人：木岛健 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可靠性良好的铁电体电容器及其制造方法。铁电体电容器(1OO)包括：基板(20)；形成于所述基板(20)的上方的第一电极(22)；形成于所述第一电极(22)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)O₃表示的复合氧化物构成的第一铁电体层(24)；形成于所述第一铁电体层(24)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)_1－XNb_XO₃表示的复合氧化物构成的第二铁电体层(26)；以及形成于所述第二铁电体层(26)上方的第二电极(30)。
铁电体电容器制造方法存储器

[发明专利]半导体器件-CN200610107557.0有效
发明人：木村肇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-08-09 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件。要解决的问题是当制造具有单极TFT的电路时，由于TFT的阈值输出幅值衰减的问题。在电容器(105)中，存储了等于TFT(104)阈值的电荷。当输入信号时，存储在电容器(105)中的阈值加入到输入信号的电位。如此得到的电位施加到TFT(101)的栅电极。因此，可以从输出端(Out)得到具有正常幅值的输出，同时不会在TFT(101)中引起幅值衰减。
半导体器件

[发明专利]共享参考输入的信号耦合电路及方法-CN200610083019.2有效
发明人：陈建宏 -专利权人：晨星半导体股份有限公司
申请日： 2006-05-25 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种信号耦合电路及方法，用来将模拟输入信号耦合至一处理电路，该信号耦合电路包含有多个第一耦合单元以及一第二耦合单元。该多个第一耦合单元耦接于该处理电路的一第一输入端，分别用来接收不同的输入信号。该第二耦合单元耦接于该处理电路的一第二输入端，用来接收一共享参考信号，其中该处理电路参考该共享参考信号来处理该输入信号的部分或全部。
共享参考输入信号耦合电路方法

[实用新型]一种集成电路制造中提高对准精度的测试结构-CN200620042880.X无效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2006-06-19 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成电路制造中提高对准精度的测试结构，内外对准结构为正多边形。其有益效果是不仅支持半导体工艺中普遍采用的X轴、Y轴两维测试，更能够满足先进的对角线布局设计的需求，测试对角倾斜方向的套准表现，大大减少了数据处理运算时间并提高了相应的精度，且多边边界分离的设计结构提高了图形对比度。
一种集成电路制造提高对准精度测试结构

[发明专利]具有在有机基上的像素的电子组件-CN200580043322.3有效
发明人： J·弗斯特;D·亨塞勒;H·克劳斯曼 -专利权人：西门子公司
申请日： 2005-12-05 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在有机基上的电子组件，特别是像素串扰降低了的电子组件。串扰的避免是通过设置栅格电极实现的。
具有有机像素电子组件

[发明专利]半导体器件及形成该半导体器件的方法-CN200710102309.1有效
发明人：杰弗里·P.·冈比诺;阮山文 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种半导体器件和形成该器件的方法。该半导体器件包括在第一导电元件上面形成的导电纳米管，使得在导电纳米管的底侧与第一导电元件的顶侧之间存在第一间隙。在该导电纳米管上面形成第二绝缘层。在该导电纳米管的顶侧与第二绝缘层的第一部分之间存在第二间隙。第一通路开口和第二通路开口延伸穿过该第二绝缘层，并进入第二间隙。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的版图设计方法-CN200710102009.3无效
发明人：嶋田纯一;木村文浩;松村阳一;大桥贵子;岩内宣之;藤野健哉;荒木章之;桥本幸治;安井卓也;田口浩文 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有天线保护元件的半导体装置，相比现有技术可以更适于设计制造。构成与栅极(10)连接的配线(11、12、13)的配线层(M1～M3)中，各配线被设置为不覆盖天线保护元件(17)的活性区域上方。另一方面，其上层的配线层(M4)中设置的配线(18)，被设置为至少部分覆盖天线保护元件(17)的活性区域上方。
半导体装置版图设计方法

[发明专利]电感器结构-CN200610075379.8有效
发明人：许村来;陈瑞芳;欧俊宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电感器结构，包括一衬底；多个隔离层，位于衬底上；一第一螺旋状导电性线圈，位于隔离层中，形成具有一第一方向的磁场的电感；及一第二螺旋状导电性线圈，位于隔离层中，形成具有一第二方向的磁场的电感。其是将二个或二个以上独立电感设置于同一立体空间中，具有良好的密集度。
电感器结构

[实用新型]一种深亚微米级金属－绝缘体－金属结构电容器-CN200620120149.4无效
发明人：王政烈;陈威志;陈立轩 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种深亚微米级金属－绝缘体－金属结构电容器，在其下方有导通孔条，下电板金属层、绝缘体层和上电板金属层向下凹成三维的金属－绝缘体－金属结构。与传统的二维金属－绝缘体－金属结构电容器相比，本实用新型的三维金属－绝缘体－金属结构电容器增加了电容的有效面积，进而增大了电容。
一种微米金属绝缘体金属结构电容器