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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201010135849.1有效
发明人：内田慎一;富留宫正之;榊原宽;岩垂史;佐藤启之;江口真;泷雅人;森下英俊;加藤孝三;森本淳 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;丰田自动车株式会社
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。第一半导体芯片包括第一电感器和第二电感器，并且第二半导体芯片包括第三电感器和第四电感器。第一电感器连接至第一半导体芯片的第一接收电路，而第二电感器通过第一接合线连接至第二半导体芯片的第二传送电路。第三电感器连接至第二半导体芯片的第二接收电路，而第四电感器通过第二接合线连接至第一半导体芯片的第一传送电路。
半导体器件

[发明专利]形成源漏底部绝缘隔离的方法-CN200610116470.X无效
发明人：王勤;岩垂史 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-09-25 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成源漏底部绝缘隔离的方法，依次包括：浅沟道绝缘形成、栅极绝缘氧化层形成和栅极多晶硅沉积及图形化刻蚀、源漏延伸区自对准注入、侧墙及外延源漏形成、高介电常数介质及金属栅形成，还包括：在栅极刻蚀后，源漏延伸区注入前，进行氧自对准注入，形成源漏区底部的绝缘隔离层。本发明的形成源漏底部绝缘隔离的方法既能有效削弱短沟道效应，又可阻止源/漏极与阱区的漏电，降低源/漏极的PN结电容，且扩大工艺窗口，进一步提高晶体管的性能。
形成底部绝缘隔离方法

[发明专利]用于形成局域金属硅化物的工艺方法-CN200610028853.1无效
发明人：张斌;章宇翔;岩垂史 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-07-12 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于形成局域金属硅化物的工艺方法，其包含如下步骤：在一半导体硅片表面采用传统的工艺方法形成浅沟槽隔离，多晶硅栅极，侧墙及源/漏极等结构后，淀积二氧化硅膜层，介质膜层，以及光刻胶涂覆；形成光刻胶图形以及干法刻蚀去除介质膜层；去胶；湿法腐蚀去除未经介质膜层保护的二氧化硅膜层；溅射金属层以及热处理；湿法去除残留金属和介质膜。由于新工艺回避了现有工艺中形成光刻胶图形后需将光刻胶与预先淀积的二氧化硅层进入酸槽进行湿法腐蚀的步序，从而有效避免了现有工艺下部分光刻胶尤其是深紫外及其以下光刻胶在酸槽中容易产生剥胶的现象，提高了转移光刻图形的精确性和可靠性。
用于形成局域金属硅工艺方法

[发明专利]提高平板电容容量的电容结构-CN200610028450.7无效
发明人：周雷萍;王勤;岩垂史 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高平板电容容量的电容结构，包括：第一极板、第二极板和第一绝缘层，所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开，且所述第一绝缘层位于第一极板上，所述第二极板位于第一绝缘层上，它还包括：设置在第二极板上的第二绝缘层；设置在第二绝缘层上的第三极板。本发明的提高平板电容容量的电容结构能在原有PIP结构基础上将有效电容增加约一倍。
提高平板电容容量结构

[发明专利]实现STI的工艺方法-CN200510111179.9无效
发明人：章宇翔;岩垂史 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现STI的工艺方法，采用现有的STI工艺，至少包括以下步骤，浅沟道刻蚀、高密度等离子体膜淀积、CMP研磨；其中，在高密度等离子体膜淀积之后，追加成长一层平坦化的膜层，然后再进行热处理，进行热处理后再实施CMP研磨。本发明可改进浅沟槽绝缘结构面内均一性，而且操作简单、成本低。
实现 sti 工艺方法

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