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[实用新型]一种用于瞬态抑制二极管的固定基座-CN202121354512.X有效
发明人：马晓 -专利权人：无锡擎航芯科技有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于瞬态抑制二极管的固定基座，包括底座，所述底座顶部外壁开设有开口，且开口的内壁均滑动连接有调节机构，所述底座的一侧外壁通过轴承连接有手轮，所述底座的两侧内壁通过轴承连接有同一个丝杠，且丝杠的一端连接在手轮上，所述丝杠的外壁均螺接有螺纹套，所述底座的两侧内壁固定连接有同一个安装杆，且安装杆的外壁滑动连接有两个滑套，两个所述滑套分别连接在两个螺纹套上。本实用新型通过在底座上设置两个可调节的调节机构，通过调节机构便于对二极管进行固定，同时调节两个调节机构之间的间距，进而便于对不同型号和规格的二极管进行固定安装，解决了现有基座只能固定一类二极管的问题。
一种用于瞬态抑制二极管固定基座

[发明专利]电子部件模块及氮化硅电路基板-CN202080030914.6在审
发明人：山县利贵;寺野克典 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：电子部件模块，其具备：氮化硅电路基板；电子部件，其搭载于前述氮化硅电路基板；和密封树脂部，其密封前述氮化硅电路基板的全部或一部分、以及前述电子部件，在将前述散热器的线膨胀系数设为αH(/℃)、将前述散热器的杨氏模量设为EH(GPa)、将前述密封树脂部的线膨胀系数设为αR(/℃)、将前述密封树脂部的杨氏模量设为ER(GPa)时，由特定的式(1)算出的S1为‑0.38(GPa)以上‑0.23(GPa)以下，由特定的式(2)算出的S2为‑0.028(GPa)以上0.019(GPa)以下。
电子部件模块氮化路基

[实用新型]一种电子芯片安装座-CN202120843739.4有效
发明人：陆嘉琪 -专利权人：全鼎电子（苏州）有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子芯片安装座，涉及电子芯片技术领域，包括安装座主体，所述安装座主体的下表面上固定连接有保护装置，所述保护装置的下表面上固定连接有固定装置，所述安装座主体包括固定槽，所述固定槽的内部设置有柔性限制装置。本实用新型通过采用安装座外壳和固定槽的配合，利用柔性限制装置和保护材料进行有保护的固定，配合气囊对柔性限制装置进行缓冲保护，减小对柔性限制装置和固定槽外壳的损耗，延长使用寿命，采用抗挤压层对柔性限制装置外壳进行有效的保护，配合抗挤压条对气垫进行保护，减小了对柔性限制装置外壳和电子芯片的损坏，减少大面积电子芯片工作失灵的情况，减少了不必要的生产成本的支出。
一种电子芯片安装

[发明专利]一种设置有台阶腔体的芯片堆叠封装结构及其制作方法-CN202111016979.8在审
发明人：杨欢;刘卫东;马晓建;张兵;张红兵;高瑞锋;苏亚兰 -专利权人：华天科技（南京）有限公司;华天科技（西安）有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种设置有台阶腔体的芯片堆叠封装结构及其制作方法，该封装结构包括底层板，在底层板上设置有上层板，底层板和上层板同属于基板，在底层板和上层板上设置有金属线路，作为传递信号，实现电连接的载体，在金属线路上焊接芯片，使得芯片之间能够通过金属线路实现信号的传递。本发明的改进之处是通过台阶结构的载板设计方法可以不通过WB工艺对芯片进行堆叠，通过内部线路可有效降低电性损耗，同时芯片贴装在载板腔体内，可以降低封装体厚度。
一种设置台阶芯片堆叠封装结构及其制作方法

[发明专利]陶瓷电路基板以及电子部件模块-CN202080030507.5在审
发明人：中原史博;青野良太;矢野清治 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明的陶瓷电路基板具备：氮化硅基板；铜散热板，其设置于氮化硅基板的一面；和铜电路板，其设置于氮化硅基板的另一面，其中，所述陶瓷电路基板具备银镀层，其设置于铜电路板的另一面的至少一部分，银镀层形成于设置在铜电路板的另一面上的凹部内。
陶瓷路基以及电子部件模块

[实用新型]一种汽车发电机用齿纹二极管-CN202121240234.5有效
发明人：李时龙;李金春 -专利权人：江苏云意电气股份有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种汽车发电机用齿纹二极管，芯片通过焊料连接在底座的一端，底座包括底座本体和设在底座本体外侧的齿状直纹，所述底座与散热板相连接的接触面带有锥度，所述芯片位于底座较小的一端。该齿纹二极管的底座采用带有锥度的设计，在齿纹二极管与散热板过盈装配的过程中，可减小齿状直纹初始压入段与散热板的过盈量，从而避免产生较大的挤压应力，有效的保护芯片免受较大应力的损坏。
一种汽车发电机用齿纹二极管

[发明专利]发光元件搭载用基板以及发光装置-CN202080029830.0在审
发明人：东登志文;古久保洋二;山口贵史 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实施方式的一方案的发光元件搭载用基板(A)具有基台(1)以及位于基台(1)的第一面(1a)的凸部(10)，第一面(1a)具有位于凸部(10)的外周的、发光元件的搭载面(1aa)，凸部(10)具有与搭载面(1aa)成钝角的倾斜面(10a)。
发光元件搭载用基板以及装置

[发明专利]半导体封装-CN202110270222.5在审
发明人：金喆禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装，该半导体封装包括封装基板、在封装基板上的半导体芯片以及在封装基板和半导体芯片之间的多个底部填充物。封装基板包括形成在封装基板中的沟槽和分别在沟槽的两侧的多个坝。在半导体封装的其中封装基板提供基础参考水平的剖视图中，所述多个坝的顶表面可以位于比半导体芯片的底表面低的水平处。
半导体封装

[发明专利]一种封装框架、封装结构及封装框架的制备方法-CN202111088688.X在审
发明人：吴佳蒙;曾丹;郭依腾;梁赛嫦 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本申请涉及电力电子技术领域，具体而言，提供了一种封装框架、封装结构及封装框架的制备方法，该所述框架包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设置有安装部，安装部的第三表面与待安装件连接，第一表面和第三表面之间存在第一方向上的间距，且安装部边缘与待安装件的周侧具有第二方向的间距。本发明提供了一种通过第一表面和第三表面之间在第一方向上间距的设置，限制焊料的位置，将待安装件安装于第三表面时多余的焊料会朝向远离待安装件的侧边运动，通过安装部边缘与待安装件的周侧具有第二方向的间距，使得待安装件安装后其周侧不会与其他部件相接触，改善了在框架上安装待安装件时发生的爬胶和溢胶的现象，提高器件封装良率。
一种封装框架结构制备方法

[实用新型]一种显示屏基片-CN202120875828.7有效
发明人：王玲玲;安乐平;穆欣炬 -专利权人：苏州清越光电科技股份有限公司;义乌清越光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型提供一种显示屏基片，显示屏基片包括若干间隔的器件区和包围器件区的间隔区；显示屏基片表面设置有切割线，切割线包括第一辅助刻蚀槽和若干间隔分布的辅助切割槽；第一辅助刻蚀槽沿器件区的轮廓边缘设置且位于显示屏基片的正面，第一辅助刻蚀槽延伸至显示屏基片的部分厚度中；若干辅助切割槽位于间隔区且包围器件区，辅助切割槽位于显示屏基片的正面且延伸至显示屏基片的部分厚度中，辅助切割槽朝向第一辅助刻蚀槽的一端至与辅助切割槽相邻的第一辅助刻蚀槽的外侧边缘之间的间距为0～0.5㎜。可以提高显示屏基片的切割良率。
一种显示屏

[发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN202110832491.6在审
发明人：黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：第一基板，包括内埋于第一基板的电子元件；第二基板，位于第一基板上方；其中，电子元件通过第二基板与第一基板电性连接。
半导体封装结构及其形成方法

[发明专利]氮化硅电路基板及电子部件模块-CN202080025366.8在审
发明人：矢野清治;寺野克典 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供氮化硅电路基板，其具备氮化硅基板、设置于上述氮化硅基板的一面的第一铜层、和设置于上述氮化硅基板的另一面的第二铜层，上述氮化硅基板的断裂韧性值Kc为5.0MPa·m0.5以上、10.0MPa·m0.5以下，将上述氮化硅基板的线膨胀率设为αB(/℃)、将上述氮化硅基板的杨氏模量设为EB(GPa)、将上述第一铜层的线膨胀率设为αA(/℃)、将上述第二铜层的线膨胀率设为αC(/℃)时，热冲击参数HS1及热冲击参数HS2各自为1.30GPa以上、2.30GPa以下。
氮化路基电子部件模块

[实用新型]双层式双芯片装载区IGBT封装装置-CN202121037016.1有效
发明人：黄昌民;谷岳生;张站东 -专利权人：无锡德力芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双层式双芯片装载区IGBT封装装置，涉及封装装置技术领域。本实用新型包括IGBT本体，IGBT本体的内部开设有第一槽道，第一槽道的内部装设有放置板、第一芯片托盘、第二芯片托盘，第二芯片托盘和第一芯片托盘之间螺纹配合有四个螺纹杆。本实用新型通过在IGBT本体内部装设用于调节第一芯片托盘、第二芯片托盘的螺纹杆，便捷了对芯片的放置、取出，皮带的设置，实现了一螺纹杆对第一芯片托盘、第二芯片托盘进行调节的效果，使得对第一芯片托盘、第二芯片托盘调节的过程更加便捷，把第一芯片托盘、第二芯片托盘设置成上下两层，在安装时可以节约空间，便捷了对第一芯片托盘、第二芯片托盘进行取出并放置芯片。
双层芯片装载 igbt 封装装置

[发明专利]封装基板、半导体结构及封装基板的制作方法-CN202110936592.8在审
发明人：王海林 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种封装基板、半导体结构及封装基板的制作方法，封装基板，包括：基板本体；至少一个排气孔，排气孔设置在基板本体上，排气孔包括第一孔段和至少一个第二孔段，第一孔段和第二孔段相连通，且第一孔段和第二孔段沿垂直于基板本体方向的正投影至少有部分相重合，第一孔段的横截面积大于第二孔段的横截面积。基板本体上设置有排气孔，且排气孔包括第一孔段和第二孔段，通过使得第一孔段的横截面积大于第二孔段的横截面积，在封装过程中，不仅可以保证空气有效排出，且可以减缓封装料流动速度，从而减少封装料溢出效应，以此改善封装基板的使用性能。
封装半导体结构制作方法

[发明专利]功率基板及具备该功率基板的高电压模块-CN202080024766.7在审
发明人：西冈圭;花田俊雄;中村孝;舟木刚 -专利权人： NEXFI技术株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明的功率基板(101)具备：多个绝缘基板(106)，其沿着在同一方向上延伸的多个电流路径(P)排列配置；多个MOS晶体管(108)，其经由第一导电层(107)、第一焊料接合层(109)搭载在多个绝缘基板(106)的一个主面上；以及散热部件(108)，其经由第二导电层(107)、第二焊料接合层(109)与全部的所述绝缘基板的另一个主面接触，其中，一个一个的电流路径(P)由搭载在不同的绝缘基板(106)上的单个或多个MOS晶体管(108)彼此串联连接而形成。
功率具备电压模块