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[发明专利]校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备-CN202311217493.X在审
发明人：李文菊;黎永健 -专利权人： 上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-09-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备，其中，校验电流的设置方法包括以下步骤：获取第一电流信息和第二电流信息；获取第一数量和第二数量；根据第一电流信息、第二电流信息、第一数量、第二数量及目标操作电流设定校验电流；该方法利用作为均值漏电流的第一电流信息和第二电流信息来定义不同编程状态的存储单元的漏电流，并结合目标位线上的第一数量和第二数量来确定目标位线产生的漏电流总值，再利用该漏电流总值补偿调节目标操作电流来获取合适的校验电流，以使校验操作顺利且精确地进行，从而提高校验操作的精度，以获取更准确的校验结果。
校验电流设置方法操作相关设备

[发明专利]操作时间仿真获取方法、装置、电子设备及存储介质-CN202311145378.6在审
发明人：李文菊;黎永健 -专利权人： 上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本发明涉及芯片验证技术领域，具体公开了一种操作时间仿真获取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取操作命令的配置信息和操作对象的特性信息；根据配置信息获取操作命令的各个子操作的耗时信息；根据特性信息获取操作命令的各个子操作所需的执行次数信息；根据子操作的类型、对应的执行次数信息和耗时信息生成操作命令的总耗时信息；该方法以子操作耗时信息和执行次数信息为数据基础快速分析出不同操作对象执行不同操作命令的所用时间，能一目了然地仿真出对应芯片产品的时间性能，以便设计人员仿真获取芯片关于时间的运行参数以对芯片进行调试、修改和评估产品质量。
操作时间仿真获取方法装置电子设备存储介质

[发明专利]flash芯片的擦除方法、装置及flash芯片-CN202311145380.3在审
发明人：李文菊 -专利权人： 上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种flash芯片的擦除方法、装置及flash芯片，属于半导体集成电路技术领域，其中所述擦除方法包括以下步骤：获取第一cycle次数和第二cycle次数，所述第一cycle次数为待擦除的使用区域的cycle次数，所述第二cycle次数为所述备用区域的cycle次数；若存在一所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小的备用区域，则将该备用区域转换为待擦除的使用区域；对待擦除的使用区域进行擦除操作。本申请的擦除方法，能解决芯片中边角容量被浪费的问题，从而能有效利用边角容量以延长芯片的使用寿命。
flash 芯片擦除方法装置

[发明专利]nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备-CN202310766806.0有效
发明人：韩志永;王晨辉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备，其中，读取方法包括步骤：在接收到指令信息中第一位代码且该代码与读取指令对应时，打开预读取使能以将待操作区域的存储数据输出到数据总线上；在接收到完整的指令信息后，若指令信息为读取指令，输出数据总线上的存储数据；若指令信息为非读取指令，关闭预读取使能并清除数据总线上的存储数据；该读取方法在出现疑似为读取指令的指令信息时，基于预读取使能提前将待操作区域的存储数据输出到数据总线上，使得指令信息确定为读取指令时，便能直接输出数据总线上的数据以完成该数据读取操作，有效提高了nor flash的读取效率。
nor flash 读取方法装置存储芯片设备

[发明专利]计数器、计数方法、存储阵列、非易失性存储器及设备-CN202311116313.9在审
发明人：李文菊 -专利权人： 上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03K21/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种计数器、计数方法、存储阵列、非易失性存储器及设备，属于半导体集成电路技术领域，其中所述计数器基于非易失性存储器的存储阵列构建而成；所述存储阵列包括高位计数区域和低位计数区域；所述高位计数区域基于二进制数据进行计数；所述低位计数区域基于数据0的数量进行计数；所述高位计数区域在所述低位计数区域写满数据0且计数对象的值继续增加时计数加1；所述低位计数区域在所述高位计数区域计数加1时清空计数，本申请的计数器，能解决计数器容量不足和计数区域数据不够安全的问题，从而能增加计数器的容量大小并提高计数的安全性。
计数器计数方法存储阵列非易失性存储器设备

[发明专利]一种用于存储芯片的快速读取电路、存储芯片及电子设备-CN202310804372.9有效
发明人：韩志永;王晨辉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了一种用于存储芯片的快速读取电路、存储芯片及电子设备，该电路包括：运算放大器；第一MOS管，其源极与供电电压连接，其漏极与运算放大器的输出端连接，其栅极与使能信号连接；第二MOS管，其源极与供电电压连接，其漏极与运算放大器的反相输入端连接，其栅极与运算放大器的输出端连接；偏置电流源，运算放大器的负电源端通过偏置电流源与公共接地端连接；开关模块，与运算放大器的输出端和使能信号连接；临时接地模块，其与使能信号、公共接地端和第二MOS管的栅极连接，用于在使能信号打开时，将第二MOS管的栅极与公共接地端短暂连接；该电路能够有效地提高存储芯片的数据读取速度。
一种用于存储芯片快速读取电路电子设备

[发明专利]Nor flash的写入方法、装置、编程电路及设备-CN202310557176.6有效
发明人：王文静;李佳泽;林杉 -专利权人： 上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种Nor flash的写入方法、装置、编程电路及设备，其中，写入方法包括以下步骤：获取SRAM内的存储数据；统计存储数据中需要执行写操作的数据总量；根据数据总量及芯片的写数据能力确定写入操作次数；根据写入操作次数和写数据能力分批次将SRAM内的存储数据写入存储阵列；该写入方法能动态性地根据该数据总量设定合适大小的匹配于写数据能力的写入操作次数以对存储阵列进行分配次的写操作，从而提高了写数据能力的利用率，并减少了写操作所需要执行的次数，使得编程操作效率得到极大的提升。
nor flash 写入方法装置编程电路设备

[发明专利]nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备-CN202310766847.X有效
发明人：韩志永;王晨辉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备，其中，读取方法包括步骤：依次获取待读取对象的字线信息和位线信息，并读取待读取对象的存储数据，其中，读取待读取对象的存储数据的步骤包括：在仅确定字线信息时，根据字线信息建立字线电压并同时建立末位位线电压；在确定位线信息后，若位线信息为末位位线，则基于建立稳定的字线电压和末位位线电压读取待读取对象的存储数据，若位线信息不为末位位线，根据位线信息建立对应的位线电压以配合字线电压读取待读取对象的存储数据；该读取方法能提高nor flash的读取速度，并避免了时序过于集中的问题。
nor flash 读取方法装置存储芯片设备

[发明专利]nor flash读取方法、装置、存储芯片及设备-CN202310804308.0在审
发明人：韩志永;王晨辉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种nor flash读取方法、装置、存储芯片及设备，该方法包括以下步骤：打开预放电使能以开启所有放电模块，使所有位线放电至至0电位；关闭预放电使能以使所有所述位线处于悬浮状态，且悬浮在0电位，并建立读取电压以读取目标存储单元的存储数据；该方法应用在所有位线均设置有基于同一预放电使能控制开关的放电模块的存储阵列中，以通过打开该预放电使能使得所有位线在读取存储单元的存储数据前放电至0电位，然后保持悬浮态，从而大幅降低读取目标存储单元存储数据过程中建立位线电压所需的电量，进而降低了位线电压建立过程所耗费的时间，提高了nor flash的数据读取速度。
nor flash 读取方法装置存储芯片设备

[发明专利]一种参考电流快速建立电路及方法-CN202310804431.2在审
发明人：韩志永;王晨辉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了一种参考电流快速建立电路及方法，该电路包括：运算放大器；第一MOS管，其源极与供电电压连接，其漏极与运算放大器的输出端连接，其栅极与使能信号连接；第二MOS管，其源极与供电电压连接，其漏极与运算放大器的反相输入端连接，其栅极与运算放大器的输出端连接，其漏极为参考电流输出端；电流镜模块，其与偏置电流、运算放大器的负电源端、公共接地端、使能延时信号和使能信号连接；开关模块，与运算放大器的输出端和使能信号连接，用于根据使能信号导通或截断运算放大器的输出端；该电路能够有效地提高参考电流的建立速度，以提高存储芯片的数据读取速度。
一种参考电流快速建立电路方法

[实用新型]一种钳位电压产生电路、读取电路及非易失性存储器-CN202320605582.0有效
发明人：韩志永 -专利权人： 上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：本实用新型涉及存储芯片技术领域，提供了一种钳位电压产生电路、读取电路及非易失性存储器，钳位电压产生电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、比较器、运算放大器、偏置电压输入端和基准电压输入端，第二MOS管与第三MOS管匹配，第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极以及比较器的输入端连接，第二MOS管的栅极与第三MOS管的栅极以及运算放大器的输出端连接，第三MOS管的源极与运算放大器的反相输入端连接，第三MOS管的漏极与供电电压连接，基准电压输入端与运算放大器的同相输入端连接；该电路能够有效地避免出现由于位线负载较小而导致比较器生成的读取数据始终为1的情况。
一种电压产生电路读取非易失性存储器

[实用新型]一种迟滞电路、上电复位电路及闪速存储器-CN202320819744.0有效
发明人：刘刚;韩志永 -专利权人： 上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路技术领域，具体公开了一种迟滞电路、上电复位电路及闪速存储器，其中，迟滞电路包括第一与门、第一或非门及第二或非门；第一与门的输出端与第一或非门的第一输入端连接，第一或非门的输出端与第二或非门的第一输入端连接，第一或非门的第二输入端与第二或非门的输出端连接，第二或非门的输出端为迟滞电路的输出端；第一与门的第一输入端和第二输入端分别连接第一上电信号A和第二上电信号B，第二或非门的第二输入端连接第一上电信号A的反相信号A(‑)；该迟滞电路能使得上电复位电路在电源电压的一个上电和下电周期中自动实现复位有效、复位放开及迟滞切换至复位有效过程，具有结构简单、迟滞效果可靠、直观可调的特点。
一种迟滞电路复位存储器

[发明专利]一种存储芯片的验证方法、电子设备及存储介质-CN202310243018.3在审
发明人：唐子波 -专利权人： 上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了一种存储芯片的验证方法、电子设备及存储介质，该方法包括以下步骤：建立用于改写存储单元模型和参考模型的存储数据的特殊状态控制信号；根据外部输入的验证请求获取验证所需的初始状态；根据初始状态设定特殊状态控制信号，以将存储单元模型的存储数据和参考模型改写为初始状态；根据验证请求生成测试激励；将测试激励发送至待测设计和参考模型，以得到测试结果和参考结果；根据测试结果和参考结果的差异性生成验证结果；该方法能够有效地提高存储芯片的验证效率。
一种存储芯片验证方法电子设备介质

[发明专利]Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质-CN202310242999.X在审
发明人：王文静;李佳泽;林杉 -专利权人： 上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质，其中，验证方法包括步骤:根据Nor flash的存储阵列构建简易存储模型，简易存储模型基于局部位线组和全部字线所对应的存储单元构成，局部位线组仅包括每条字线上第2i个字节及末位字节对应所在的位线;利用简易存储模型对待测设计进行功能验证;该验证方法仅保留对存储阵列中边缘部分及符合增长规律的地址所对应的存储单元进行验证项仿真，确保验证过程覆盖了验证所需的检查点的同时，在有限的时间内完成更多项的功能验证，极大地提高了验证效率。
nor flash 验证方法装置设备存储介质

[发明专利]状态寄存器存储阵列及其设计方法、存储芯片、电子设备-CN202310242925.6在审
发明人：李佳泽;王文静;林杉;桑银银 -专利权人： 上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种状态寄存器存储阵列及其设计方法、存储芯片、电子设备，其中，状态寄存器存储阵列用于存储参数信息，所述状态寄存器存储阵列的至少一条字线上具有多个用于存储同类功能的参数信息的状态寄存器存储单元；该状态寄存器存储阵列通过将具有多个用于存储同类功能的参数信息的状态寄存器存储单元设置在同一字线上，能在避免产生擦除干扰影响参数信息读取准确性的情况下，设置更多的功能参数以满足客户的额外功能需求或通过去除多余的字线以缩小状态寄存器存储阵列的体积。
状态寄存器存储阵列及其设计方法芯片电子设备

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