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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]OPC图形生成方法-CN202010159531.0有效
发明人：王聪玉;金晓亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种OPC图形生成方法，涉及半导体光刻技术领域。该方法包括生成基础图形生成库，基础图形生成库用于生成基础图形，基础图形的形状包括线型和孔型；调用基础图形生成库，根据预定设计图形生成基础图形，并组合基础图形生成初始OPC图形；利用加权函数和初始OPC图形中的线端位置确定待添加的头部图形的尺寸，加权函数用于计算线端的权重；根据待添加的头部图形的尺寸，对初始OPC图形中的线端添加对应的头部图形，得到目标OPC图形；解决了目前大量生成OPC图形效率低、容易出错的问题；达到了自动生成OPC图形，优化对OPC图形的仿真结果，提高OPC图形的生成速度和准确率的效果。
opc 图形生成方法

[发明专利]用于产生掩模图案的方法-CN202180071036.7在审
发明人：文载寅 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本文中描述一种用于产生用于图案化过程的掩模图案的方法。所述方法包括：获得(i)目标图案内的目标特征子集(例如，过近的特征)，所述目标特征子集具有低于阈值的物理特性值，和(ii)与所述目标图案相关联的初始掩模图案(例如，使用现有OPC过程)；以及基于掩模制造约束和所述图案化过程的性能指标，修改所述初始掩模图案的与所述目标特征子集相对应的一个或更多个特征以产生所述掩模图案，所述修改包括将曲率应用至所述初始掩模图案的所述一个或更多个特征的一部分。
用于产生图案方法

[发明专利]优化通孔层工艺窗口的辅助图形-CN202310333927.6在审
发明人：李珊珊;陈燕鹏;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请是申请号：2019108101963，申请日：2019.8.29，发明名称：优化通孔层工艺窗口的辅助图形及方法的分案申请。本发明公开了一种优化通孔层工艺窗口的辅助图形，是适用于掩膜版中用于光学邻近效应修正，所述辅助图形为封闭的结构，还具有主图形位于所述辅助图形的中心区域，所述辅助图形位于主图形的外围，形成封闭的包围结构；所述辅助图形为至少两层的多层嵌套的封闭结构，其为SRAF图形，为封闭的多边形或者类似环形，至少包含有水平、垂直、45度、135度的边，各层结构之间具有一定的间距。
优化通孔层工艺窗口辅助图形

[发明专利]光学邻近校正方法、掩模制造方法和半导体芯片制造方法-CN202211683475.6在审
发明人：李儿潾;梁起豪;郑芝银;文晟墉;张准荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：公开了光学邻近校正方法、掩模制造方法和半导体芯片制造方法。所述用于制造半导体芯片的光学邻近校正(OPC)方法可包括：检测初始布图图案的多个边缘，并且将所述多个边缘之中的违反掩模规则的边缘确定为目标边缘；在目标边缘上设置参考控制点(RCP)；通过基于RCP划分目标边缘来形成多边缘；在多边缘上设置附加控制点；通过基于RCP和附加控制点将多边缘变换为弯曲边缘，来形成修改布图图案；基于修改布图图案执行OPC模拟；以及基于OPC模拟的结果来计算修改布图图案的边缘放置误差(EPE)。
光学邻近校正方法制造半导体芯片

[发明专利]光学邻近修正方法和装置-CN202310625840.6在审
发明人：陈世言 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本公开提供一种光学邻近修正方法和装置。该方法包括：在原始图形中分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形和第二光学辅助图形；确定在原始图形中存在异常光学辅助图形，异常光学辅助图形是由第一光学辅助图形和第二光学辅助图形形成的，异常光学辅助图形是指能够在基板上形成曝光图形的光学辅助图形；对异常光学辅助图形处理，获得包括目标光学辅助图形和原始图形的目标图形，目标光学辅助图形是指不会在基板上形成曝光图形的光学辅助图形。本公开实施例的方法能够提高所需目标图形的准确性。
光学邻近修正方法装置

[发明专利]光学邻近修正方法-CN202111630338.1在审
发明人：严中稳;刘娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形；获取初始版图，所述初始版图包括与若干目标图形对应的若干初始图形；对所述初始版图进行曝光处理，获取初始曝光版图；对比所述初始曝光版图与所述目标版图，获取所述初始曝光版图中的若干缺陷，并获取所述若干缺陷对应的若干边缘放置误差；根据所述若干边缘放置误差，在若干初始图形中获取若干待偏移图形；基于各待偏移图形对应的若干边缘放置误差，偏移各待偏移图形，形成初始修正版图；对所述初始修正版图进行若干次局部光学邻近修正，获取修正版图，以减少局部光学邻近修正中的EPE缺陷，提高修正版图的图形精度。
光学邻近修正方法

[发明专利]光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质-CN202111621475.9在审
发明人：余潜;杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供初始版图层，初始版图层包括第一图形，第一图形具有沿关键尺寸方向的第一尺寸；沿关键尺寸方向，将第一图形拆分为第二图形，第二图形构成的组合图形与相对应的第一图形相同，第二图形具有沿关键尺寸方向的第二尺寸，第二尺寸均小于或等于预设尺寸；将初始版图层拆分为多个版图层，将每个第一图形对应的第二图形分别置于不同的版图层中。本发明提高在晶圆上形成的第一图形对应的结构的精准度，且有利于提高利用光学邻近修正方法修正的版图层进行图形转换的精度。
光学邻近修正方法系统掩膜版设备存储介质

[发明专利]一种图形修正方法-CN202111605183.6在审
发明人：杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种图形修正方法，包括：提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一区，若干所述第一区相互邻接，所述第一区内具有第一待修正图形，所述第一待修正图形的轮廓具有若干第一线段；以所述第一区为中心获取第二区，所述第一区位于第二区内，所述第二区内具有第一待修正图形和第一待修正图形之外的第二待修正图形，所述第二待修正图形的轮廓具有若干第二线段；对若干第二区分别进行第一修正，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量；根据多个第一区中第一线段各自的最优偏移量，对所述待修正版图进行第二修正，获取修正版图。所述修正方法使得获取的第一区内第一线段的最优偏移量数据稳定且准确性较好。
一种图形修正方法

[发明专利]用于光掩模布局的光学邻近校正的方法-CN202211314554.X在审
发明人：全卲娘;张成勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种掩模布局光学邻近校正(OPC)方法，包括：确定要在衬底上形成的目标图案；基于目标图案对光掩模布局进行仿真；向仿真的光掩模布局施加偏置，从而将光掩模布局校正为第一建模布局；选择通过使用分割掩模的布局进行建模而获得的控制参数中的一个控制参数，从而将第一建模布局变形为第二建模布局；以及基于第二建模布局，检查是否存在掩模规则检查(MRC)违规。
用于光掩模布局光学邻近校正方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202211490762.5在审
发明人：吴兴锡;韩奎斌;金尚昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：提供了一种使用曲线光学邻近校正(OPC)方法来制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：对布局执行OPC步骤以生成校正图案，校正图案具有曲线形状；对校正图案执行掩模规则检查(MRC)步骤以生成掩模数据；以及使用基于掩模数据制造的光掩模在基板上形成光致抗蚀剂图案。MRC步骤包括：在校正图案中生成宽度骨架；从宽度骨架生成宽度轮廓，该宽度轮廓满足掩模规则的用于线宽的规格；以及将校正图案和宽度轮廓相加以生成调整图案。
制造半导体器件方法

[发明专利]图形拐角处的线段化方法、图形线段化方法-CN202211701372.8在审
发明人：谢理;陈红;董蒙;吴家俊;包涵 -专利权人：深圳国微福芯技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形拐角处的线段化方法、图形线段化方法。其中图形拐角处的线段化方法，包括：对待线段化的版图进行分析，挑选出特征完全相同或部分相同的版图图形；通过OPC光刻模型对选出的版图进行光学模拟，得到不同光照条件下的光场图；根据光场图获取对应的曲线；求取所有曲线的斜率和/或曲率，找到距离版图的图形最近的曲线；基于所述曲线的斜率和/或曲率，找到上一步骤找到的曲线的拐角处线段化的点；对完全相同或部分相同的版图图形选出的最佳拐点进行分析及处理，得到满足对称性的拐点的位置，进行图形拐角处的线段化。本发明提供了更方便、更高性能的图形的拐角处的线段化方法。
图形拐角线段方法

[发明专利]OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质-CN202111562568.9在审
发明人：杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质，建立方法包括：提供测试图形；根据测试图形获得测试光罩；对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括：对测试图形上的测试点和多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重；根据实际曝光图形和模拟曝光图形，确定实际曝光图形和模拟曝光图形的误差；基于误差对初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。本发明更精准地建立光学邻近修正模型。
opc 模型及其建立方法系统设备存储介质

[发明专利]一种光学临近修正方法及装置-CN202010260048.1有效
发明人：陈信廷 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光学临近修正方法及装置。其中光学临近修正方法包括：制作测试掩模版；利用测试掩模版获取当前光刻条件下的晶圆数据；利用晶圆数据建立光学临近修正模型和制程变异带宽模型；根据光学临近修正模型和制程变异带宽模型进行目标图形修正，分别得到第一修正图形和第二修正图形；计算第一修正图形的第一模拟轮廓和第二修正图形的第二模拟轮廓的差异值；根据差异值的大小调整目标图形的修正方式。本发明实施例的技术方案，在修正时考虑制程变异带宽可能造成的变异，增大光刻工艺窗口，提高产品的良率。
一种光学临近修正方法装置

[发明专利]一种加速版图处理的方法及系统-CN202010444483.X有效
发明人：赵西金;胡滨 -专利权人：珠海市睿晶聚源科技有限公司
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体是一种加速版图处理的方法及系统，方法包括版图划分及修正步骤和版图合并步骤，系统包括一个管理节点、若干个计算节点和若干个储存节点，进行层次化整理，区块划分，并行修正，修正结果合并等需要在计算机处理系统中完成，区块相互独立，可以使区块在多个计算节点独立完成修正；发明利用复用单元层次化，其余单元扁平化分割版图的方式，用于加速OPC全芯片并行修正的过程，提高并行修正的效率，修正结果复用，提高内部单元制造的一致性，保证芯片的性能，发明层次化的单元树合并修正切割块，可以缩短OPC验证，掩膜规则检查，二次修正的时间，同时降低修正后数据的存储空间。
一种加速版图处理方法系统

[发明专利]光学邻近校正系统和操作方法-CN202211359263.2在审
发明人：李熙俊;金尚昱;吴兴锡;郑芝银 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：提供了一种光学邻近校正系统和操作方法。提供了一种光学邻近校正系统，包括：多个片段块，该多个片段块包括多个片段，该多个片段包括分段信息表；多个从设备，从该多个片段块接收分段信息表以生成最小片段表；以及主设备，从该多个从设备接收最小片段表，生成分段平均计算表，并对记录在分段平均计算表中的片段执行光学邻近校正。
光学邻近校正系统操作方法

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