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[发明专利]一种基于折叠超透镜组合的片上波长分束器-CN202210385434.2有效
发明人：徐科;刘英杰 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于折叠超透镜组合的片上波长分束器，其包括位于波导层上的输入波导、折叠的超透镜组合和输出波导阵列，所述折叠的超透镜组合由N个单一超透镜以夹角θ依次旋转设置组合而成，N为不小于2的正整数。采用本发明的技术方案，利用折叠超透镜实现光束的连续转弯，放大透镜的色差效果；利用N级透镜的色差累积，在紧凑的片上尺寸内实现高分辨率的波长分束。该设计方案简单，器件尺寸小，波长分辨率高，有望用于成像、光学计算、片上光谱仪和其他应用中。
一种基于折叠透镜组合波长分束器

[发明专利]具有光扩展耦合器的光学系统-CN202080018199.4有效
发明人： J·B·菲佛;F·艾塔;吴世百;F·施洛托;A·C·乌尔讷斯 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：一种电子设备可包括为光学系统产生光的显示器，该光学系统将光朝向眼箱重定向。该光学系统可包括波导、非衍射输入耦合器、交叉耦合器和输出耦合器。该交叉耦合器可在第一方向上扩展光。该交叉耦合器可对光执行偶数次衍射，并且可以以适于全内反射的角度将光耦合回到波导中。该输出耦合器可在第二方向上扩展光，同时将光耦合出波导。该交叉耦合器可包括嵌入在波导内或形成在单独基板中的表面起伏光栅或全息光栅。该光学系统可在没有色散的情况下并且在支持扩展视场和光学带宽的同时将光朝向眼箱引导。
有光扩展耦合器光学系统

[发明专利]用于光学相控阵的波导光栅天线阵列及其制备方法-CN202011529276.0有效
发明人：吴蓓蓓;金里;路侑锡;刘其鑫 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种用于光学相控阵的波导光栅天线阵列及其制备方法，包括：衬底；位于衬底上的波导光栅天线阵列，每条波导光栅天线包括基体波导和若干个光栅齿；覆盖层，覆盖于波导光栅天线阵列及衬底上，且位于波导光栅天线阵列上的覆盖层呈空间曲面形状，覆盖层的折射率介于波导光栅天线与空气的折射率之间。通过在波导光栅天线上覆盖覆盖层，且使位于波导光栅天线上的覆盖层呈空间曲面形状，当从波导光栅天线出射的光束经过曲面部和空气的界面时，根据光的折射定律，光束出射角将变大，使从波导光栅天线出射的光功率分布至更大的角度范围，使得光学相控阵扫描到大角度时仍具有较大的出射功率，提升了光学相控阵光束转向到大角度工作时的性能。
用于光学相控阵波导光栅天线阵列及其制备方法

[发明专利]一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片-CN201711411832.2有效
发明人：张赞;高恬溪;胡笑钏;徐小波;张林 -专利权人：长安大学
申请日： 2017-12-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，包括具有光栅区域以及四个输出端口的波导光栅耦合器，波导光栅耦合器的四个输出端口划分为相互垂直的两组，两组输出端口分别通过第一单模波导连接同一个多模干涉耦合器，并分别通过第二单模波导连接两个第一光电探测器；所述的第一单模波导、第二单模波导与波导光栅耦合器的输出端口之间均通过模式转换器连接；所述的多模干涉耦合器通过两个第三单模波导连接两个第二光电探测器。本发明所涉及的器件基于光波导器件，能够集成在同一衬底上，具有较高的集成度，能够在光通信、片上/片间光互连领域得到应用。
一种基于波导光栅耦合器偏振检测芯片

[发明专利]一种二维扩瞳的全息光波导结构及其制作方法-CN202310780309.6在审
发明人：李建军;孙瑛璐 -专利权人：江西联昊光电有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及投影设备技术领域，具体涉及到一种二维扩瞳的全息光波导结构及其制作方法。全息光波导结构包括液晶空盒、耦入光栅、转折光栅和耦出光栅，所述液晶空盒内设置有容纳腔，所述耦入光栅、转折光栅和耦出光栅设置在所述容纳腔中。本发明的光波导结构通过液晶空盒对耦入光栅、转折光栅和耦出光栅形成保护，光波导结构整体厚度较小，无需另外胶合波导片，可有效减小整个光波导结构的重量、体积和厚度，有利于实现轻量化、小型化和轻薄化；本发明的制作方法通过在液晶空盒的容纳腔中注入液晶材料，实现耦入光栅、转折光栅和耦出光栅的制作，以省去了另外贴合光栅的这个过程，简化制作工艺，不需要额外增加盖板来保护光栅，节省了部件。
一种二维全息波导结构及其制作方法

[发明专利]具有超大自由频谱区间的可调法诺谐振芯片-CN202310676141.4在审
发明人：李昂;包飞霞;王畅 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开具有超大自由频谱区间的可调法诺谐振芯片，属于光学元件、系统或仪器的技术领域。该光子芯片包括一个马赫曾德尔干涉仪、一个具有超大自由频谱区间的法布里‑佩罗腔，马赫曾德尔干涉仪的一个输出端连接至法布里‑佩罗腔，马赫曾德尔干涉仪的另一个输出端连接至一个包含移相器的直波导中；法布里‑佩罗腔则包括两个布拉格光栅反射镜、一根连接两个布拉格光栅的直波导、一个移相器以及一根弯曲的侧边耦合波导；法布里‑佩罗腔的输出和含移相器的直波导的输出连接至一个合束器的输入端；合束器的其中一个输出端即可产生法诺共振。通过调节直波导和法布里‑佩罗腔中的移相器，可动态调节法诺共振的关键参数。
具有超大自由频谱区间可调谐振芯片

[发明专利]用于光学组件的超材料层-CN202310127084.4在审
发明人：卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及用于光学组件的超材料层，提供包括光学组件例如边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。该结构包括衬底、位于该衬底上方的波导芯、以及在该波导芯与该衬底间沿垂直方向设置的超材料层。该超材料层包括由一组间隙隔开的一组元件以及位于该组间隙中的介电材料。
用于光学组件材料

[发明专利]一种波导光栅滤波器，相关设备以及系统-CN202210193218.8在审
发明人：王旭 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种波导光栅滤波器，相关设备以及系统，用于提高滤波的准确性，降低了直通输出的光信号的光功率的损失。该波导光栅滤波器包括依次连接的模式复用器、连接波导、切趾光栅和直通波导。切趾光栅包括依次连接在连接波导和直通波导之间的第一光栅区域和第二光栅区域。以连接波导的两侧边为基准，第一光栅区域的两侧边分别内凹形成多个光栅沟槽。多个光栅沟槽的长度沿第一方向依次递增。连接波导指向直通波导的方向为第一方向。以直通波导的两侧边为基准，第二光栅区域的两侧边分别外凸形成多个外部光栅齿。多个外部光栅齿的长度沿第一方向依次递减。切趾光栅的两侧边均呈非对称式结构。
一种波导光栅滤波器相关设备以及系统

[发明专利]一种光子集成芯片及其制备方法-CN202211593670.X有效
发明人：张昭宇;黄要然;龚元昊;谢文韬 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种光子集成芯片及其制备方法，旨在解决光子集成芯片集成度较低的问题。为此目的，本发明的光子集成芯片包括：基底以及设置在基底上的激光器和硅波导结构，其中，激光器包括半导体谐振腔，该半导体谐振腔与硅波导结构面内耦合，半导体谐振腔包括三五族半导体发光材料区。通过将半导体谐振腔与硅波导结构面内耦合，有利于实现大规模单片集成且提高集成密度，解决了现有技术中三五族半导体激光器与硅光芯片集成困难、集成度低的问题。
一种光子集成芯片及其制备方法

[发明专利]硅光子封装结构和硅光子封装结构的制备方法-CN202310539830.0有效
发明人：何正鸿 -专利权人：甬矽电子（宁波）股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种硅光子封装结构和硅光子封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该硅光子封装结构包括衬底、滤波芯片、硅光子模块、透明胶层和塑封体，滤波芯片贴装在衬底上，硅光子模块贴装在衬底上，并罩设在滤波芯片外，透明胶层包覆在硅光子模块外；塑封体包覆在透明胶层外；其中，硅光子模块上设置有第一光处理部，塑封体上开设有透光凹槽，透光凹槽延伸至透明胶层，并与第一光处理部对应设置，第一光处理部用于透过透明胶层向外发光。相较于现有技术，本发明通过透明胶层实现光处理部与外部的隔离，避免开槽或清洗过程对光处理部的影响，保证器件性能正常，同时保证光处理部的正常出光。
光子封装结构制备方法

[发明专利]一种基于Y分支结构的模式不敏感的光功率分配器及其制备方法-CN202210079810.5有效
发明人：王希斌;孙士杰;林柏竹;廉天航;朱穆;车远华;孙雪晴;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种基于Y分支结构的模式不敏感的光功率分配器及其制备方法，属于平面光波导光功率分配器及其制备技术领域。整个器件基于Y分支结构，从左到右依次由输入直波导，输入锥形波导，两个相同结构弯曲波导组成的3‑dB Y分支分束器，第一输出直波导和第二输出直波导构成一分二的光功率分配器，进行级联后可以得到一分四的光功率分配器。本发明采用硅片作为衬底，以有机聚合物材料作为光波导的上、下包层，以另一种聚合物作为光波导结构的芯层(芯层材料的折射率大于包层材料的折射率)，利用了有机聚合物材料加工性强、种类繁多的优势。同时，本发明采用的制备工艺简单且与半导体工艺兼容、易于集成、能够大规模生产，具有重要的实际应用价值。
一种基于分支结构模式敏感功率分配器及其制备方法

[发明专利]一种超宽带分合束器-CN202011248785.6有效
发明人：张宇光;肖希;王磊;陈代高;李淼峰;胡晓;冯朋 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种超宽带分合束器，包括：衬底以及依次叠置在所述衬底上的第一波导层和第二波导层；其中，所述第一波导层的上表面与所述第二波导层的下表面直接接触；所述第二波导层包括进行光信号耦合的输入渐变波导区和输出渐变波导区；所述输入渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第一投影、所述输出渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第二投影以及所述第一波导层在垂直于所述衬底的方向上的第三投影满足以下关系：所述第一投影和所述第二投影完全落入所述第三投影的范围内。
一种宽带分合

[发明专利]T结构电极背面光纤连接的硅基薄膜铌酸锂调制器及方法-CN202210207940.2有效
发明人：刘柳;陈斌;陈耿鑫;王迈 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种T结构电极背面光纤连接的硅基薄膜铌酸锂调制器及方法。包括层叠的衬底、埋氧层、铌酸锂层和包层，铌酸锂层上形成薄膜铌酸锂光波导，薄膜铌酸锂光波导包含输入输出光栅耦合器、两个分束器和马赫曾德尔结构；马赫曾德尔结构的包层上设T结构金属电极、金属行波信号电极和金属行波接地电极；马赫曾德尔结构两臂间有金属行波信号电极，金属行波信号电极位于马赫曾德尔结构两臂之间，马赫曾德尔结构两臂外设有金属行波接地电极。光栅耦合器的包层上设有金属反射镜，光纤从芯片背面连接光栅耦合器，因此铌酸锂调制器可倒装焊接于芯片底座上，本发明首次在硅基衬底下同时实现了超低功耗，超大电光带宽的薄膜铌酸锂电光调制器。
结构电极背面光纤连接薄膜铌酸锂调制器方法

[发明专利]一种激光制备二氧化硅平面波导布拉格光栅的装置和方法-CN202210579923.1有效
发明人：冯吉军;陈剑 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明提供一种激光制备二氧化硅平面波导布拉格光栅的装置和方法，装置包括成像器、运动部件、激光控制器、测量器、定位器和二氧化硅平面波导芯片；制备方法具体为：通过真空吸附二氧化硅平面芯片，利用银膜对二氧化硅平面芯片的高反射借助CCD相机辅助通过调节设备调整二氧化硅平面波导的水平度，使激光入射到波导中，激光在波导内部形成折射率调制，形成布拉格光栅，本发明提供的方法解决了在光纤上制备由于光纤的圆形结构，造成激光光斑在纵向的失真以及分裂问题，以及加工中对波导精确定位和投射式对二氧化硅平面波导成像模糊问题，该制备方法提高了工作效率，简化制备难度，实现了高效的、高稳定性以及高性能的布拉格光栅器件。
一种激光制备二氧化硅平面波导布拉格光栅装置方法

[发明专利]三维光量子芯片模组的制备方法及三维光量子芯片模组-CN202310722530.6有效
发明人：吴之旭;唐荣欣;夏勇;王玉皞;汤文超;陈洲;李海梦 -专利权人：南昌大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种三维光量子芯片模组的制备方法及三维光量子芯片模组，所述方法包括；提供一光量子芯片基底；在所述光量子芯片基底的端面沉积TiO2层，后在所述TiO2层上涂覆光刻胶形成光刻胶层；在所述光量子芯片基底上制备光量子芯片，并在所述光量子芯片基底的端面边缘的不同部位加工多个穿过所述TiO2层和光刻胶层的定位波导；根据所述定位波导的位置进行对应的电子束曝光的加工，后依次进行显影、刻蚀以在所述光量子芯片基底上形成光耦合超透镜结构。本发明解决了现有技术中三维光量子芯片的耦合效率低的问题。
三维光量子芯片模组制备方法