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[实用新型]一种HJT电池平板HWCVD设备工艺腔及设备-CN202221115341.X有效
发明人：程银华;王强 -专利权人：国润能源集团有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种HJT电池平板HWCVD设备工艺腔及设备，其工艺腔包括工艺腔腔体，所述工艺腔腔体包括左腔壁和右腔壁，在所述左腔壁及右腔壁的上部沿物料移动方向均布有加热丝，所述加热丝的两端设有插头，所述左腔壁及右腔壁设有插座，所述插头与所述插座电性连接，所述加热丝的外部设有套管，所述插头安装在所述套管上，所述加热丝与所述插头电性连接。本实用新型将加热丝由立式设置改为平板式安装在工艺腔腔体的上部，电池tray板从加热丝的下方通过，易于沉积镀膜，镀膜效果好；加热丝不易发生抖动或者变形；自动化取料故障率低。
一种 hjt 电池平板 hwcvd 设备工艺

[发明专利]用于沉积间隙填充流体的方法及相关的系统和装置-CN202210008956.0在审
发明人： T.布兰夸特 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：用于制造包括衬底的结构的方法和系统。衬底包括多个凹部。凹部至少部分地填充有间隙填充流体。间隙填充流体包括Si‑H键。
用于沉积间隙填充流体方法相关系统装置

[发明专利]太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN202011612094.X在审
发明人：沈雯;张临安;邓伟伟 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，所述制备方法包括在硅基底的表面制备隧穿层；再于所述隧穿层表面制备依次交替的混合相硅膜层与多晶硅膜层；热处理，得到位于所述隧穿层表面的掺杂多晶硅层。本申请制备方法能够有效降低膜层应力，采用上述制备方法的太阳能电池不易变形，避免后续制程异常，降低生产成本。
太阳能电池制备方法

[发明专利]一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法-CN202011637836.4在审
发明人：连水养;许嘉巡;赵铭杰 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其方法包括：将带有H基或OH基的衬底放入反应腔体；向所述反应腔体内注入硅源气体，以使得所述硅源气体与所述衬底表面的H基或OH基进行反应，进而在所述衬底表面生成新的配基；向所述反应腔体内注入惰性气体，以吹扫出所述反应腔体内的杂质；向所述反应腔体内注入等离子气体，并重复以上步骤，以在所述衬底表面生成非晶硅薄膜。解决了现有的等离子体化学气相沉积制备出来的薄膜含有针孔的问题，且改善了在高深宽比或复杂表面上的薄膜阶梯覆盖性低的问题。
一种基于原子沉积非晶硅薄膜制备方法

[发明专利]一种低温制备多晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途-CN202010072029.6有效
发明人：宋志伟;褚卫国;徐丽华;闫兰琴 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温制备多晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途。所述方法包括：采用高密度等离子体增强化学气相沉积设备制备多晶硅膜材料，气相沉积的温度≤300℃，所述高密度等离子体增强化学气相沉积设备的功率≥500W。本发明所述多晶硅膜材料的可以在300℃以下制备得到，且具有良好的光学性能，在633nm波长对应的折射率约为3.8、消光系数约为0.02，在四英寸基底范围内薄膜均匀性好；其次，本发明所述方法可以在不同材料界面制备具有良好均匀性的多晶硅膜材料；最后，本发明提供的低温多晶硅薄膜材料制备工艺简单易行，具有极大的应用潜力。
一种低温制备多晶材料方法得到产品用途

[发明专利]一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法-CN201911248924.2有效
发明人：李慎重;杨德仁;马向阳;王震;田达晰;蒋玉龙;邓伟;张银光;梁兴勃 -专利权人：金瑞泓微电子（衢州）有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法，包括氢气输入阀组和TCS气源钢瓶，TCS气源钢瓶与氢气输入阀组、TCS输入管和TCS输出管均相连，PLC控制器与TCS输入管上的常闭控制阀以及TCS气源钢瓶内的液位传感器相连。外延生长过程结束后，进行自动充料，启动PLC控制器，液位传感器检测液面，如果处于低液位，开启常闭控制阀进行充料，反复充料至液位达到固定液位，液位传感器探测到固定液位，在充料过程中完成第一片衬底硅片的取下、基座净化和第二片衬底硅片的安装。本发明采用新的控制系统及方法，充分延长充料时间，且增加充料频率、减少充料量以获得相对固定的液面，保证均匀的小气泡饱和浓度压力相对稳定。
一种稳定浓度自动控制系统及其控制方法

[发明专利]改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法-CN201911291715.6有效
发明人：王剑敏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：在淀积掺杂非晶硅薄膜时，在参与反应的气体中通入锗烷。淀积时，淀积温度300～450摄氏度，压力1～10Torr，高频功率100～1000w,低频功率100～1000w,硅烷流量100～1000sccm，淀积时间10～100s，Ar流量500～5000sccm。锗烷流量为10～1000sccm，淀积时间10～100s。本发明在通入了一定量的锗烷后，由于Ge和B的结合能力与硅不同从而改变了掺杂的分布，改善了面内均一性。
改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻均一方法

[发明专利]硅膜的形成方法、形成装置以及存储介质-CN201810869824.0有效
发明人：高木聪;林宽之;蔡秀林 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本公开涉及硅膜的形成方法、形成装置以及存储介质。提供一种能够针对不同的基底来减小膜厚差并形成硅膜的硅膜的形成方法以及形成装置。包括以下工序：准备具有凹部的被处理基板，在该凹部多个不同的基底露出；一边将被处理基板加热至规定的温度，一边将适合于多个不同的基底的原料气体以及与原料气体反应的反应气体按顺序向被处理基板供给一次或多次，从而至少在凹部的内表面形成原子层晶种，接着，一边将被处理基板加热至规定的温度，一边向被处理基板供给硅原料气体，在原子层晶种的表面以填充凹部的方式形成硅膜。
形成方法装置以及存储介质

[发明专利]用于沉积含硅材料的沉积方法和设备-CN202111149992.0在审
发明人：刘泽铖;V.波雷;T.P.蒂内尔;Y.徐;M.罗霍 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本公开涉及在包括间隙的衬底上沉积含硅材料的方法，其中该方法包括在反应室中提供衬底并在衬底上沉积含碳抑制层，以及在衬底上沉积含硅材料。沉积抑制层包括在反应室中供应包含碳的碳前体，并在反应室中供应第一等离子体，以由碳前体形成第一反应物质，用于在衬底上形成抑制层。抑制层优先沉积在间隙顶部附近。本公开还涉及形成结构的方法、制造器件的方法以及半导体处理设备。
用于沉积材料方法设备

[发明专利]柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法-CN202010071226.6有效
发明人：李连碧;臧源;陈鸿;胡继超;林生晃;张国青;蒲红斌;封先锋;宋立勋;涂喆研;李泽斌;徐永康;王蓉 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
柔性石墨烯基硅纳米线异质结制备转移方法

[发明专利]一种硅颗粒制备装置及方法-CN202111556503.3在审
发明人：杨明财;王生红;鲍守珍;宗冰 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅颗粒制备装置及方法，属于硅颗粒生产技术领域，硅颗粒制备装置，硅颗粒制备装置包括第一反应筒、第二反应筒、第一管道、第二管道、鼓风组件以及加热组件。加热组件用于对第一反应筒进行加热，并将第一反应筒的内壁加热至超过晶体硅融点的温度。第二反应筒安装于第一反应筒的下方，含硅气体和氢气分别沿第一管道和第二管进入到第二反应筒内，且氢气和含硅气体经过鼓风组件的加速后会以较快的速度进入到第二反应筒内。本发明公开的硅颗粒制备装置制备的晶种和硅颗粒不会沉积在反应筒的内壁，晶种在第二反应筒内做无规则运动时，含硅气体和氢气在晶种的表面发生沉积反应，可以保证晶种的尺寸均匀，且获得的晶种的纯度较高。
一种颗粒制备装置方法

[发明专利]具有柱状晶粒的硅粘合涂层及其形成方法-CN201910695247.2有效
发明人：格伦·哈罗德·柯比;贾斯汀·迈克尔·纳吉;约翰·塔姆·阮;杰弗里·艾伦·布罗斯;布莱恩·哈维·比尔森纳;罗伯特·马丁·费克 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：提供了形成涂层部件的方法，以及所得的涂层部件。该方法可以包括在基底的表面上形成硅基粘合涂层并在硅基粘合涂层上形成隔离涂层。硅基粘合涂层包括晶体硅的柱状晶粒。化学气相沉积(CVD)可用于在沉积温度和沉积压力下通过含硅前体的CVD来形成硅基粘合涂层，该沉积温度和沉积压力在硅基粘合涂层的沉积期间引起硅材料的结晶。含硅前体可以是硅烷、一氯甲硅烷、二氯甲硅烷和/或三氯甲硅烷。
具有柱状晶粒粘合涂层及其形成方法

[发明专利]组合物和使用该组合物沉积含硅膜的方法-CN202080052280.4在审
发明人： R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韦 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：组合物和使用该组合物的方法用于在具有表面特征的衬底的至少表面上形成含硅膜，例如但不限于碳化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮氧化硅膜。含硅膜使用含有至少一个Si‑H键的烷基氢化硅烷化合物沉积。
组合使用沉积含硅膜方法

[发明专利]具有非晶结构的硅粘合涂层及其形成方法-CN201910694603.9有效
发明人：格伦·哈罗德·柯比;贾斯汀·迈克尔·纳吉;约翰·塔姆·阮;杰弗里·艾伦·布罗斯;布莱恩·哈维·比尔森纳;罗伯特·马丁·费克 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：提供了涂层部件及其形成和使用方法。涂层部件包括：具有表面的基底；位于基底表面上的硅基粘合涂层；和位于硅基粘合涂层上的隔离涂层。硅基粘合涂层包含非晶硅相，该非晶硅相中分布有(例如，平均尺寸为约0.03μm至约3μm的)晶体硅晶粒。非晶硅相可以由纯硅金属形成，或者可以由其中分散有硼、氧和/或氮的硅金属形成。
具有结构粘合涂层及其形成方法

[发明专利]含重氢的膜-CN202080044314.5在审
发明人： S·M·佐伊特;M·M·朴;H·M·勒;C-C·庄 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：在感应高密度等离子体腔室中，膜被改性以包括重氢。腔室硬件设计使得能够实现遍布基板的膜中的重氢浓度均匀性的可调性。固态电子设备的制造包括整合工艺流程以将实质上无氢和重氢的膜改性以包括重氢。
重氢