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[发明专利]磁控溅射阳极以及磁控溅射设备-CN202310417378.0在审
发明人：徐升东 -专利权人：理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供磁控溅射阳极以及磁控溅射设备。所述磁控溅射阳极与布气组件以及旋转阴极一并布置在磁控溅射设备的溅射腔中，所述磁控溅射阳极设置在所述溅射腔的盖板或底板与所述旋转阴极之间，并且构造成包覆所述旋转阴极并将其旋转轴及面向基片的溅射端露出的U形罩，所述U形罩底部开设有适于所述布气组件穿设的通槽，所述U形罩接收及限制所述布气组件提供的气体并且收集所述旋转阴极表面的靶材在溅射过程中产生的电子。本发明能提高磁控溅射阳极捕获电子的能力，减少电子逃逸以及电子达到基片上的概率，提高溅射稳定性。
磁控溅射阳极以及设备

[发明专利]一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECs/ta-C复合多层结构制备方法-CN202310431049.1在审
发明人：马震宇;娄陈旭坤;施仙庆;周潜;赵文轩;徐锋;左敦稳 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECs/ta‑C复合多层结构制备方法，它通过高熵合金（HEA）过渡层、HEA过渡层表面强化和HECs/ta‑C多层交替生长形成HEA/(HECs/ta‑C)n复合涂层。其制备方法包括：（1）衬底预处理、Ar离子清洗和靶材预溅射；（2）采用磁控溅射法制备HEA过渡层AlTiVCrZr；（3）HCPEB法强化过渡层；（4）采用磁控溅射法在强化后的AlTiVCrZr过渡层上沉积(AlTiVCrZr)C层；（5）采用过滤阴极真空电弧法在(AlTiVCrZr)C层上进一步沉积ta‑C；（6）重复（4）和（5）的操作得到(AlTiVCrZr)C/ta‑C多层交替的涂层。本发明的HECs/ta‑C复合多层增韧耐磨蚀涂层具有高硬度、强韧性和优异的耐磨蚀性能。
一种脉冲电子束增强 hea 过渡及其 hecs ta 复合多层结构制备方法

[发明专利]一种导电薄膜的制备方法和导电薄膜-CN202310575743.0在审
发明人：臧世伟;刘文卿 -专利权人：重庆金美新材料科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种导电薄膜的制备方法和导电薄膜，所述制备方法包括：取薄膜基材；通过真空镀膜的方式在所述薄膜基材的表面层积上合金层，所述合金层中包含第一种金属和第二种金属；其中，所述第一种金属是比所述第二种金属易于氧化的金属。本发明实施例制备的导电薄膜，通过在合金层中添加比第二种金属易于氧化的第一种金属，可以避免导电薄膜在于空气接触的过程中第二种金属被氧化，因为在导电薄膜与空气接触过程中，由于第一种金属易于氧化，所以先氧化第一种金属，而避免第二种金属被氧化，而本发明实施例中的导电薄膜是依赖于第二种金属进行导电的，所以本实施例中的并不会改变导电薄膜上面的金属层的方阻，进而不会降低导电薄膜的导电性能。
一种导电薄膜制备方法

[发明专利]PVD设备以及PVD沉积方法-CN202310451910.0在审
发明人：马哲国;张云飞;王宇宙;闫涛 -专利权人：理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供PVD设备以及PVD沉积方法。所述PVD设备包括多个布置在溅射腔中的磁控溅射旋转阴极，所述磁控溅射旋转阴极包括靠近溅射腔入口的第一旋转阴极以及位于第一旋转阴极与溅射腔出口之间的多个第二旋转阴极，所述第一旋转阴极的直径为所述第二旋转阴极的直径的50％‑80％，所述第一旋转阴极的工作功率为所述第二旋转阴极的工作功率的50％‑60％，所述第一旋转阴极与所述第二旋转阴极具有相同的换耙周期。本发明能抑制换靶初期太阳能电池效率的降低，能提高成膜均匀性以及靶材利用率，能提高PVD设备的运行时间及换靶周期。
pvd 设备以及沉积方法

[发明专利]一种高强韧钛合金及基于磁控溅射的钛合金成分筛选方法-CN202310477084.7在审
发明人：李元元;李宁;罗炫;高帅;赵超 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于合金成分设计领域，并具体公开了一种高强韧钛合金及基于磁控溅射的钛合金成分筛选方法，其包括：根据钛合金组分制备靶材，通过磁控溅射在基体上制备多元合金薄膜；将基体上的多元合金薄膜划分为多个区域，测得各区域元素成分，并获取各区域对应的硬度H和合金抵抗弹塑性变形功W；根据各区域元素成分构建多元相图，将H和W分别置于该多元相图中，得到H云图和W云图；保留H云图和W云图中强度大于预设值的部分，然后求交集，对得到的交集图进行网格划分，根据网格交点对应的各元素成分确定钛合金成分。本发明简、通量高，能通过一次共溅射得到多组分钛合金，为高强韧钛合金成分设计提供一种低成本、高效率的设计方法。
一种强韧钛合金基于磁控溅射成分筛选方法

[发明专利]一种硬质膜及其制作方法-CN202310646427.8在审
发明人：梁高伟;杨江涛;严海军 -专利权人：安徽精卓光显技术有限责任公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种硬质膜及其制作方法，属于镀膜领域，制作方法包括以下步骤：将基材进行等离子清洗；通过磁控溅射在基材表面依次沉积第一层SiO2/Si、碳基硬质层，所述碳基硬质层包括CSiN层和C/C3N4层，其中，所述C/C3N4层叠设在CSiN层上方或下方，方法还包括通过磁控溅射在碳基硬质层表面沉积第二层SiO2/Si，方法还包括在第二层SiO2/Si表面蒸发AF药丸，形成AF层。硬质膜包括：基材，以及叠设在所述基材表面的第一层SiO2/Si；其中，所述第一层SiO2/Si表面叠设碳基硬质层，所述第一层SiO2/Si、碳基硬质层、第二层SiO2/Si、AF层的总厚度为10‑230nm。本发明，通过使用超硬材料堆叠，更好的与防水AF药丸结合，抗划伤、耐碱汗、耐摩擦，且膜层结合牢固，AF膜层不易脱落。
一种质膜及其制作方法

[发明专利]一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极-CN202110872823.3有效
发明人：汪建;杜寅昌;李成;程厚义;赵巍胜;张悦 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明的一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极，包括靶材、磁体、磁轭及靶座，还包括运动机构；靶材安装在靶座上方，磁体安装在磁轭上，位于靶座下方，磁体与阴极中轴偏心安装，即磁体中心与阴极中轴不重合；运动机构设置在磁轭的下方，磁轭连接到运动机构上，运动机构牵引磁轭从而带动磁体绕阴极中轴螺旋式周期旋转运动，旋转半径逐渐增大。本发明的磁体及磁轭通过运动机构实现螺旋式周期运动，靶材表面磁场同步螺旋式周期运动，靶材被均匀刻蚀，利用率大幅提高。
一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极

[发明专利]一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法和应用-CN202010897689.8有效
发明人：王飞鹏;赵琦;李剑;黄正勇;陈伟根;王有元;潘建宇;谭亚雄;王强;杜林;周湶;谢贵柏;崔万照 -专利权人：重庆大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法和应用，属于薄膜材料技术领域。氟化非晶碳薄膜由基底层和沉积在其表面的氟化非晶碳薄膜组成。制备包括：将基底层清洗，干燥；打磨聚四氟乙烯靶和石墨靶，并清洗；将预处理后的基底层和靶材放入镀膜室，抽本底真空，通入惰性气体进行预溅射；分别用射频和直流溅射，在基底层表面共溅射，得到氟化非晶碳薄膜。本发明的氟化非晶碳薄膜，通过化学组分和微结构的变化调控薄膜的微观形貌和带隙宽度，从而影响内二次电子出射时的散射强度，以降低薄膜的二次电子发射系数，且具有制备方法简单、实用性好可重复性强、薄膜成分高度可控等优点，在高压绝缘材料领域具有潜在的应用前景。
一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法应用

[实用新型]一种磁控溅射镀膜机填充绝缘装置-CN202320640969.X有效
发明人：王天齐;金克武;彭塞奥;姚婷婷;李刚 -专利权人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种磁控溅射镀膜机填充绝缘装置，它包括磁控溅射镀膜机的镀膜室，在磁控溅射镀膜机对的镀膜室内设有一组辊子，其特征在于：在镀膜室的底面上设有一组插接槽，在每个插接槽上插接有一组填充块，在一组填充块上设有与辊子对应配合让位槽，在每个第一插槽一端还连通有插槽，在插槽上设有插块，在插块一侧的一个填充块上设有插孔，在插孔内插入有与插块顶部形成对应配合的销子。本实用新型结构简单、使用方便、成本低廉、填充效果好通过插接的方式将填充物固定到镀膜室内无需使用螺钉进行紧固，避免了进行金属螺钉造成电路的问题。
一种磁控溅射镀膜填充绝缘装置

[实用新型]一种在线可调节磁棒-CN202320031386.7有效
发明人：林嘉佑 -专利权人：台玻太仓工程玻璃有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种在线可调节磁棒，其特征在于：包括磁棒本体；所述磁棒本体内部设置有磁体和驱动器；所述磁棒本体放置在靶材内部，靶材外部间隔设置有待加工玻璃；从靶材上被溅射出来的离子在磁体的磁场作用下淀积到待加工玻璃的表面；所述驱动器与磁体相连接，驱动磁体靠近或远离靶材，对应改变靶材附近的磁场强度；通过调节磁体与靶材的位置，就可以改变靶材附近的磁场强度，让等离子体轰击靶面的强度变化，改变溅射出的原子数量，达到调节镀膜厚度的目的，这种调节可以在调节磁棒处于真空工作环境中时进行，免去了频繁抽真空带来的繁琐操作和长时间等待，因而能显著提升调节效率，在线连续调节也有利于提升磁场分布精度，提升镀膜质量。
一种在线调节

[发明专利]一种精细调控金属薄膜材料微观结构的方法-CN202310227955.X在审
发明人：毛鹏燕 -专利权人：沈阳理工大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种精细调控金属薄膜材料微观结构的方法，属于金属材料制备与微观结构调控领域。该方法包括：通过精细调控沉积温度、沉积气压等沉积条件，利用物理或化学气相沉积的方法，沉积纯金属或多元合金材料，并在适当温度下保温一定时间，冷却后得到具有不同微观结构的材料。该方法是一种能一次性在同种合金中有效调控纳米晶、纳米孪晶和纳米颗粒等微观结构的方法，进一步优化材料的综合性能。该方法能够拓宽纳米结构金属材料的结构设计与制备的思路，为新型高性能纳米结构金属材料的设计与制备提供新启示。
一种精细调控金属薄膜材料微观结构方法

[发明专利]一种磁控溅射系统及方法-CN202310464653.4在审
发明人：王正安;来华杭;郭峰;李建镇 -专利权人：杭纳半导体装备（杭州）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于磁控溅射领域，具体是涉及到一种磁控溅射系统及方法，包括真空腔室、物料输送装置和至少两个镀膜单元；镀膜单元包括镀膜腔室和设置在镀膜腔室内的镀膜机构；物料输送装置用于输送基材经过至少两个镀膜单元；真空腔室连接有抽真空装置，每个镀膜腔室均单独连接有充工艺气体装置，本发明抽真空装置是抽气，而充工艺气体装置是充气，因此，不同的充工艺气体装置对应不同的气体成分不会进入其他镀膜腔室内，通过一个抽真空装置即可保证每个镀膜单元的镀膜环境，又可以使每个镀膜单元具有合适的气氛且不会相互干扰，可以极大的提高基材的多层镀膜效果。
一种磁控溅射系统方法

[发明专利]一种镀膜旋转靶靶芯结构-CN202210822490.8有效
发明人：李强;王松林;陈志斌;喻贵 -专利权人：江西贵得科技有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空镀膜领域，尤其涉及一种镀膜旋转靶靶芯结构。本发明提供一种能够使磁铁呈扇形分布的镀膜旋转靶靶芯结构。一种镀膜旋转靶靶芯结构，包括有磁铁座；锁紧块，磁铁座底部均匀间隔连接有三个锁紧块，磁铁座为扇形，磁铁座的上部均匀间隔开有三个嵌入槽；水道，三个锁紧块与磁铁座之间放置有水道；限位调节机构，磁铁座上连接有限位调节机构；卡位机构，磁铁座上连接有卡位机构。本发明通过磁铁座为扇形，使得磁铁能够呈扇形分别，使得磁场分布均匀，提高溅射效率。
一种镀膜旋转靶靶芯结构

[发明专利]磁控溅射设备-CN202110952656.3有效
发明人：匡友元 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请提供一种磁控溅射设备，其包括旋转靶、第一转动机构以及第二转动机构。旋转靶包括第一靶材和第二靶材。第一靶材与第二靶材在第一方向上排列设置，第一靶材位于旋转靶的端部。第一转动机构连接于第一靶材。第二转动机构连接于第二靶材。根据本申请的磁控溅射设备，将位于旋转靶端部的子靶材与位于旋转靶的中间的子靶材分别连接于不同的转动机构，在溅射过程中，可以调节第一靶材的线速度大于第二靶材的线速度，减小非侵蚀区。
磁控溅射设备

[发明专利]一种屈臂式混联驱动型薄膜掠射角溅射平台-CN202210597856.6有效
发明人：王伟;郑旭飞;桓茜 -专利权人：陕西工业职业技术学院
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种屈臂式混联驱动型薄膜掠射角溅射平台，涉及真空溅射镀膜技术领域。本发明包括固定外壳、固定外壳上侧装设有传动塔，传动塔上转动配合有实验盘组件，传动塔内装设有与实验盘组件相对应的屈臂控制组件；传动塔的下侧装设有位于固定外壳内的传动机构，固定外壳内壁周侧装设有与传动塔相对应的多个公转驱动机构、多个自转驱动机构。本发明能通过屈臂控制组件、公转驱动机构与自转驱动机构的配合下，使实验盘组件在传动塔上的中心传动远点处进行自转以及0‑90°的摇摆，使其具有多种旋转自由度，满足工件表面的掠射角连续溅射工艺的需求。
一种屈臂式混联驱动薄膜掠射角溅射平台