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[发明专利]一种MEMS滤波器和制备方法-CN202110600933.4有效
发明人：周华芳 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS滤波器和制备方法，滤波器包括：衬底；第一反射层，位于所述衬底上方；牺牲层，位于所述第一反射层上，所述牺牲层具有空腔；第二反射层，位于所述牺牲层上，所述第二反射层对应所述空腔位置为具有释放孔的浮桥区域，所述浮桥区域内还具有贯穿第二反射层的环形防破裂梁；所述防破裂梁的上下两面中的其中一面为凹面，另外一面为凸面。本发明的防破裂梁内部是一个工作平面，平行度很好，防破裂梁区域类似一系列微型弹簧，可增强整个浮桥区域的韧性，连接了防破裂梁的两侧浮桥，使得连接上更为牢固，浮桥区域不容易破裂，即不会因为静电力的驱动使得浮桥区域上下浮动造成浮桥区域的破裂。
一种 mems 滤波器制备方法

[实用新型]一种MEMS传感器封装结构-CN202223317368.X有效
发明人：林智敏;刘同庆 -专利权人：无锡芯感智半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种MEMS传感器封装结构，所述封装结构包括：电路板，依次绝缘堆叠设置于所述电路板的MEMS传感器芯片和调理芯片，以及封装所述电路板、所述MEMS传感器芯片和所述调理芯片的壳体；所述MEMS传感器芯片和所述调理芯片分别与所述电路板电连接，所述调理芯片用于对所述MEMS传感器芯片检测的压力信号进行补偿。本公开实施例将MEMS传感器芯片和调理芯片堆叠在电路板上，缩小了封装外形尺寸，降低功耗，节约封装空间；优化了键合引线的走线路径，减小键合引线之间的信号干扰。
一种 mems 传感器封装结构

[发明专利]适用于高湿度环境检测的气体传感器及其制备工艺-CN202310106055.X在审
发明人：王晓毅;杨盖;刘钟一;谢会开 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于高湿度环境检测的气体传感器及其制备工艺，属于传感器技术领域。所述气体传感器包括：硅衬底层及二氧化硅结构层，所述二氧化硅结构层设置于所述硅衬底层上方；所述二氧化硅结构层包括设置于两端的PAD区域和设置于中央的气体传感器区域；所述气体传感器区域包括加热电阻、传感电极、via金属柱和气敏材料，两侧固定，整体悬浮在空腔上方；所述via金属柱密集分布在传感电极上方，从而使气体传感器具有超疏水特性。本发明通过设计金属层和金属via图案，使传感电极上方分布大量的via金属柱，从而具有超疏水特性，可以降低气体传感器在工作时对环境湿度变化敏感程度，一体化且连续的工艺极大地降低了传感器的成本。
适用于湿度环境检测气体传感器及其制备工艺

[发明专利]可调谐部件-CN202210404816.5在审
发明人：丹娜·理查德·德里厄斯;亚瑟·谢尔曼·莫里斯三世;大卫·莫林诺·吉尔斯 -专利权人：瑞声声学科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种可调谐部件，包括：固定驱动器电极和可移动驱动器电极，其中，可移动驱动器电极选择性地朝向固定驱动器电极移动。位于固定驱动器电极与可移动驱动器电极之间设有多个隔离凸块，被设置为防止固定驱动器电极与可移动驱动器电极之间的接触。多个固定隔离降落件，被隔离在固定驱动器电极的一部分内。其中，每个固定隔离降落件与固定驱动器电极两侧的固定驱动器电极之间有间隔，其中第一距离与第二距离之比大于0.5且小于4，第一距离是一个或多个隔离凸块的边缘与一个或多个固定隔离降落件的边缘之间的距离，第二距离是隔离降落件的边缘和固定驱动器电极的边缘之间的距离。本发明可以减少或最小化部件的介电充电。
调谐部件

[发明专利]一种具有微流道的MEMS封装陶瓷基板及其制备方法、微系统和应用-CN202310199726.1在审
发明人：黄聪 -专利权人：嘉兴兴瓷新材料科技有限公司
申请日： 2023-03-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有微流道的MEMS封装陶瓷基板及其制备方法、微系统及其应用。本发明提供的MEMS封装陶瓷基板，具有第一微流道、第二微流道和电通道；第一微流道设置于陶瓷基板内部，贯穿陶瓷基板的上表面和下表面的至少一个面；第二微流道沿陶瓷基板的平面方向的前、后、左或右的至少一个面；陶瓷基板的内部设置还设置有发热电极。上述方案实现了对待测流体介质的精准控温，从而提高了测量结果精度。本发明还提供了上述MEMS封装陶瓷基板的制备方法。本发明还提供了微系统及其在压力传感器领域的应用。
一种具有微流道 mems 封装陶瓷及其制备方法系统应用

[发明专利]一种二维MXenes材料的原子尺度MEMS传感器及其制备方法与应用-CN202210435349.2有效
发明人：林彬;王国庆;陈晨 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路领域、新型材料领域和电子信息领域，提供了一种二维MXenes材料原子尺度MEMS传感器及其制备方法与应用，能够实现高性能、低功耗、柔性和原子尺度的MEMS传感器；本发明制造的MEMS传感器，不仅可集成度高，可解决微机电系统中感应器尺寸大、功耗高、应用场景受限等问题，也可以为大尺寸传感器或者集成电路关键零部件材料提供新的思路；本发明采用二维MXenes材料作为MEMS传感器的核心组件，具有原子尺度、灵敏度高、功耗低和稳定性高、柔性和机械性能等优点，同时成本低廉，制造工艺成熟，作为商业化用途潜力巨大。
一种二维 mxenes 材料原子尺度 mems 传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种MEMS滤波器-CN202110603290.9有效
发明人：周华芳 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS滤波器，属于滤波器技术领域，包括衬底；衬底正背面依次生长有隔离层、第一DBR介质膜、牺牲层、第二DBR介质膜；衬底正面设有上电极、下电极，上电极底部与衬底正面的第二DBR介质膜的底层膜接触，下电极底部与衬底背面的第一DBR介质膜的顶层膜接触；衬底正面的牺牲层具有空腔，衬底正面的第二DBR介质膜对应所述空腔位置为浮桥区域。本发明滤波器为双面结构能够保证器件的平整度，解决现有技术单面长膜引起的器件翘曲，同时，本申请浮桥区域为密封闭环浮桥，相较于现有镂空浮桥，提升了结构强度，降低了衬底正面的第二DBR介质膜的破裂风险。
一种 mems 滤波器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210813861.6在审
发明人：陈亭蓉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；以及微电子机械系统(MEMS)器件，位于衬底上，其中，微电子机械系统器件包括形成在衬底中的机械块；其中，衬底在机械块处具有狭缝，其中，狭缝从机械块的顶面至机械块的底面延伸穿过衬底，其中，衬底具有位于狭缝中并且边缘对边缘布置的第一侧壁和第二侧壁，其中，第一侧壁从机械块的底面到第二侧壁的边缘基本垂直，并且其中，第二侧壁从第二侧壁的边缘到机械块的顶面向外成弧形。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用于MEMS装置的晶圆级封装-CN201811189719.9有效
发明人： S·查克拉瓦蒂;P·耶勒汉卡;S·P·波伊卡伊尔萨特厄希;易俊豪;R·库马尔;N·拉查塞卡赖 -专利权人：新加坡商世界先进积体电路私人有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于MEMS装置的晶圆级封装，揭示微机电系统(MEMS)装置。该MEMS装置包括：具有顶部装置表面及底部装置表面的装置衬底，其具有位于装置区中的MEMS组件。在围绕该装置区的该顶部装置表面上设置顶部装置接合环，且在围绕该装置区的该底部装置表面上设置底部装置接合环。具有顶部覆盖接合环的顶部覆盖层通过顶部共晶接合与该顶部装置接合环接合，且具有底部覆盖接合环的底部覆盖层通过底部共晶接合与该底部装置接合环接合。该共晶接合包覆该MEMS装置。
用于 mems 装置晶圆级封装

[实用新型]一种MEMS结构-CN202223275941.5有效
发明人：李现飞;刘端 -专利权人：安徽奥飞声学科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种MEMS结构，包括：衬底，具有空腔；振动支撑层，形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔；第一电极层，形成在所述振动支撑层上方；种子层，形成在所述第一电极层上方；压电层，形成在所述种子层上方；第二电极层，形成在所述压电层上方。综上，本申请所提供的MEMS结构中，种子层诱导压电层按照晶柱结构生长，从而使得压电层具有较好的Z轴晶柱生长结构，并且具有较好的致密性。
一种 mems 结构

[实用新型]半导体器件-CN202221603668.1有效
发明人： P·菲拉里;F·F·维拉;E·杜奇;I·瓦里斯科;F·德科利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：单片半导体本体，半导体本体包括：第一主面；第二主面，与第一主面相对；衬底，包括导电类型；第一导电区，从第一主面延伸到衬底中，第一导电区具有导电类型；掩埋腔，在第一导电区中；隔膜，在掩埋腔和半导体本体的第一主表面之间延伸，隔膜具有面向掩埋腔的掩埋面；隔膜绝缘层，在隔膜的掩埋面上延伸；以及绝缘材料的横向绝缘区，其在第一主表面和隔膜绝缘层之间、在掩埋腔上方沿封闭线延伸到半导体本体中，横向绝缘区横向界定隔膜并且与隔膜绝缘层接触。利用本公开的实施例的半导体器件是可靠的，可以以高产率生产并且具有降低的成本。
半导体器件

[发明专利]一种具有复合支撑层的MEMS红外光源及其制备方法-CN202211444594.6在审
发明人：刘军林;吕全江;侯海港;刘桂武;乔冠军;郝俊操;夏松敏;陈杰 -专利权人：微集电科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明属于光电技术领域，具体涉及一种具有复合支撑层的MEMS红外光源及其制备方法。该MEMS红外光源包括衬底、支撑层、发热电极层、红外发射层；以及两条发热电极焊盘。其中，衬底中包含一个台体型的镂空结构；支撑层设于衬底上，并在衬底下方形成一个空腔结构以使得支撑部分悬浮。发热电极层位于支撑层上方，两条发热电极焊盘均位于发热电极层上，红外发射层位于发热电极焊盘内，并使得红外发射层的分布区域位于悬浮区内。支撑层采用由多个不同材质的结构层交替排列构成复合结构；在支撑层中与发热电极层相邻的结构层为介质层。本发明解决了现有衬底掏空型MEMS红外光源在光电性能、使用寿命，以及产品良率和成本等方面无法达到平衡的问题。
一种具有复合支撑 mems 红外光源及其制备方法

[发明专利]一种T型结构的微制造方法-CN202110100995.9有效
发明人：苏笑宇;任仲靖;潘泉;冯乾;杨家男;侯晓磊 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种T型结构的微制造方法，在衬底材料表面上依次旋涂第一光刻胶层和第二光刻胶层；对其曝光后溶解第一曝光部分；将待制备T型结构的足部材料淀积到第一曝光部分露出的衬底表面上；剥离第二光刻胶层上的足部材料层；在第一光刻胶层和曝光部分的足部材料层上旋涂第三光刻胶层；对第三光刻胶层进行曝光，并采用第二显影液溶解第三光刻胶层的第二曝光部分；将待制备T型结构的头部材料淀积到第三光刻胶层、第二曝光部分露出的足部材料层和第二曝光部分露出的第一光刻胶层上；剥离第三光刻胶层和其上的头部材料层，得到待制备T型结构；本发明可以根据需要调节头部和足部的材料和尺寸，扩充了T型结构的应用范围。
一种结构制造方法

[发明专利]一种MEMS微镜抗疲劳电互连装置-CN202211515527.9在审
发明人：何凯旋;陈博;郭立建;孙涛;张友照 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS微镜抗疲劳电互连装置，它包括晶圆（1），其在晶圆（1）上通过第二镂空区域（5）和第一镂空区域（2），形成微镜面（3）和可动框架（10），通过第一镂空区域（2）和第二镂空区域（5）上的纵向开口（2a）和横向开口（5a）形成纵向扭转梁（4）和横向扭转梁（6），在横向扭转梁（6）。本发明利用扩散低阻硅代替全金属薄膜实现在弯曲或者扭转结构的表面电互连引出，能够完全避免金属薄膜引线材料在高频往复运动过程中产生的疲劳的问题，有效的提高了MEMS微镜的寿命。
一种 mems 微镜抗疲劳互连装置

[发明专利]一种开放式可重构流体芯片-CN202310139653.7在审
发明人：杜鑫;曾易 -专利权人：东南大学
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种开放式可重构流体芯片，包括基板，基板上设置阵列排布的微柱，微柱与其相邻的能够连成正方形的微柱围合而成的区域用于滴加液滴，液滴包括水滴、油相液滴、双亲性液滴、双疏液滴和液态金属液滴，液滴与其相邻的液滴发生融合或打断，通过不断的创建相邻的液滴，形成流体通道。本发明的流体芯片基板不存在预设的亲疏水图案，因此流道的形状设计不受限制，可以在基板上即时的根据需要随时制造出目标流体结构，能够被快速制造，具有很好的灵活性；可用于形成水相、油相、液态金属等各种液体的流道，具有很强的普适性，各种液体都可以在本发明提出的流体芯片基板中使用，这是其它的开放式流体芯片构建方案无法实现的。
一种开放式可重构流体芯片