[发明专利]一种制作芯片的方法及芯片

说明书

本发明实施例提供一种制作芯片的方法及芯片，该方法包括以下步骤：S1，提供各自内置有再分布导线的基板和有机连接桥；S2，在所述基板的表面上放置所述有机连接桥；S3，将至少两个裸芯片固定在所述基板上，其中每个裸芯片的引脚与所述基板和所述有机连接桥上的连接点均相连；S4，对所述裸芯片与所述连接桥连接进行保护。该方法使用有机材料制备连接桥，减少了连接桥上的应力，从而提高了芯片的可靠性。

技术领域

本发明涉及芯片领域，具体地涉及一种制作芯片的方法及芯片。

背景技术

现有技术中，通常采用嵌入硅桥（EMIB）将小的制备在硅基底上的无源桥芯片嵌入在基板内部，成为了基板的一部分，用于连接多个子芯片。该工艺制作复杂，需要在基板的制作过程中放入硅桥，且在制作过程中，由于硅桥中硅的热胀系数较小而基板材料的热胀系数较大，一般基板的热胀系数为硅桥热胀系数的6倍以上，在升温降温过程中会产生较大的应力，这将会导致硅桥连接到表面子芯片的铜穿孔连接断裂或介电层分层。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种制作芯片的方法及芯片，该方法减少了连接桥上的应力，从而提高了芯片的可靠性。

为了实现上述目的，本发明实施例提供一种制作芯片的方法，该方法包括以下步骤：S1，提供各自内置有再分布导线且外置有连接点的基板和有机连接桥；S2，在所述基板的表面上放置所述有机连接桥；S3，将至少两个裸芯片固定在所述基板上，其中每个裸芯片的引脚与所述基板和所述有机连接桥上的连接点均相连；S4，对所述裸芯片的引脚与所述基板和所述有机连接桥上的连接点进行保护。

可选的，针对步骤S1，提供所述有机连接桥包括：S21：提供载板，所述载板包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述载板一侧的外边缘，所述第二部分为所述外边缘界定的该侧平面；S22：对所述第一部分添加剥离胶，对所述第二部分添加金属膜，并对剥离胶进行固化；S23：在金属膜的表面添加介电层；S24：在所述介电层上制备再分布导线层；S25：去除当前的所述第一部分，当前所述第一部分至少包括附着在上面的剥离胶；以及，S26：剥落当前的所述第二部分，切割形成有机连接桥。

可选的，针对步骤S2，在所述基板的所述表面上开槽以内嵌所述有机连接桥，或者在所述基板的所述表面上直接贴装所述有机连接桥。

可选的，所述基板的开槽的深度范围为5-30微米。

可选的，针对步骤S4，通过塑封压模和/或底部填充对所述裸芯片的引脚与所述连接桥的连接进行保护。

可选的，针对步骤S3，通过在所述基板的表面上以及所述有机连接桥上设有连接点来使得所述裸芯片通过相应焊点分别与所述基板和所述有机连接桥连接。

可选的， 所述有机连接桥与所述基板的介电材料均为有机材料，且所述基板与有机连接桥的热胀系数相匹配。

本发明还提出一种芯片，该芯片包括：基板及设置在所述基板的表面的有机连接桥，其中所述基板和所述有机连接桥各自内置有再分布导线且外置有连接点；以及固定在所述基板的所述表面的至少两个裸芯片，其中每个裸芯片引脚与所述基板和所述有机连接桥上的连接点均相连。

可选的，所述有机连接桥设于所述基板的一侧的开槽内，或，所述有机连接桥贴装于所述基板的一侧。

可选的，所述基板的开槽的深度范围为5-30微米。

本发明实施例的方法使得芯片之间通过有机连接桥传输信号，该有机连接桥与基板热胀系数匹配，不会有热胀产生的应力，从而提高了芯片的可靠性。

本发明实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本发明实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明实施例，但并不构成对本发明实施例的限制。在附图中：