[发明专利]一种制作芯片的方法及芯片在审
| 申请号： | 202310369310.X | 申请日： | 2023-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN116092948A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 赵作明;华菲 | 申请（专利权）人： | 北京华封集芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/538;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 高英英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 芯片 方法 | ||
1.一种制作芯片的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
S1：提供各自内置有再分布导线且外置有连接点的基板和有机连接桥；
S2：在所述基板的表面上放置所述有机连接桥；
S3：将至少两个裸芯片固定在所述基板上，其中每个裸芯片的引脚与所述基板和所述有机连接桥上的连接点均相连；
S4：对所述裸芯片与所述连接桥的连接进行保护。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，针对步骤S1，提供所述有机连接桥包括：
S21：提供载板，所述载板包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述载板一侧的外边缘，所述第二部分为所述外边缘界定的该侧平面；
S22：对所述第一部分添加剥离胶，对所述第二部分添加金属膜，并对剥离胶进行固化；
S23：在金属膜的表面添加介电层；
S24：在所述介电层上制备再分布导线层；
S25：去除当前的所述第一部分，当前所述第一部分至少包括附着在上面的剥离胶；以及
S26：剥落当前的所述第二部分，切割形成有机连接桥。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
针对步骤S2，在所述基板的所述表面上开槽以内嵌所述有机连接桥，或者在所述基板的所述表面上直接贴装所述有机连接桥。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述基板的开槽的深度范围为5-30微米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
针对步骤S4，通过塑封压模和/或底部填充对所述裸芯片与所述连接桥的连接进行保护。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
针对步骤S3，通过在所述基板的表面上以及所述有机连接桥上设有连接点来使得所述裸芯片通过相应焊点分别与所述基板和所述有机连接桥连接。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述有机连接桥与所述基板的介电材料均为有机材料，且所述基板与所述有机连接桥的热胀系数相匹配。
8.一种芯片，其特征在于，该芯片包括：
基板及设置在所述基板的表面的有机连接桥，其中所述基板和所述有机连接桥各自内置有再分布导线；以及
固定在所述基板的所述表面的至少两个裸芯片，其中每个裸芯片引脚与所述基板和所述有机连接桥上的连接点均相连。
9.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，
所述有机连接桥设于所述基板的一侧的开槽内，或，
所述有机连接桥贴装于所述基板的一侧。
10.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，
所述基板的开槽的深度范围为5-30微米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华封集芯电子有限公司，未经北京华封集芯电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310369310.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种辅助船舶远程驾驶的人机交互系统及辅助方法
- 下一篇：一种覆膜砂混砂装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
