[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 202110376723.1 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113539834A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 原淳雅;旦野克典;加渡干尚;山野飒 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/38 | 分类号： | H01L21/38;H01L21/40;H01L21/426;H01L21/477 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
本公开提供能够降低故障的风险的半导体元件的制造方法。本公开的制造方法是半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供在氧化镓系单晶半导体层的表面上形成有金属电极层且在上述氧化镓系单晶半导体层的表面上的没有层叠上述金属电极层的露出部的至少一部分掺杂有掺杂剂的半导体元件前驱体；及对上述半导体元件前驱体进行退火处理，由此，使上述掺杂剂向上述氧化镓系单晶半导体层中的与上述金属电极层在层叠方向上重叠的部分扩散，在上述氧化镓系单晶半导体层与上述金属电极层之间形成肖特基结。
技术领域
本公开涉及半导体元件的制造方法。
背景技术
目前，要求省电技术的开发，期待功率器件的低损耗化。功率器件搭载于在混合动力车、电动汽车搭载的变换器等所有的电力变换器。
为了实现低损耗的功率器件，能期待实现比现状的硅(Si)更高耐压、低损耗的功率器件的SiC、GaN等新的宽带隙半导体材料受到关注，正在活跃地进行研究开发。其中，氧化镓与SiC、GaN相比，由于以更大的带隙为代表的物性，在应用于功率器件的情况下，期待进一步的高耐压、低损耗化等优异的器件特性。
专利文献1涉及半导体元件的制造方法，公开了在向氧化镓单晶层离子注入Mg后进行活性化退火而形成高电阻区域，之后，在高电阻区域上配置金属电极层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-039194号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在向氧化镓系单晶半导体层通过离子注入而掺杂掺杂剂从而形成了高电阻区域的情况下，有时会在进行了离子注入的部分产生晶体缺陷等损伤。该损伤即使通过后续的退火处理也难以完全恢复。
因此，在采用专利文献1所公开的制造方法时，会在产生了这样的损伤的氧化镓系单晶半导体层的表面配置金属电极层，存在由该损伤引起的故障的风险。
本公开的目的在于，提供能够降低如上所述的故障的风险的半导体元件的制造方法。
用于解决课题的技术方案
本公开人发现了能够通过以下的技术方案达成上述课题：
《方案1》
一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：
提供半导体元件前驱体，所述半导体元件前驱体是在氧化镓系单晶半导体层的表面上形成有金属电极层并且在所述氧化镓系单晶半导体层的表面上的、没有层叠所述金属电极层的露出部的至少一部分掺杂有掺杂剂；和
对所述半导体元件前驱体进行退火处理，由此使所述掺杂剂向所述氧化镓系单晶半导体层中的与所述金属电极层在层叠方向上重叠的部分扩散。
《方案2》
根据方案1所述的制造方法，
提供所述半导体元件前驱体的步骤包括以下步骤：
在氧化镓系单晶半导体层的表面上的一部分层叠所述金属电极层；和
在层叠了所述金属电极层后，通过将所述掺杂剂向所述氧化镓系单晶半导体层的表面上的、没有层叠所述金属电极层的所述露出部的至少一部分进行离子注入而掺杂所述掺杂剂。
《方案3》
根据方案2所述的制造方法，包括以下步骤：
通过至少将所述金属电极层的一部分作为掩模而将所述掺杂剂进行离子注入，向所述露出部中的至少与层叠有所述金属电极层的部分相邻的部分掺杂所述掺杂剂。
《方案4》
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110376723.1/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
