[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 202110376723.1 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113539834A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 原淳雅;旦野克典;加渡干尚;山野飒 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/38 | 分类号： | H01L21/38;H01L21/40;H01L21/426;H01L21/477 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
1.一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：
提供半导体元件前驱体，所述半导体元件前驱体是在氧化镓系单晶半导体层的表面上形成有金属电极层并且在所述氧化镓系单晶半导体层的表面上的、没有层叠所述金属电极层的露出部的至少一部分掺杂有掺杂剂；和
对所述半导体元件前驱体进行退火处理，由此使所述掺杂剂向所述氧化镓系单晶半导体层中的与所述金属电极层在层叠方向上重叠的部分扩散。
2.根据权利要求1所述的制造方法，
提供所述半导体元件前驱体的步骤包括以下步骤：
在氧化镓系单晶半导体层的表面上的一部分层叠所述金属电极层；和
在层叠了所述金属电极层后，通过将所述掺杂剂向所述氧化镓系单晶半导体层的表面上的、没有层叠所述金属电极层的所述露出部的至少一部分进行离子注入而掺杂所述掺杂剂。
3.根据权利要求2所述的制造方法，
通过至少将所述金属电极层的一部分作为掩模而将所述掺杂剂进行离子注入，向所述露出部中的至少与层叠有所述金属电极层的部分相邻的部分掺杂所述掺杂剂。
4.根据权利要求2或3所述的制造方法，
向所述氧化镓系单晶半导体层离子注入的所述掺杂剂的剂量为5×1013cm-2～5×1014cm-2。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，
所述氧化镓系单晶半导体层具有基材层及形成在所述基材层上的漂移层，
所述金属电极层形成在所述漂移层的表面上，并且，
在所述漂移层的表面上的、没有层叠所述金属电极层的露出部的至少一部分掺杂有掺杂剂。
6.根据权利要求5所述的制造方法，
所述漂移层的厚度是0.5μm～20.0μm。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的制造方法，
所述金属电极层是由选自Ti、Mo、Ni及Pt的至少一种金属形成的层。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的制造方法，
所述掺杂剂是受主。
9.根据权利要求8所述的制造方法，
所述受主是Mg。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的制造方法，
在1000℃～1200℃的温度下进行所述退火处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110376723.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
