[发明专利]一种背面预蚀的封装结构的封装工艺

说明书

本发明涉及一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，本发明在金属基板的正面和背面同时进行化学蚀刻，背面位置可与正面蚀刻位置错开，背面蚀刻形状与尺寸不受限制，因此可以根据产品需要在背面蚀刻出固定的形状和深度，可根据需求定制，解决了目前芯片尺寸受限的难题，正面可贴装较大尺寸芯片；本发明的背面预蚀提高了蚀刻精度，减少后续的蚀刻时间及难度，提高了封装效率，同时减少废铜的排放，保护环境的同时节省能源。

技术领域

本发明涉及一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，属于半导体封装技术领域。

背景技术

平面凸点式封装FBP（Flat Bump Package）是一种新型的封装形式，它是针对QFN（Quad Flat No-lead）在封装工艺中一些无法根本解决的问题而重新选择的设计方案。目前FBP封装工艺为：在金属基板的正面蚀刻后再进行背面蚀刻，背面蚀刻的形状受正面形状的限制，后续在管脚镀锡时，由于锡具有聚力，可能导致整个产品偏离，因此外管脚一般需要设置成统一尺寸，才可使产品保持平衡，因此现有的引线框无法装尺寸较大的芯片，导致现有的引线框的芯片尺寸受到限制。

现有的工艺还存在以下问题：多次化学蚀刻带来环境污染问题，封装效率低，均需要新的封装工艺解决以上问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，背面蚀刻固定的形状和深度，减少后续蚀刻时间，减少废铜排放。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，包括如下步骤：

步骤一、取金属基板；

步骤二、金属基板表面预镀铜层；

步骤三、光刻作业

在步骤二的金属基板正面及背面贴覆或印刷可进行曝光显影的光阻材料，并利用曝光显影设备对金属基板表面的光阻材料进行曝光、显影与去除部分光阻材料；

步骤四、化学蚀刻

对步骤三中金属基板的正面和背面完成曝光显影的区域进行化学蚀刻，正面和背面同时进行蚀刻，背面按照产品需求蚀刻出固定的形状和深度；

步骤五、电镀金属线路层

在步骤四中化学蚀刻后的金属基板的正面与管脚相对应的位置电镀一层金属线路层，形成相应的基岛和引脚；

步骤六、装片

在步骤五形成的基岛正面植入芯片，在基岛正面涂覆导电或是不导电的粘结物质后将芯片与基岛接合，在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业；

步骤七、塑封

在步骤六中的装有芯片的金属基板的一面采用塑封料进行塑封；

步骤八、背面蚀刻

在步骤七中塑封后的金属基板的背面进行化学蚀刻，把除了引脚外多余的金属蚀刻掉；

步骤九、电镀金属层

在经过步骤八的背面蚀刻后的含有外管脚的金属基板的背面电镀金属层；

步骤十、切割成品。

一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，在步骤八和步骤九之间增加一个步骤：在经过步骤八背面蚀刻的金属基板的背面涂覆一层绝缘层。

一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，步骤二中的铜层厚度在2~10微米。

一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，步骤五中的金属线路层材料可以是铜、铝、镍、银、金、铜银、镍金、镍钯金，可以导电的金属物质都可以使用，并不局限铜、铝、镍、银、金、铜银、镍金、镍钯金等金属材料，电镀方式可以是化学沉积或是电解电镀方式。

一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，步骤七中采用的塑封方式可以采用模具灌胶方式、喷涂设备喷涂方式或是用贴膜方式；所述塑封料可以采用有填料物质或是无填料物质的环氧树脂。

一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，步骤九中的金属线路层材料可以是锡。