[发明专利]化学气相沉积方法、三维存储器及制备方法、存储器系统

说明书

本申请提供了化学气相沉积方法、三维存储器及制备方法、存储器系统。其中化学气相沉积方法包括提供功能结构，所述功能结构上设有通孔。在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层，每个所述导电层包括层叠设置的形核层与子导电层，所述形核层与所述子导电层的材质包括钨。本申请将现有技术中单层形核层、单层子导电层的导电层结构变为形核层与子导电层层叠交替设置。这样首先由于形核层中的晶粒粒径较小，致密度较高，可有效缓解在形成子导电层时因副产物的扩散而对其他层结构造成影响的问题，避免侵蚀其他材料。其次，可在一定程度上减小子导电层的厚度，从而减小形成子导电层时副产物产生的量，进而缓解副产物的扩散程度。

技术领域

本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及化学气相沉积方法、三维存储器及制备方法、存储器系统。

背景技术

由于三维存储器的功耗低、质量轻、并且属于性能优异的非易失存储产品，在电子产品中得到了越来越广泛的应用。但同时用户对三维存储器的期望值与要求也越来越高。例如，三维存储器内包括各种功能的电连接件，电连接件的形成通常需要在其他结构设置通孔，随后在通孔的内壁上通过化学气相沉积形成电连接件。但在形成电连接件时会产生副产物，该副产物会在其他层结构上不断扩散从而影响其他层结构的性能，甚至导致其他层结构被腐蚀的现象发生。

发明内容

鉴于此，本申请第一方面提供了一种化学气相沉积方法，包括：

提供功能结构，所述功能结构上设有通孔；

在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层，每个所述导电层包括层叠设置的形核层与子导电层，所述形核层与所述子导电层的材质包括钨。

本申请第一方面提供的化学气相沉积方法，通过在通孔的内壁形成层叠设置的多个导电层。其中，每个所述导电层包括层叠设置的形核层与子导电层。换句话说，本申请将现有技术中单层形核层、单层子导电层的导电层结构变为形核层与子导电层层叠交替设置。这样首先由于形核层中的晶粒粒径较小，致密度较高，可有效缓解在形成子导电层时因副产物的扩散而对其他层结构或者材料造成影响的问题。其次，由于本申请采用多层形核层与多层子导电层的结构来代替了单层形核层与单层子导电层的结构，可在一定程度上减小子导电层的厚度，从而减小形成子导电层时副产物产生的量，进而缓解副产物的扩散程度。

综上，本申请提供的制备方法，通过形成层叠交替设置的形核层与子导电层可缓解在形成子导电层时副产物扩散的问题，避免侵蚀其他材料。

其中，“在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层”包括：

在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层，且所述形核层相较于所述子导电层靠近所述通孔的内壁。

其中，“在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层”包括：

在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层，且所述多个子导电层中远离所述内壁的所述子导电层相连接。

其中，“在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层”包括：

在所述通孔的内壁上或者所述子导电层背离所述内壁的一侧形成所述形核层；

在所述形核层背离所述内壁的一侧形成所述子导电层。

其中，“在所述通孔的内壁上或者所述子导电层背离所述内壁的一侧形成所述形核层”包括：

向所述通孔内通入形核气体，以在所述通孔的内壁上或者所述子导电层背离所述内壁的一侧形成所述形核层；其中，所述形核气体包括六氟化钨与硅烷。

其中，在“在所述通孔的内壁上或者所述子导电层背离所述内壁的一侧形成所述形核层”之后，还包括：

对所述形核层进行钝化处理。

其中，“对所述形核层进行钝化处理”包括：