[发明专利]封装件及其制造方法

说明书

封装件包括具有彼此相对的第一侧和第二侧的管芯。该封装件还包括围绕管芯的密封材料。该封装件还包括设置在管芯的第一侧以及密封材料的上方的再分布层(RDL)结构。该封装件还包括设置在管芯的第二侧以及密封材料上方的散热部件。另外，该封装件还包括穿透管芯、RDL结构和散热部件的第一螺杆组件。本申请的实施例还涉及制造封装件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及封装件及其制造方法。

背景技术

由于各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体行业经历了快速的增长。大部分情况下,这种集成密度的提高源于最小部件尺寸的不断减小，从而使得更多的元件集成到特定区域中。近来，随着对小型化、更高速度和更大带宽、以及更低功耗和延迟的需求的增长，对于半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求也已增长。

随着半导体技术的进一步发展，晶圆级集成与封装已经作为有效替代形式出现以进一步减小半导体器件的物理尺寸。可以在衬底上形成某种类型的多个功能性管芯(例如，有源电路，诸如逻辑电路、存储器电路、或处理器电路等)。在诸如重组晶圆的晶圆级封装中，将不同类型的功能性管芯从它们各自的衬底分割出来，一起放置在载体衬底上，并且一起封装为单一功能性器件。此种晶圆级集成与封装工艺采用复杂的工艺，并且需要加以改进。先进封装技术的高集成度使得能够生产具有增强功能和小覆盖区的半导体器件，这对于小形状因数器件(诸如移动电话、平板电脑和数字音乐播放器)是有利的。另一优势是缩短了连接半导体器件内的互操作部分的导电路径的长度。这提高了半导体器件的电性能，因为电路之间互连的较短布线产生更快的信号传播并且减少了噪声和串扰。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种封装件，包括：第一管芯，具有彼此相对的第一侧和第二侧；密封材料，围绕所述第一管芯；再分布层(RDL)结构，设置在所述第一管芯的所述第一侧以及所述密封材料的上方；散热部件，设置在所述第一管芯的所述第二侧以及所述密封材料的上方；以及第一螺杆组件，穿透所述第一管芯、所述再分布层结构和所述散热部件。

本申请的另一些实施例提供了一种封装件，包括：第一功能性管芯和第二功能性管芯，由密封材料围绕，其中，所述第一功能性管芯的尺寸大于所述第二功能性管芯的尺寸；再分布层(RDL)结构，设置在所述第一功能性管芯的第一侧、所述第二功能性管芯的第一侧以及所述密封材料的第一侧的上方；散热部件，设置在所述第一功能性管芯的第二侧、所述第二功能性管芯的第二侧以及所述密封材料的第二侧的上方；以及第一螺杆组件，穿透所述第一管芯、所述再分布层结构和所述散热部件。

本申请的又一些实施例提供了一种制造封装件的方法，包括：将第一管芯设置在载体上方，其中，所述第一管芯具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧；形成围绕所述第一管芯的密封材料；从所述第一管芯的所述第二侧研磨所述第一管芯和所述密封材料；在所述第一管芯的所述第二侧以及所述密封材料的上方形成再分布层(RDL)结构；将所述载体去除；以及将散热部件设置在所述第一管芯的所述第一侧上方，并且将螺杆组件设置为穿透所述第一管芯、所述再分布层结构和所述散热部件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A至图1H是示出根据本发明的一些示例性实施例的封装件的制造方法中的各个阶段的示意性截面图。

图2至图6是示出根据本发明的一些示例性实施例的各个封装件的示意性截面图。

图7A至图7E是示出根据本发明的一些示例性实施例的各个封装件的示意性平面图。

图8是根据本发明的示例性实施例的另一封装件的示意性截面图。

图9是根据本发明的示例性实施例的另一封装件的示意性截面图。

具体实施方式