[发明专利]等离子体处理装置和消耗量测定方法在审

申请号：	202110275034.1	申请日：	2021-03-15
公开（公告）号：	CN113451098A	公开（公告）日：	2021-09-28
发明（设计）人：	高良穣二;秋本隆太;渡边雄仁	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32;H01L21/67
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	等离子体处理装置消耗量测定方法
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【说明书】：

本发明提供一种等离子体处理装置和消耗量测定方法，能够以不打开腔室的方式高精度地测定导电性构件的消耗量。等离子体处理装置具有处理容器和导电性构件，所述等离子体处理装置还具有：等离子体生成部，其构成为在处理容器内生成等离子体；电力施加部，其构成为在通过等离子体生成部在处理容器内生成了等离子体的状态下向导电性构件施加直流电力；测定部，其构成为测定与通过电力施加部施加的直流电力有关的物理量；以及计算部，其构成为将测定出的与直流电力有关的物理量使用于导电性构件的消耗量同与直流电力有关的物理量的相关函数，来求出导电性构件的消耗量。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置和消耗量测定方法。

背景技术

以往以来，已知一种使用等离子体来对晶圆等被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置例如在能够构成真空空间的处理容器内具有兼作电极的保持被处理体的载置台。等离子体处理装置通过向载置台施加规定的高频电力来对被配置于载置台的被处理体进行等离子体处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-115541号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够以不打开腔室的方式高精度地测定导电性构件的消耗量的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的等离子体处理装置是具有处理容器和导电性构件的等离子体处理装置，该等离子体处理装置还具有：等离子体生成部，其构成为在所述处理容器内生成等离子体；电力施加部，其构成为在通过所述等离子体生成部在所述处理容器内生成了等离子体的状态下向所述导电性构件施加直流电力；测定部，其构成为测定与通过所述电力施加部施加的所述直流电力有关的物理量；以及计算部，其构成为将测定出的与所述直流电力有关的物理量使用于所述导电性构件的消耗量同与所述直流电力有关的物理量之间的相关函数，来求出所述导电性构件的消耗量。

发明的效果

根据本公开，起到能够以不打开腔室的方式高精度地测定导电性构件的消耗量的效果。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构的概要截面图。

图2是示意性地表示生成等离子体的情况下的上部电极的电耦合的状态的一例的图。

图3是示意性地表示消耗后的上部电极的电耦合的状态的一例的图。

图4是表示配置有各消耗量的上部顶板的情况下的直流电压V与直流电流I的关系式的一例的图。

图5是表示上部顶板的消耗量与I/V比的相关函数的一例的图。

图6是表示利用通过等离子体处理装置进行的消耗量测定来进行的等离子体蚀刻处理的流程的一例的流程图。

图7是示意性地表示生成等离子体的情况下的聚焦环的电耦合的状态的一例的图。

图8是示意性地表示消耗后的聚焦环的电耦合的状态的一例的图。

图9是表示上部顶板的消耗量同与直流电压对应的直流电流之间的关系的一例的图。