[发明专利]一种封装结构及磁性芯片封装件

说明书

本发明提供了一种封装结构及磁性芯片封装件，该封装结构用于封装具有引脚的磁性芯片塑封件。通过采用第一封装件及第二封装件包裹磁性芯片塑封件的六个面，在磁性芯片塑封件外再额外加设由高磁导率材料制成的封装件，提高对磁性芯片的磁屏蔽效果。每个封装件均具有一个连接板及一体的两个折弯板，通过将两个封装件能够嵌套在一起，即可包裹磁性芯片塑封件的六个面。可以先预制好封装件，将两个封装件直接嵌套在一起即可完成装配。由第一封装件及第二封装件围成用于将引脚穿设于封装结构外的引脚孔，只需控制封装件的长度及宽度尺寸，使嵌套在一起时，两个封装件的边缘能够围成引脚孔即可。在加工封装件时，无需进行开孔工艺，简化封装件的加工。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种封装结构及磁性芯片封装件。

背景技术

磁性随机存储器(MagnetoresistiveRandom Access Memory，简称MRAM)利用磁矩的不同取向记录信息，具有非易失性，高速读写，写入次数高等特点。MRAM的数据存储在磁阻元件构成的阵列中，每个磁阻元件包含磁参考层以及磁自由层。当两层的磁矩方向相同时，元件处于低阻态(逻辑0)；两层的磁矩方向相反时，元件处于高阻态(逻辑1)。在元件设计中，磁参考层的磁矩方向具有较高的稳定性，而磁自由层的磁矩指向较易改变，因此可以以多种方式改变磁自由层磁矩指向，从而实现信息的输入。

磁场与磁矩的相互作用是磁性体系的基本属性。稳定性较弱的磁自由层磁矩在不同方向外磁场下可能会更容易翻转，也可以会更难以翻转。前者导致芯片的存储信息出错，后者导致芯片的写入电压升高。因此对磁性随机存储器芯片而言，外加磁场必须予以有效屏蔽。目前的MRAM静磁屏蔽方案还集中于封装裸片形成塑封件过程中的塑封层面或裸片内MTJ(Magnetic Tunnel Junctions，磁隧道结)的设计层面。而受限于尺寸和工艺问题，这两个层面的屏蔽效果较为有限。

发明内容

本发明提供了一种封装结构及磁性芯片封装件，用以提高磁性芯片的磁屏蔽效果，同时简化封装结构，便于加工及装配。

第一方面，本发明提供了一种封装结构，该封装结构用于封装具有引脚的磁性芯片塑封件。该封装结构包括均由高磁导率材料制成的第一封装件及第二封装件。其中，第一封装件包括矩形的第一连接板，在第一连接板的相对的两个边缘处具有向同一方向折弯的两个第一折弯板。第二封装件包括矩形的第二连接板，在第二连接板的相对的两个边缘处具有向同一方向折弯的两个第二折弯板。其中，第一封装件与第二封装件嵌套设置，第一连接板与第二连接板位置相对，第一连接板、第二连接板、两个第一折弯板及两个第二折弯板包裹磁性芯片塑封件的六个面。且在与引脚相对的位置处，第一封装件与第二封装件围成用于将引脚穿设于封装结构外的至少一个引脚孔。

在上述的方案中，通过采用第一封装件及第二封装件包裹磁性芯片塑封件的六个面，在磁性芯片塑封件外再额外加设由高磁导率材料制成的封装件，以提高对磁性芯片的磁屏蔽效果。同时每个封装件均具有一个连接板及一体的两个折弯板，通过简单的将两个封装件能够嵌套在一起，即可包裹磁性芯片塑封件的六个面。在应用时，可以先预制好封装件，在封装出磁性芯片塑封件之后，将两个封装件直接嵌套在一起即可完成装配，从而便于安装。且由第一封装件及第二封装件围成用于将引脚穿设于封装结构外的引脚孔，只需控制封装件的长度尺寸及宽度尺寸，使嵌套在一起时，两个封装件的边缘能够围成引脚孔即可。从而在加工封装件时，无需进行开孔工艺形成大量引脚孔，降低加工难度，简化封装件的加工。

在一个具体的实施方式中，磁性芯片塑封件具有相对的第一面及第二面、和分别均连接第一面及第二面的四个侧面，其中，第一面及第二面的面积均大于每个侧面的面积。磁性芯片塑封件的第一面固定在第一连接板上，第二连接板扣合在磁性芯片塑封件的第二面上。每个引脚孔由第一连接板的边缘、第二折弯板的边缘、和每个第一折弯板的部分边缘围成。

在一个具体的实施方式中，每个第一折弯板与第二连接板的外表面齐平，或每个第一折弯板均高于第二连接板的外表面。以提高对垂直磁场的磁屏蔽效果。