[发明专利]SOI衬底的制造方法在审
| 申请号： | 202080003712.2 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113133326A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 朴振源 | 申请（专利权）人： | 韩商则舒穆公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 衬底 制造 方法 | ||
1.一种SOI衬底的制造方法，包括：
(a)在第一单晶硅衬底的一面上形成硅剥离层的步骤；
(b)在硅剥离层上形成第一单晶硅外延层的步骤；
(c)在第一单晶硅外延层的一面上形成多个绝缘图案的步骤；
(d)在第一单晶硅外延层和绝缘图案上形成第二单晶硅外延层的步骤；
(e)将第二单晶硅外延层进行平坦化的步骤；
(f)接合第一单晶硅衬底与表面上形成有氧化层的第二单晶硅衬底的步骤；
(g)通过向硅剥离层施加能量来分离并去除第一单晶硅衬底的步骤；
(h)从第一单晶硅外延层的另一面向一面方向缩减厚度的同时进行去除的步骤。
2.如权利要求1所述的SOI衬底的制造方法，其中，步骤(a)与步骤(b)之间进一步包括：
(1)对硅剥离层的孔隙和表面进行氧化处理的步骤；
(2)去除硅剥离层表面上的氧化物的步骤；
(3)对硅剥离层表面进行再结晶化的步骤。
3.如权利要求1所述的SOI衬底的制造方法，其中，在步骤(e)中，将第二单晶硅外延层的厚度缩减至形成有绝缘图案的部分的同时进行平坦化。
4.如权利要求1所述的SOI衬底的制造方法，其中，绝缘图案至少是氧化硅、氮化硅中的任意一种材料。
5.如权利要求1所述的SOI衬底的制造方法，其中，步骤(e)的平坦化通过H2退火、Ar退火或者CMP方法执行。
6.如权利要求1所述的SOI衬底的制造方法，其中，步骤(g)是通过利用水冲方法或者机械冲击方法施加能量来切断硅剥离层，从而分离并去除第一单晶硅衬底的步骤。
7.如权利要求1所述的SOI衬底的制造方法，其中，在步骤(h)中，厚度缩减至形成有绝缘图案的部分。
8.如权利要求3或7所述的SOI衬底的制造方法，其中，绝缘图案起到厚度缩减阻挡物的作用。
9.如权利要求1所述的SOI衬底的制造方法，其中，步骤(e)与步骤(f)之间进一步包括：
(e2)至少在第二单晶硅外延层的上部形成凹陷氧化层的步骤。
10.如权利要求9所述的SOI衬底的制造方法，其中，在步骤(e2)中，凹陷氧化层形成于第二单晶硅外延层的槽部，所述第二单晶硅外延层被平坦化至低于绝缘图案的高度。
11.如权利要求9所述的SOI衬底的制造方法，其中，在步骤(e2)中，凹陷氧化层形成于第二单晶硅外延层的槽部和绝缘图案的上部，所述第二单晶硅外延层被平坦化至低于绝缘图案的高度。
12.如权利要求9所述的SOI衬底的制造方法，其中，步骤(e2)与步骤(f)之间进一步包括缩减凹陷氧化层的厚度并进行平坦化的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
