[发明专利]一种晶圆背面切割后金属沉积工艺

权利要求书

1.一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,其特征在于，金属沉积工艺包括以下步骤：

S1：一次金属沉积

对晶圆(1)的正面进行金属沉积,在晶圆(1)上形成第一沉积层(2)；

S2：键合

将晶圆(1)的正面键合在玻璃载板(4)上，玻璃载板(4)上设有粘合剂(3)；

S3：减薄

对晶圆(1)的背面进行减薄；

S4：光阻涂布

在晶圆(1)的背面进行光阻涂布，在晶粒(6)上形成光阻涂布层(5)，遮蔽晶圆(1)正面的晶粒(6)，曝光显影，暴露出切割线；

S5：切割

蚀刻切割晶圆(1)上晶粒(6)之间的切割线，完成晶粒切割，切割后相邻的晶粒(6)不接触；

S6：粘合剂去除

采用氧气电浆异向性蚀刻晶粒(6)之间的粘合剂(3)，在粘合剂(3)上形成第一凹槽(7)，氧气电浆同时去除光阻涂布层(5)；

S7：二次金属沉积

采用溅镀机或蒸镀机对晶粒(6)的背面进行金属沉积，在晶粒(6)的背面形成第二沉积层(9)，由于金属沉积的方向性或选择性，金属落入第一凹槽(7)内使得落入第一凹槽(7)内的金属与晶粒(6)不接触；

S8：固定

将晶粒(6)的背面固定在膜框(10)上；

S9：解键合

通过解键合将晶粒(6)从玻璃载板(4)上脱离下来；

S10：清理

对晶粒(6)正面的残留物进行清理，晶粒(6)被分离，固定在膜框(10)上。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,其特征在于，所述S2中粘合剂(3)通过加热键合或UV键合将晶圆(1)粘连在玻璃载板(4)上。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,其特征在于，所述S3减薄的厚度小于晶圆(1)的厚度。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,其特征在于，所述S5中采用含氟电浆对晶圆(1)进行蚀刻。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,其特征在于，所述S6中第一凹槽(7)的截面为平地的杯状结构。

6.根据权利要求1所述的一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,其特征在于，所述S6中异向性蚀刻前采用氧气电浆等向性蚀刻晶粒(6)之间的粘合剂(3)，在粘合剂(3)上形成第二凹槽(8)。

7.根据权利要求1所述的一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,其特征在于，所述S6中异向性蚀刻后采用氧气电浆等向性蚀刻晶粒(6)之间的粘合剂(3)，在第一凹槽(7)底部形成第二凹槽(8)。

8.根据权利要求6-7中任意一项所述的一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,其特征在于，所述第二凹槽(8)的深度大于第一凹槽(7)的深度。

9.根据权利要求6-7中任意一项所述的一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,其特征在于，所述第一凹槽(7)的宽度大于第二凹槽(8)的宽度。

10.根据权利要求1所述的一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,其特征在于，所述S9中通过镭射或加热的方式进行解键合。