[发明专利]一种含有碳化硅纳米插入层的涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种含有碳化硅纳米插入层的涂层，其特征在于，具体为交替层叠设置的AlCrTiN层和SiC纳米插入层，所述SiC纳米插入层位于两层AlCrTiN层之间；所述AlCrTiN层的厚度独立地为7～8nm，所述SiC纳米插入层的厚度独立地为0.2～1.2nm。

2.根据权利要求1所述的含有碳化硅纳米插入层的涂层，其特征在于，所述涂层的总厚度为1.5～3.5μm。

3.根据权利要求1所述的含有碳化硅纳米插入层的涂层，其特征在于，所述SiC纳米插入层的厚度独立地为0.2～0.5nm。

4.根据权利要求1所述的含有碳化硅纳米插入层的涂层，其特征在于，所述AlCrTiN层的厚度为7.5nm。

5.权利要求1～4任一项所述的含有碳化硅纳米插入层的涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

交替使用AlCrTi靶和SiC靶，在基体表面进行多靶磁控溅射，形成交替层叠设置的AlCrTiN层和SiC纳米插入层，得到所述含有碳化硅纳米插入层的涂层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述基体使用前还包括清洗，所述清洗为对所述基体抛光处理后，依次使用无水酒精和丙酮超声清洗再放入真空室，抽真空到6×10^-4Pa后通入Ar气，维持真空度在2～4Pa，对基体进行中频离子轰击，所述中频离子轰的功率为80～100W，时间为30min，所述使用无水酒精和丙酮超声清洗的超声功率独立地为15～30kHz，时间独立地为5～10min。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述AlCrTi靶为纯度99.99％的合金靶，所述SiC靶的纯度为99.99％，所述AlCrTi靶和SiC靶的直径均为75mm，靶基距独立地为3～7cm。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述多靶磁控溅射时的Ar气流量为10～20sccm，N₂气流量为10～20sccm；总气压范围为0.3～0.5Pa。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述AlCrTi靶的溅射功率为100～200W，时间为10～20s；所述SiC靶的溅射功率为100～200W，时间为2～10s。