[发明专利]半导体存储器装置

说明书

一种半导体存储器装置包含：第一和第二存储块，其沿第一方向布置；第一位线，其在所述第一方向上延伸，且包含第一和第二部分，所述第一和第二存储块分别通过所述第一和第二部分连接到所述第一位线；第一感测放大器，其连接到所述第一位线；第一布线，其在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，且当在与所述第一和第二方向相交的第三方向上看时，与所述第一位线的所述第二部分重叠；以及控制器，其在读取操作期间，将第一电压施加到所述第一位线，且将第二电压施加到所述第一布线。所述第一感测放大器与所述第一部分之间的第一距离短于所述第一感测放大器与所述第二部分之间的第二距离。

相关申请案的交叉参考

本申请是基于且要求来自2019年9月19日提交的日本专利申请第2019-170558号的优先权益，所述申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文中描述的实施例大体上涉及一种半导体存储器装置。

背景技术

包含沿第一方向布置的多个存储块和在所述第一方向上延伸且沿与所述第一方向相交的第二方向布置的多个位线的半导体存储器装置是已知的。

发明内容

实施例提供一种能够高速操作的半导体存储器装置。

一般来说，根据一个实施例，提供一种半导体存储器装置，其包含半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包含沿第一方向布置的第一和第二存储块；在所述第一方向上延伸且包含第一部分和第二部分的第一位线，所述第一存储块穿过所述第一部分连接到所述第一位线，且所述第二存储器块穿过所述第二部分连接到所述第一位线；第一感测放大器，其连接到所述第一位线；第一布线，其在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，且当在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上看时，与所述第一位线的所述第二部分重叠；以及控制器，其在读取操作期间将第一电压施加到所述第一位线，且将第二电压施加到所述第一布线。所述第一感测放大器与所述第一部分之间的第一距离短于所述第一感测放大器与所述第二部分之间的第二距离。

附图说明

图1是说明根据第一实施例的半导体存储器装置的配置实例的示意性框图；

图2是说明与图1相同的配置实例的示意性电路图；

图3是说明与图1相同的配置实例的示意性电路图；

图4是说明与图1相同的配置实例的示意性电路图；

图5是说明与图1相同的配置实例的示意性平面图；

图6是说明与图1相同的配置实例的示意性透视图；

图7是对应于图5中由A指示的部分的示意性透视图；

图8是对应于图5中由B指示的部分的示意性透视图；

图9是说明与图1相同的配置实例的示意性平面图；

图10是说明与图1相同的半导体存储器装置的第一读取操作的示意性波形图；

图11是说明与图1相同的半导体存储器装置的第二读取操作的示意性波形图；

图12是说明根据第一实施例的半导体存储器装置的第一配置实例的示意性俯视图；

图13是说明根据第一实施例的半导体存储器装置的第二配置实例的示意性俯视图；

图14是说明根据第一实施例的半导体存储器装置的第三配置实例的示意性俯视图；以及

图15是说明根据第一实施例的半导体存储器装置的第四配置实例的示意性俯视图。

具体实施方式

接下来，将参考附图详细描述根据实施例的半导体存储器装置。以下实施例仅为实例，且无意限制本公开。