[实用新型]半导体芯片结构

说明书

本实用新型提供了一种半导体芯片结构，包括半导体基片、形成在所述半导体基片上的线路层、电性连接所述线路层的导电凸块，所述导电凸块包括凸块本体、设置在所述凸块本体背离线路层一侧表面金属层、位于所述凸块本体与表面金属层之间的铁磁性材料层，所述铁磁性材料层的覆盖区域小于所述凸块本体的顶面。通过减小所述铁磁性材料层的尺寸，降低其对磁性线路区的磁场所造成的影响，确保产品的正常工作。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体芯片结构。

背景技术

随着电子产业的不断发展，市场对于半导体芯片及其封装结构的性能需求亦不断提高。现有的半导体芯片的线路层通常均需设置相应的导电凸块以实现外部连接，业内已公开有采用Cu/Ni/Au结构的导电凸块，该结构充分利用金属Cu散热性能好、阻抗低等优点，也克服了金属Cu自身bonding困难，且易氧化的劣势。

但上述导电凸块结构中金属Ni的存在可能会影响磁场讯号的采集量测，影响磁性线路区的磁场，可能导致变压器、电感器、滤波器等功能原件的失效。换言之，涉及磁场讯号测控的芯片结构通常难以采用具有铁磁性材料制得的导电凸块，限制了该类芯片产品的开发与性能优化。除此，上述Cu/Ni/Au结构的导电凸块中Au层面积较大，也增加了制造成本。

鉴于此，有必要提供一种新的半导体芯片结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体芯片结构，能够降低导电凸块对磁性线路区的磁场可能造成的影响，确保产品正常工作。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种半导体芯片结构，半导体芯片结构，包括半导体基片、形成在所述半导体基片上的线路层、电性连接所述线路层的导电凸块，其特征在于：所述导电凸块包括凸块本体、设置在所述凸块本体背离线路层一侧表面金属层、位于所述凸块本体与表面金属层之间的铁磁性材料层，所述铁磁性材料层的覆盖区域小于所述凸块本体的顶面。

作为本实用新型的进一步改进，所述半导体芯片结构还包括设置在所述凸块本体与线路层之间的金属种子层。

作为本实用新型的进一步改进，所述半导体芯片结构还包括保护层，所述线路层位于所述半导体基片与保护层之间，所述保护层开设有对应于所述导电凸块的连接窗口，所述凸块本体具有位于所述连接窗口内的第一部分、自所述第一部分沿背离所述半导体基片的方向延伸设置的第二部分，所述第二部分沿平行于所述半导体基片的方向的截面大于所述第一部分沿平行于所述半导体基片的方向的截面。

作为本实用新型的进一步改进，所述凸块本体由铜或铜合金制得。

作为本实用新型的进一步改进，所述表面金属层设置为金层；所述铁磁性材料层设置为镍层。

作为本实用新型的进一步改进，所述表面金属层、铁磁性材料层两者相互重合。

作为本实用新型的进一步改进，所述导电凸块沿垂直于所述半导体基片的方向延伸设置。

本实用新型的有益效果是：采用本实用新型半导体芯片结构，通过减小所述铁磁性材料层的尺寸，降低其对磁性线路区的磁场所造成的影响，确保产品的正常工作；也使得上述导电凸块的应用范围得以扩大，利于产品结构的开发设计。

附图说明

图1是本实用新型半导体芯片结构的结构示意图；

图2是用以制备本实用新型半导体芯片结构的晶圆衬底的结构示意图；

图3是本实用新型半导体芯片结构中凸块本体制备完成时的结构示意图；

图4是本实用新型半导体芯片结构中表面金属层制备完成时的结构示意图。

具体实施方式