[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

导电图案，从所述基板垂直地延伸；

支持结构，从所述导电图案的外侧壁水平地延伸；

第一导电层，覆盖所述导电图案；以及

介电层，至少覆盖所述第一导电层以及所述支持结构。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电图案电性连接至所述基板的接触区域且所述导电图案包括氮化钛(TiN)、氮化硅钛(TiSiN)、氮化钨(WN)或材料选自钛、钨、氧、氮以及硅的化合物。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电层包括钨、氮化钨、具有钨的材料或具有氮的材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括蚀刻停止层，形成于所述基板上并接触所述导电图案，其特征在于，所述蚀刻停止层包括选自氮化硅(SiN)、氮化硅硼(SiBN)、氮化硅碳(SiCN)、碳化硅(SiC)、氧氮化硅(SiON)或氧碳化硅(SiOC)的材料。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括第二导电层，覆盖所述介电层，其特征在于，所述导电层包括选自氮化钛(TiN)、氮化钛铝硅(TiSiN)、氮化钨(WN)或材料选自钛、钨、氧、氮以及硅的化合物。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电图案的厚度小于等于150埃(A)，所述第一导电层的厚度小于等于50埃(A)。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电图案与所述第一导电层的组合作为动态随机存取存储器(DRAM)中电容器的下电极，所述下电极的有效值(root meansquare，RMS)小于等于20纳米(nm)，所述下电极的电阻率小于等于150微奥姆－公分(μΩ·cm)。

8.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基板，所述基板具有蚀刻停止层形成于其上；

在所述蚀刻停止层上形成预迭结构，所述预迭结构包括接触所述蚀刻停止层的下牺牲层、支撑层以及上牺牲层；

形成穿透所述预迭结构与所述蚀刻停止层的孔洞；

在所述孔洞中形成导电图案；

移除所述上牺牲层以及所述支撑层的部分；

移除所述下牺牲层；

形成覆盖所述导电图案的第一导电层；以及

形成覆盖所述第一导电层、所述支撑层的剩余部分以及所述蚀刻停止层的介电层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述支撑层的所述剩余部分从所述导电图案的外侧壁水平地延伸。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述导电图案的第一导电层包括以选择性沉积处理将所述第一导电层选择性地沉积于所述导电图案上，所述选择性沉积处理包括原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)或连续流沉积(SFD)。