[发明专利]存储阵列块及半导体存储器有效
| 申请号： | 201910866578.8 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110739012B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘毅华;肖韩;王宗巍;蔡一茂;黄如 | 申请（专利权）人： | 杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 阵列 半导体 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储阵列块，其特征在于，包括：
阵列分布的多个存储电路，其中，每个所述存储电路包括：
第一晶体管，所述第一晶体管的漏极分别通过第一存储单元连接至第一位线，通过第二存储单元连接至第二位线；所述第一晶体管的栅极连接至第一字线，以控制所述第一晶体管导通或关断；
第二晶体管，所述第二晶体管的漏极分别通过第三存储单元连接至所述第一位线，通过第四存储单元连接至所述第二位线；所述第二晶体管的栅极连接至第二字线，以控制所述第二晶体管导通或关断；所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接至地线；
其中，当所述第一位线导通时，所述第二位线断开；当所述第二位线导通时，所述第一位线断开；
所述第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元及第四存储单元均为忆阻器器件；所述忆阻器器件的制作材料为氧化钽。
2.一种半导体存储器，其特征在于，包括如权利要求1所述的存储阵列块。
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