[发明专利]存储阵列块及半导体存储器有效
| 申请号： | 201910866578.8 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110739012B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘毅华;肖韩;王宗巍;蔡一茂;黄如 | 申请（专利权）人： | 杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种存储阵列块及半导体存储器，该存储阵列块包括：阵列分布的多个存储电路，每个所述存储电路包括：第一晶体管，该第一晶体管的漏极分别通过第一存储单元连接至第一位线，通过第二存储单元连接至第二位线；第二晶体管，该第二晶体管的漏极分别通过第三存储单元连接至第一位线，通过第四存储单元连接至第二位线；第一晶体管的源极和第二晶体管的源极连接至地线；其中，当第一位线导通时，第二位线断开；当第二位线导通时，第一位线断开。本申请中，一个晶体管对应两个存储单元，与现有的1T1R技术相比，本申请提供的1T2R存储器件降低了有效存储器面积，可以节约各种芯片的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 阵列 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储阵列块，其特征在于，包括：/n阵列分布的多个存储电路，其中，每个所述存储电路包括：/n第一晶体管，所述第一晶体管的漏极分别通过第一存储单元连接至第一位线，通过第二存储单元连接至第二位线；/n第二晶体管，所述第二晶体管的漏极分别通过第三存储单元连接至所述第一位线，通过第四存储单元连接至所述第二位线；所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接至地线；/n其中，当所述第一位线导通时，所述第二位线断开；当所述第二位线导通时，所述第一位线断开。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院，未经杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910866578.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
