[发明专利]膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法

说明书

本发明公开一种用于黏合半导体元件和搭载所述半导体元件的支承部件的膜状黏合剂。膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂及丙烯酸橡胶，在丙烯酸橡胶的红外吸收光谱中，将源自羰基的伸缩振动的吸收峰的高度设为P_CO、将源自腈基的伸缩振动的峰的高度设为P_CN时，P_CO及P_CN满足下述式(1)的条件，膜状黏合剂的厚度为50μm以下。P_CN/P_CO＜0.070(1)。

技术领域

本发明涉及一种膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法。

背景技术

近年来，将半导体元件(半导体芯片)层叠为多层而成的的堆叠MCP(Multi ChipPackage：多芯片封装)正在普及，其作为移动电话、便携式音频设备用存储器半导体封装等而被搭载。并且，随着移动电话等的多功能化，半导体封装的高速化、高密度化、高集成化等也正在推进中。随之，通过使用铜作为半导体芯片电路的配线材料来实现高速化。并且，从提高与复杂的搭载基板的连接可靠性、促进从半导体封装的排热的观点考虑，逐渐使用将铜作为材料的引线框等。

但是，铜具有容易腐蚀的特性，并且，从低成本化的观点考虑，用于确保电路面的绝缘性的涂覆材料也趋于被简化，因此具有难以确保半导体封装的电特性的倾向。尤其，在层叠有多层半导体芯片的半导体封装中，因腐蚀而产生的铜离子在黏合剂内部移动，具有容易引起半导体芯片内或半导体芯片/半导体芯片之间的电信号的损耗的倾向。

并且，从高功能化的观点考虑，将半导体元件连接于复杂的搭载基板的情况较多，为了提高连接可靠性，具有喜好将铜作为材料的引线框的倾向。即使在这种情况下，有时由从引线框产生的铜离子引起的电信号的损耗成为问题。

另外，在使用了将铜作为材料的部件的半导体封装中，从该部件产生铜离子，这引起电故障的可能性高，有可能无法得到充分的耐HAST性。

从防止电信号的损耗等的观点考虑，正在对捕捉在半导体封装内产生的铜离子的黏合剂进行研究。例如，在专利文献1中公开了一种半导体装置制造用黏合片，其具有热塑性树脂和有机系络合物形成化合物，该热塑性树脂具有环氧基且不具有羧基，该有机系络合物形成化合物具有在环原子中包含叔氮原子的杂环化合物，并与阳离子形成络合物。

然而，在以往的黏合剂中，在抑制黏合剂内的铜离子渗透的方面并不充分，仍有改善的余地。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-026566号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

因此，本发明的主要目的在于提供一种能够充分抑制黏合剂内的铜离子渗透的膜状黏合剂。

用于解决技术课题的手段

本发明人等进行了深入研究的结果，发现通过使用特定的丙烯酸橡胶，能够充分抑制黏合剂内的铜离子渗透，从而完成了本发明。

本发明的一侧面提供一种膜状黏合剂，其用于黏合半导体元件和搭载半导体元件的支承部件，其中，膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂及丙烯酸橡胶，在丙烯酸橡胶的红外吸收光谱中，将源自羰基的伸缩振动的吸收峰的高度设为P_CO、将源自腈基的伸缩振动的峰的高度设为P_CN时，P_CO及P_CN满足下述式(1)的条件，膜状黏合剂的厚度为50μm以下。

P_CN/P_CO＜0.070 (1)