[实用新型]一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件有效
| 申请号： | 201820229848.5 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN207852683U | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 殷允超;周祥瑞 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘介质层 沟槽MOSFET器件 半导体基板 本实用新型 低导通电阻 接触孔 刻蚀 漂移 半导体器件 栅极多晶硅 导通电阻 第二电极 第一电极 硅表面区 欧姆接触 器件元胞 相邻沟槽 栅氧化层 最小元 邻接 衬底 对位 光刻 金属 制造 | ||
1.一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件，包括位于器件中心区的有源区和位于有源区外围的终端保护区，所述有源区包括若干个相互并联的器件元胞单元，所述器件元胞单元包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底（02）及位于第一导电类型衬底（02）上的第一导电类型漂移区（01），所述第一导电类型衬底（02）下层设有第二电极（07），所述第二电极（07）与第一导电类型衬底（02）欧姆接触；在所述第一导电类型漂移区（01）内设有第二导电类型体区（05）及位于第二导电类型体区（05）间的沟槽（03），其特征在于，所述第二导电类型体区（05）上方设有第一导电类型源区（06）和第二导电类型阱区（04），所述沟槽（03）内设有位于沟槽（03）内壁的栅氧化层（08）、位于沟槽（03）上方的绝缘介质层（10）及被栅氧化层（08）和绝缘介质层（10）包围的栅极多晶硅（09），所述第一导电类型源区（06）与沟槽（03）内的绝缘介质层（10）左右邻接且底部低于栅极多晶硅（09）顶部，在所述绝缘介质层（10）、第一导电类型源区（06）和第二导电类型阱区（04）上方设有第一电极（11）。
2.根据权利要求1所述的一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述第一电极（11）和第二电极（07）均为金属层。
3.根据权利要求1所述的一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述第一电极（11）与栅极多晶硅（09）间通过绝缘介质层（10）隔开绝缘。
4.根据权利要求1所述的一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述第二电极（07）与第一导电类型衬底（02）欧姆接触，所述第一电极（11）与第一导电类型源区（06）欧姆接触，所述第一电极（11）与第二导电类型阱区（04）欧姆接触。
5.根据权利要求1所述的一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件，其特征在于，对于N型沟槽MOSFET器件，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P型导电；对于P型沟槽MOSFET器件，所述第一导电类型为P型导电，所述第二导电类型为N型导电。
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