[实用新型]一种倒装芯片共晶焊接小间距LED灯珠

说明书

本实用新型公开了一种倒装芯片共晶焊接小间距LED灯珠，包括外延层、半导体衬底和灯光驱动芯片，所述外延层铺设在半导体衬底的上表面，所述半导体衬底的下表面设置有电极棒，所述外延层的内表面设置有银胶层，所述银胶层的上表面设置有LED芯片，所述外延层的上端设置有绝缘层，所述绝缘层的上表面设置有电极，所述电极的内壁上设置有灯光驱动芯片，采用PWM调光技术，数据的传输和接受就会有很大的改观，不再受到接受电路分辨率的影响了，极大的提高了抗噪能力，通过输出滤波电容及放电电阻，得到恒流稳定的恒流，这样既能保证灯珠的正常工作，也保证了灯珠的高效率工作，为灯光的稳定调光提供了有利的保证。

技术领域

本实用新型涉及小间距LED灯珠领域，具体为一种倒装芯片共晶焊接小间距LED灯珠。

背景技术

大功率阵列器件是由发光二极管按照一定工艺方式构成的，阵列的基本单元是单个的晶片或灯珠，而晶片的主体发光部分在发光二极管，对于发光二极管的结构和发光原理的研究，才能找出产热的主要来源，现有的倒装芯片共晶焊接小间距LED灯珠还存在以下不足之处：

例如，申请号为201420706727.7，专利名称为一种宽间距全彩LED灯珠的实用新型专利：

其采用正球体灯头，提升了灯珠各个方向的光线明暗均匀度；支架折弯减小了灯头体积的同时保持了支杆底端间距，实现高密度屏设计的同时降低了焊接过程中的连锡现象，缩短了生产工时，提升了效率；合理的卡点位置设计，提升了灯珠亮度。

但是，现有的倒装芯片共晶焊接小间距LED灯珠存在以下缺陷：

(1)现有的发光二极管的制备方法是在衬底上通过外延生长掺杂的半导体材料，但是在封装结构中由于光子出射过程中出射角度是随机的，并非所有光都能穿过半导体空气界面，很大一部分光由于入射角大于界面的全反射临界角，发生全反射而无法穿过半导体空气界面，一部分被交界面的材料吸收导致无法出射，一部分有反射回芯片内部被各层材料吸收使得芯片温度升高，由于反射作用导致光损失；

(2)在模拟电路中，电压的值可以千变万化，不受任何限制，而不像数字电路只有0和1，高和低等，输出相比于输出是呈现出线性的作用，所以在应用中能直接通过电压或者电流来控制对象，但模拟电路有诸多的问题：功耗大、易受噪声和环境干扰等；

发明内容

为了克服现有技术方案的不足，本实用新型提供一种倒装芯片共晶焊接小间距LED灯珠，能有效的解决背景技术提出的问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种倒装芯片共晶焊接小间距LED灯珠，包括外延层、半导体衬底和灯光驱动芯片，所述外延层铺设在半导体衬底的上表面，所述半导体衬底的下表面设置有电极棒，所述外延层的内表面设置有银胶层，所述银胶层的上表面设置有LED芯片，所述外延层的上端设置有绝缘层，所述绝缘层的上表面设置有电极，所述电极的内壁上设置有灯光驱动芯片；

所述灯光驱动芯片包括驱动芯片，所述驱动芯片的VDD和LD接口均通过第一电容直接接地，所述驱动芯片的输入端分别连接有滤波电容和电源，所述滤波电容的负极端直接接地，所述驱动芯片的门电路接口连接有场效应管，所述场效应管的源极分别连接有二极管和负载电阻，所述负载电阻的另一端与储能电容相连接，所述二极管和储能电容之间并联连接，所述二极管和储能电容的并联节点与驱动芯片的输入端相连接。

进一步地，所述场效应管的栅极分别连接有驱动芯片的电压接口和第二电阻，所述第二电阻的另一端直接接地。

进一步地，所述储能电容的两端直接并接有多组LED芯片。

进一步地，所述半导体衬底的外表面还设置有半球形环氧树脂顶盖。

进一步地，所述外延层的内部包括P型半导体和N型半导体。