[发明专利]CMOS型LTPS TFT基板的制作方法

说明书

本发明提供一种CMOS型LTPS TFT基板的制作方法，通过一道半透光光罩在第二多晶硅有源层需进行P型离子重掺杂的区域上方形成第二光阻图案的第二光阻段作为保护层，在对第一多晶硅有源层进行N型离子重掺杂时，能够有效阻挡N型离子植入第二多晶硅有源层设置的第二源漏极接触区中，相比于现有技术，后续在对第二多晶硅有源层进行P型离子重掺杂以形成第二源漏极接触区时，无需额外补偿P型离子，降低了P型离子重掺杂制程的产能损失，N型离子重掺杂制程无法对PMOS晶体管产生影响，提高了PMOS晶体管电性的收敛性，同时又因减少了对第二多晶硅有源层的离子植入次数，降低了离子植入对薄膜晶格结构的破坏，提高了器件的稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种CMOS型LTPS TFT基板的制作方法。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)显示器等平板显示装置因具有机身薄、高画质、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列(Array)基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向，用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。通常阵列基板上薄膜晶体管的结构又包括自下而上依次层叠设置于基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、及绝缘保护层。

其中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管与传统非晶硅(A-Si)薄膜晶体管相比，虽然制作工艺复杂，但因其具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的LCD和AMOLED显示面板的制作，低温多晶硅被视为实现低成本全彩平板显示的重要材料。