[发明专利]CMOS型LTPS TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种CMOS型LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供基板(10)，在所述基板(10)上形成缓冲层(20)，在所述缓冲层(20)上形成相互间隔的第一多晶硅有源层(31)以及第二多晶硅有源层(32)，在所述缓冲层(20)上形成覆盖第一多晶硅有源层(31)和第二多晶硅有源层(32)的栅极绝缘层(40)，在所述栅极绝缘层(40)上沉积金属层(50)，在所述金属层(50)上涂覆光阻，并通过一道半透光光罩对该光阻进行曝光显影处理，形成对应位于第一多晶硅有源层(31)中部上方的第一光阻图案(91)和在第二多晶硅有源层(32)上方完全遮盖第二多晶硅有源层(32)的第二光阻图案(92)；所述第二光阻图案(92)具有位于中间的第一光阻段(921)及与第一光阻段(921)两侧相连的厚度小于第一光阻段(921)的第二光阻段(922)；

步骤S2、以所述第一光阻图案(91)和第二光阻图案(92)为遮蔽层，对所述金属层(50)进行第一次蚀刻形成位于第一多晶硅有源层(31)中部上方的第一准栅极(51’)和位于第二多晶硅有源层(32)上方完全遮盖第二多晶硅有源层(32)的第二准栅极(52’)；

步骤S3、以所述第一光阻图案(91)为遮蔽层，对所述第一多晶硅有源层(31)进行N型离子重掺杂，形成第一多晶硅有源层(31)两端的第一源漏极接触区(311)；

步骤S4、对所述第一光阻图案(91)和第二光阻图案(92)进行灰化处理，减薄所述第一光阻图案(91)和第二光阻图案(92)的厚度，使得第一光阻图案(91)以及第二光阻图案(92)的第一光阻段(921)的厚度减少，而第二光阻图案(92)的第二光阻段(922)被去除掉而露出第二多晶硅有源层(32)的两端；

步骤S5、对所述金属层(50)进行第二次蚀刻，使所述第一准栅极(51’)两侧被横向蚀刻而宽度减小，由第一准栅极(51’)得到第一栅极(51)，由第二准栅极(52’)得到对应位于第二多晶硅有源层(32)中部上方的第二栅极(52)，剥离去除剩余的第一光阻图案(91)和第二光阻图案(92)；

步骤S6、以所述第一栅极(51)为遮蔽层，对所述第一多晶硅有源层(31)进行N型离子轻掺杂，得到第一多晶硅有源层(31)中部的对应位于所述第一栅极(51)下方的第一沟道区(312)以及所述第一源漏极接触区(311)和第一沟道区(312)之间的第一LDD区(313)；

步骤S7、在所述栅极绝缘层(40)和第一栅极(51)上形成遮盖第一多晶硅有源层(31)的光阻保护层(95)，以所述第二栅极(52)为遮蔽层，对所述第二多晶硅有源层(32)两端没有被第二栅极(52)遮盖的部分进行P型离子重掺杂，形成第二多晶硅有源层(32)两端的第二源漏极接触区(321)及第二多晶硅有源层(32)中部的对应位于所述第二栅极(52)下方的第二沟道区(322)，去除所述光阻保护层(95)；

所述步骤S6中还以所述第二栅极(52)为遮蔽层，同时对所述第二多晶硅有源层(32)进行N型离子轻掺杂。

2.如权利要求1所述的CMOS型LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中所使用的半透光光罩具有不透光区、半透光区及剩余的全透光区，其中所述不透光区用于形成第一光阻图案(91)以及第二光阻图案(92)的第一光阻段(921)，所述半透光区用于形成第二光阻图案(92)的第二光阻段(922)。

3.如权利要求1所述的CMOS型LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中所使用的半透光光罩为灰阶光罩或半色调光罩。

4.如权利要求1所述的CMOS型LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中通过氧气对所述第一光阻图案(91)和第二光阻图案(92)进行灰化处理。

5.如权利要求1所述的CMOS型LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，通过干法蚀刻对所述金属层(50)进行第二次蚀刻，对所述金属层(50)进行第二次蚀刻的蚀刻气体包含氧气和氯气。