[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201780031354.4 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN109314049A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 大野克巳;平野兼史;根岸将人;铃木正人;吉野达郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/53 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 激光 半导体材料 半导体基板 半导体装置 不透明 照射 半导体芯片 透明的 切片 制造 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包含：
准备包含第1半导体层和第2半导体层的半导体基板的步骤；和
从所述第1半导体层侧对所述半导体基板照射激光，从而将所述半导体基板切片为半导体芯片的步骤，
所述第1半导体层包含对所述激光透明的半导体材料，
所述第2半导体层包含对所述激光不透明的半导体材料，
在照射所述激光的步骤中，照射使所述第1半导体层的半导体材料变化为对所述激光不透明的强度的激光。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在照射所述激光的步骤中，照射椭圆形光束。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述半导体基板的第1半导体层固定于固定件，该固定件对所述激光透明且保持所述半导体基板。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
在准备所述半导体基板的步骤中，在所述第2半导体层形成半导体元件。
5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
在照射所述激光的步骤中，使所述激光会聚于所述第1半导体层和所述固定件的边界面、所述第1半导体层的内部或所述固定件的内部。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述固定件中与所述半导体基板被固定的面相反侧的面，设置有对所述激光透明且刚性比所述固定件高的板构件。
7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
进一步包含在照射所述激光的步骤之前在所述半导体基板的表面形成裂纹的步骤。
8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述半导体基板的第2半导体层中，在与所述第1半导体层相反侧的面设置有反射层。
9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
在照射所述激光的步骤中，照射激光以使所述第1半导体层的半导体材料汽化。
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