[发明专利]半导体装置的制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制作方法，包括：

提供一基板；

形成一第一材料层于该基板上方，其中该第一材料层具有一第一光学特性及一第一抗蚀刻性；

在形成该第一材料层之后，沉积一第二材料层于该第一材料层上方，其中该第二材料层包含一硅硬掩模，且其中该第二材料层具有一第二光学特性及一第二抗蚀刻性；

在沉积该第二材料层之后，形成一光致抗蚀剂层于该第二材料层上，其中该光致抗蚀剂层包括具有一自由基产生剂、一有机核心、以及一有机溶剂的一金属络合物，且其中该有机核心包括至少一交联点位，且其中该自由基产生剂包含对极紫外线具有高吸收的原子及多个甲基，且其中该光致抗蚀剂层具有有一第三光学特性及一第三抗蚀刻性，其中该第一光学特性不同于该第二光学特性及该第三光学特性，且其中该第一抗蚀刻性、该第二抗蚀刻性及该第三抗蚀刻性不同；

在形成该光致抗蚀剂层之后，对该光致抗蚀剂层进行一曝光工艺，使得该自由基产生剂产生多个自由基以活化该至少一交联点位元，并使该金属络合物与另一金属络合物交联；

在该曝光工艺后，显影曝光后的该光致抗蚀剂层以形成具有暴露该硅硬掩模的多个第一开口的一图案化光致抗蚀剂层；

在形成该图案化光致抗蚀剂层之后，通过该图案化光致抗蚀剂层中的该些第一开口蚀刻该硅硬掩模，以形成具有暴露该第一材料层的多个第二开口的一图案化硅硬掩模；以及

在形成该图案化硅硬掩模之后，通过该图案化硅硬掩模中的该些第二开口蚀刻该第一材料层，以形成多个鳍状主动区。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该自由基产生剂为部分的该金属核心，且该金属核心为一单一金属分子或具有自由基产生剂功能的一金属簇。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该自由基产生剂与该有机溶剂的重量比例介于1％至20％之间。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该有机核心与该有机溶剂的重量比例介于3％至35％之间。

5.如权利要求2所述的半导体装置的制作方法，其中该金属核心与该有机溶剂的重量比例介于3％至30％之间。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该自由基产生剂包含对极紫外线具有高吸收的原子，其还包括铯、钡、镧、铈、铟、锡、银、或锑。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该自由基产生剂耦接至一聚合物，且该聚合物包括聚苯乙烯、丙烯酸酯、或碳数介于1至10的单元。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该有机核心包括碳数介于8至60之间的烷基/烷氧基/氟化烷基/氟化烷氧基的直链状或环状结构或芳香碳环。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该至少一交联点位包含具有碳双键或碳三键的一结构。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制作方法，其中具有碳双键或碳三键的该结构包括R(M)-CH＝或R(M)-C≡。