[发明专利]存储器的阈值电压的恢复方法及装置

说明书

本发明公开了一种存储器的阈值电压的恢复方法及装置，包括：对存储器包含的至少一组存储单元依次进行恢复读操作，其中，对存储单元的栅极施加第一电压，对参考存储单元的栅极施加第二电压，且参考存储单元的漏极与基准电流源的第一端相连，基准电流源的第二端接地；对恢复读操作中，处于编程状态的存储单元进行恢复验证操作，其中，对处于编程状态的存储单元的栅极施加第一电压，对参考存储单元的栅极施加第一电压；对恢复验证操作中，处于擦除状态的存储单元进行编程操作。本发明实施例的技术方案，通过基准电流源，为从参考存储单元的漏极和源极之间的电流增加基准电流源产生的电流，消除了电压变化带来的跨导的影响，缩短了恢复操作的时间。

技术领域

本发明实施例涉及非易失性存储器技术领域，尤其涉及一种存储器的阈值电压的恢复方法及装置。

背景技术

处于编程状态的存储单元放的时间太久，存在电子流失的情况，当电子流失到一定程度时，会使得处于编程状态的存储单元的阈值电压降低到一定数值，处于弱编程状态。

现有技术的第一种解决方法是：对处于弱编程状态的存储单元进行恢复读操作(recovery read)和恢复验证操作(recovery verify)，其中，恢复读操作对存储单元和参考存储单元的栅极施加的电压和正常读取的电压是一样的。恢复验证操作时，对于存储单元和参考存储单元的栅极施加的电压大于正常读取的电压。此方法的缺陷是：恢复读操作和恢复验证操作对于存储单元和参考存储单元的栅极施加的电压是不同，造成由于需要进行电压切换，导致恢复读操作和恢复验证操作时间较长。

现有技术中的第二种解决方法是：对处于弱编程状态的存储单元进行恢复读操作和恢复验证操作，其中，恢复读操作对存储单元和参考存储单元的栅极施加的电压均大于正常读取的电压。恢复验证操作时，对于存储单元和参考存储单元的栅极施加的电压大于正常读取的电压。此方法的缺陷是：很容易在恢复读操作过程中，将处于擦除状态的存储单元读成编程状态的存储单元。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种存储器的阈值电压的恢复方法及装置，解决了现有技术中在恢复读操作和恢复验证操作过程中，存储单元以及参考存储单元之间的栅极电压切换时间过长以及在恢复读操作时容易发生读取错误的问题，进而达到将处于弱编程状态的存储单元的阈值电压提升到编程状态的目的。

第一方面，本发明实施例提供了一种存储器的阈值电压的恢复方法，包括：

对所述存储器包含的至少一组存储单元依次进行恢复读操作，每一组所述存储单元包括至少一个存储单元，其中，对所述存储单元的栅极施加第一电压，对参考存储单元的栅极施加第二电压，所述第二电压小于所述第一电压，且所述参考存储单元的漏极与基准电流源的第一端相连，所述基准电流源的第二端接地；

若所述恢复读操作的读取结果中，有处于编程状态的存储单元，则对所述处于编程状态的存储单元进行恢复验证操作，其中，对所述处于编程状态的存储单元的栅极施加所述第一电压，对所述参考存储单元的栅极施加所述第一电压；

若所述恢复验证操作的读取结果中，有处于擦除状态的存储单元，则对所述处于擦除状态的存储单元进行编程操作。

可选的，若所述恢复读操作中，所述存储单元包括的存储单元的读取结果全为擦除状态，则对下一组存储单元进行所述恢复读操作。

可选的，若所述恢复验证操作中，所述存储单元包括的存储单元的读取结果全为编程状态，则对下一组存储单元进行所述恢复读操作。

可选的，阈值电压小于第一阈值的存储单元，在所述恢复读操作中的读取结果为擦除状态；

阈值电压大于或等于所述第一阈值的存储单元，在所述恢复读操作中的读取结果为编程状态；

阈值电压大于或等于所述第一阈值且小于所述第二阈值的存储单元，在所述恢复验证操作中的读取结果为擦除状态；