[发明专利]沟槽肖特基终端区沟槽刻蚀方法及沟槽肖特基制备方法

权利要求书

1.沟槽式肖特基终端区的沟槽刻蚀方法，其特征在于：包括在所述沟槽式肖特基的终端区刻蚀多个沟槽，所述沟槽的宽度小于3um。

2.根据权利要求1所述的沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀多个沟槽包括使用掩模板对所述沟槽式肖特基的终端区进行光刻图形，所述掩模板的终端区部分设有多个透光区域，所述透光区域的宽度小于3um。

3.根据权利要求2所述的沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀多个沟槽还包括在所述光刻图形之前在衬底上制造硬掩膜层，所述光刻图形在所述硬掩膜层上进行。

4.根据权利要求2或3所述的沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀多个沟槽还包括在所述光刻图形之后进行：刻蚀掩膜层、去胶、刻蚀沟槽。

5.沟槽式肖特基的制备方法，其特征在于：包括：

1)提供衬底材料；

2)在所述衬底材料上进行沟槽刻蚀；

3)在步骤2)得到的产品表面生长栅氧化层；

4)在步骤3)得到的产品表面沉积多晶硅，并进行多晶刻蚀；

5)在步骤4)得到的产品表面沉积介质层；

6)对所述介质层进行孔层刻蚀；

7)对所述孔层刻蚀产生的孔进行势垒金属溅射或沉积，完成势垒合金，进行正面金属沉积；

步骤2)中使用如权利要求1-4任一所述的沟槽刻蚀方法对所述衬底材料的终端区进行沟槽刻蚀。

6.根据权利要求5所述的制备沟槽式肖特基的方法，其特征在于：步骤6)中所述孔层刻蚀包括对所述介质层的终端区刻蚀若干个孔，所述孔在所述衬底材料的终端区的沟槽上方。

7.根据权利要求5或6所述的制备沟槽式肖特基的方法，其特征在于：所述衬底材料为长有N型外延的N型衬底。