[发明专利]半导体器件及用于半导体器件的引线框

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件和用于半导体器件的引线框，更具体地，涉及基于紧凑的引线框的半导体封装。

背景技术

诸如功率MOSFET的功率器件需要高性能的热容量和散热，这是因为它们需要将不需要的大电流引流到接地或其它轨道(rail)，以保护与它们相连接的器件不被损坏。另一方面，功率器件面临结构紧凑性的挑战，这要求它们具有非常小的占地面积和封装高度。

本发明的一个目的是提供一种基于引线框的、紧凑但有热效率的半导体封装。

发明内容

本发明内容旨在以简化的形式介绍一些概念，这些概念在下面的具体实施方式中进一步描述。本发明内容不旨在确定所要求保护的主题的主要特征或基本特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

在一个实施例中，本发明提供了一种半导体器件，其包括：半导体晶片，其具有第一侧面和相对的第二侧面，半导体晶片包括在所述第一侧面上的第一端子和在所述第二侧面上的至少两个第二端子；以及引线框。引线框包括：第一基部和第二基部，其电力地和机械地彼此相互间隔开，其中，半导体晶片的第二侧面安装到引线框，以使得所述至少两个第二端子分别电连接到第一基部和第二基部。引线框还包括：位于第一基部和第二基部上的第一突起和第二突起，其突出超过半导体晶片的一侧并提供与半导体晶片的第一侧面上的第一端子共面的第一端子表面和第二端子表面。

在一个实施例中，本发明提供了一种半导体器件，其包括：半导体晶片，其具有在第一侧面上的第一端子和在相对的第二侧面上的至少两个第二端子；以及引线框，其具有第一部分和第二部分。第一部分和第二部分中的每一个均包括基部和突起。突起分别连接到基部的第一侧面并从基部的第一侧面突出。突起的高度实质上等于半导体晶片的厚度，以使得当半导体晶片被安装在引线框上并且半导体晶片的第二侧面朝向引线框的第一部分的基部和第二部分的基部时，则半导体晶片的第一侧面与突起的顶部共面。

本发明还提供了一种用于半导体器件的引线框。引线框包括：第一部分，其包括第一分支和第二分支，其中，第二分支连接到第一分支并从第一分支延伸。引线框还包括：第二部分，其具有第三分支和第四分支，其中，第四分支连接到第三分支并从第三分支延伸。当引线框是引线框矩阵的一部分时，第一连接条将第一部分的第一分支连接到相邻引线框的第二部分的第三分支。第二连接条将第一部分的第一分支分别连接到另一个相邻引线框的第一部分的第二分支和第二部分的第四分支。第一部分的第二分支和第二部分的第四分支在相同方向上延伸至相同的高度。

附图说明

参考实施例(附图中示出了一些实施例)来详细地理解本发明的上述特征，可对上述简要概括的本发明进行更具体的描述。然而，应当注意，附图仅示出了本发明的典型实施例，因此，不将其视为是对本发明范围的限制，对于本发明而言，可以获得其他等同有效的实施例。附图是用于方便对本发明的理解，因此不一定是按比例绘制的。通过结合附图阅读本说明书，所要求保护的主题的优点对于本领域技术人员而言将变得显而易见，附图中使用相同的附图标记来指代相同的元件，在附图中：

图1是根据本发明实施例的半导体器件的透视图；

图2A是图1的器件的半导体晶片(semiconductor die)的俯视图；

图2B是图2A的半导体晶片的侧视图；

图2C是图2A的半导体晶片的仰视图；

图3是图1的半导体器件的引线框的透视图；

图4A至图4E是示出用于组装图1的半导体器件的步骤的透视图；

图5A是分割后所获得的半导体器件的透视图；

图5B是从底面看图5A的半导体器件的仰视图；

图5C是打磨和分割后所获得的半导体器件的透视图；

图6A示出了图1的半导体器件上的横截面线；以及

图6B至图6D是沿着图6A的各个横截面线的半导体器件的横截面图。

具体实施方式