[发明专利]FinFET及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一鳍，位于衬底的上方；

第二鳍，位于所述衬底的上方，所述第二鳍邻近所述第一鳍；

隔离区，环绕所述第一鳍和所述第二鳍，所述隔离区的第一部分位于所述第一鳍和所述第二鳍之间且具有凹陷的上表面；

栅极结构，沿着所述第一鳍和所述第二鳍的侧壁并且位于所述第一鳍和所述第二鳍的上表面的上方，所述栅极结构限定了所述第一鳍和所述第二鳍中的沟道区；

栅极密封间隔件，位于所述栅极结构的侧壁上，所述栅极密封间隔件的第一部分位于所述第一鳍和所述第二鳍之间的所述隔离区的第一部分上且覆盖所述隔离区的第一部分的所述凹陷的上表面；以及

源极/漏极区，位于所述第一鳍和所述第二鳍上并且邻近所述栅极结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极区是在所述第一鳍和所述第二鳍之间的连续源极/漏极区。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极区包括：

第一部分，位于所述第一鳍上，所述源极/漏极区的第一部分从所述第一鳍垂直延伸；以及

第二部分，位于所述第一部分上，所述第二部分水平和垂直地延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极区包括：

第三部分，位于所述第二鳍上，所述源极/漏极区的第三部分从所述第二鳍垂直延伸；以及

第四部分，位于所述第三部分上，所述第四部分水平和垂直地延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述栅极密封间隔件的第一部分接触所述源极/漏极区的第一部分和第三部分。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极区具有非平坦顶面。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极区是外延源极/漏极区。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极区包括：

缓冲层，位于所述第一鳍和所述第二鳍上，所述缓冲层具有第一掺杂剂的第一掺杂浓度；

应力源层，位于所述缓冲层上，所述应力源层具有所述第一掺杂剂的第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度；以及

覆盖层，位于所述应力源层上，所述覆盖层具有所述第一掺杂剂的第三掺杂浓度，所述第三掺杂浓度小于所述第二掺杂浓度。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述第一掺杂剂是锗。

10.一种制造半导体结构的方法，包括：

在衬底上形成鳍；

形成环绕所述鳍的隔离区；

在所述鳍的上方形成栅极结构，其中，所述隔离区的暴露于所述栅极结构的侧壁的外侧且位于相邻的鳍之间的部分为所述隔离区的第一部分，所述隔离区的第一部分具有凹陷的上表面；

在所述栅极结构的侧壁上形成栅极密封间隔件，所述栅极密封间隔件的第一部分位于相邻鳍之间的所述隔离区的所述第一部分上且完全覆盖所述隔离区的所述第一部分的凹陷的上表面；以及

在所述栅极结构的相对两侧上形成源极/漏极区，至少一个所述源极/漏极区从所述栅极密封间隔件的第一部分的上方延伸。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述源极/漏极区是位于相邻鳍之间的连续源极/漏极区。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述至少一个源极/漏极区具有非平坦顶面。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述源极/漏极区包括：

凹进位于所述栅极结构的外侧的所述鳍以使所述鳍的顶面低于所述隔离区的顶面；以及

从位于所述栅极结构的相对两侧上的凹进的鳍外延生长所述源极/漏极区。